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本發明公開了一種用于汽車前照燈的 LED 模塊封裝方法，包括：(a)將中層基板設置有多個芯片焊盤的區域對準于上層基板的通槽結構，由此執行中層和上層基板的貼合；(b)在芯片焊盤上滴涂焊料，并利用焊料的液體表面張力使得芯片與芯片焊盤自動執行對準調整；(c)執行下層基板和中層基板之間的焊接，并完成各個 LED 芯片的電路連接；(d)將陶瓷粉末和硅膠的混合物填充在各個芯片彼此間隔的側面區域，然后執行加熱固化；(e)向上層基板

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? 項目 星奧全護眼LED書寫板專用燈 國家標準GB7793-2010 功率36w 參數 中小學學校教室采光和照明衛生標準 黑板照度（E） 639.3LX 優于國標 ≥500LX 黑板照度均勻度（Uo） 0.81 專業照明設計 ≥0.8 眩光（UGR） ＜16 無眩光危害 ＜19 光頻閃（波動深度） ≤1% 無光頻閃危害 —— 顯色指數 ≥98 色彩還原能力強 ≥80 色溫（Tc） 5000k 光線柔和 3300K-5500K 使用壽命 質保三年 壽命長 ——

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 微晶類主推款-微晶防眩 直下式發光設計 項目 星奧全護眼LED教室燈 國家標準GB7793-2010 功率36w 參數 中小學學校教室采光和照明衛生標準 教室照度（E） 417LX 優于國標 ≥300LX 教室照度均勻度（Uo） 0.8 專業照明設計 ≥0.7 黑白照度（E） 639.3LX 優于國標 ≥500LX 黑板照度均勻度（Uo） 0.81 專業照明設計 ≥0.8 眩光（UGR） 15.9 無眩光危害 ＜19 光頻閃（波動深度） ≤3.2% 無光頻閃危害 —— 顯色指數 ≥90 色彩還原能力強 ≥80 色溫（Tc） 4500K/5500k(可定制） 光線柔和 3300K-5500K 使用壽命 質保三年 壽命長 —— 總功率（P） 450W 消耗功率低 —— 年耗電量（Q） 720度 耗電量低 ——

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產品規格：≥1200mm*4000mm 產品特點： 1.獨家設計 2.設有智能感應器控制盒，操作便捷。將黑板與電子光源的控制統一化，黑板“閉”→光源“亮”，黑板“開”→光源“滅”。 3.解決了錄播行業的板書光源難題，擁有板面補光系統，避免了光源落差造成的攝像光源問題。 4.保護學生視力，緩解視覺疲勞，根據學生視覺感受可調節光源強度，從而起到預防近視的作用。 5.設計有LED照明系統，以及LED黑板照明控制器，照明度可達到800Lux，燈光亮度可調節。分：外置式 和內嵌式 面板材質：綠板/米黃板/白板/鎢金板/搪瓷板

由東南大學信息科學與工程學院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯合成都天銳星通科技有限公司、網絡通信與安全紫金山實驗室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規模集成陣列天線技術”項目成果通過了中國電子學會組織的現場鑒定。 由中國工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來自中國移動、信通院、華為、中興、大唐電信和國內5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會對該項成果進行了現場鑒定并給予了高度評價，一致認為：該項目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規模推廣應用的核心技術瓶頸問題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規模集成陣列天線低成本解決方案，多項關鍵技術屬首創；在硅基CMOS毫米波技術路線取得重大突破，在大規模相控陣天線集成度方面國際領先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛星通信等領域具有廣闊的應用前景，在該領域“卡脖子”技術上取得關鍵突破，已在相關應用部門得以成功推廣應用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經超過250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術的突破，將帶來無線通信行業的一次變革，解決相控陣系統“不是不想用，只是用不起”的問題，把毫米波芯片及大規模相控陣變成來一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優勢，但其輸出功率相對較低，器件本身寄生效應較大。項目組經過長達6年的技術探索與創新，克服了毫米波CMOS芯片技術的固有瓶頸問題，所研制的芯片噪聲系數為3dB，發射通道效率達到15%，無需校準便可實現精確幅相調控；基于大規模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問題。

本項目重點研究面向物聯網極低功耗微控制器關鍵技術，包括寬電壓標準單元和片上存儲器設計技術、工藝-電壓-溫度（PVT）偏差檢測技術與自適應動態電壓和頻率調節技術、快速響應的寬負載高效率電源轉換技術、低功耗高精度模數轉換電路設計技術、極低功耗快速啟動晶體振蕩器技術；面向工業控制微控制器關鍵技術，包括高可靠處理器架構、低延時訪問存儲策略、納秒級中斷響應處理技術、容錯型自糾錯SRAM 設計技術、高精度時鐘基準電路設計技術。

本技術成果涉及集成電路測試技術領 域，公開了一種RFID讀寫器芯片中測系 統及方法

隨著集成電路的發展，功耗問題越來越成為制約的瓶頸問題。特別是在即將到來的萬物互聯智能時代，物聯網、生物醫療、可穿戴設備和人工智能等新興領域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態功耗。面向未來龐大的物聯網節點應用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來越多的關注。受玻爾茲曼限制，傳統晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關鍵因素，基于傳統CMOS晶體管的集成電路已經無法滿足物聯網節點等對極低功耗的需求。 本項目基于標準CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進一步研發具有極低功耗的物聯網節點芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統晶體管的量子帶帶隧穿機制，可突破亞閾擺幅極限，同時獲得比傳統晶體管低2個量級以上的關態電流性能，具備極其優越的低靜態功耗性能。通過超陡亞閾擺幅器件及電路技術的研究和突破，可促進我國物聯網芯片產業的發展，顯著提高物聯網節點的工作時間，具有重要的應用價值。