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氧化銦錫（indium-tin-oxide）簡(jiǎn)稱(chēng)ITO，ITO靶材是一種功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明導(dǎo)電膜玻璃。以金屬銦、錫為原料采用共沉淀法制備出納米級(jí)ITO復(fù)合粉體。粉體造粒成型后分別采用加壓和常壓燒結(jié)法制備出相對(duì)理論密度大于99.5%、氧化銦單一相的ITO靶材。 粉體純度大于99.99%、顆粒分散性好，粒徑10nm—80nm之間可控，BET比表面積30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相對(duì)理論密度99.5%。 威海市藍(lán)狐特種材料有限公司已采用該技術(shù)建設(shè)年產(chǎn)20噸納米級(jí)氧化銦錫復(fù)合粉體生產(chǎn)線，采用該粉體燒制的ITO靶材相對(duì)理論密度達(dá)到99%以上。國(guó)內(nèi)相對(duì)理論密度大于99%的ITO靶材主采用進(jìn)口產(chǎn)品。 金屬銦、錫是我國(guó)的優(yōu)勢(shì)資源，生產(chǎn)設(shè)備都是定型通用設(shè)備，年產(chǎn)20噸納米級(jí)氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的生產(chǎn)廠需要人員50名。納米級(jí)氧化銦錫粉體制備已建設(shè)年產(chǎn)20噸生產(chǎn)線。高密度ITO靶材的制備已完成實(shí)驗(yàn)室小試。

一種用于預(yù)測(cè)多元拼合靶材制備的薄膜成分的預(yù)測(cè)方法 一、項(xiàng)目分類(lèi) 顯著效益成果轉(zhuǎn)化 二、成果簡(jiǎn)介 現(xiàn)有物理氣相沉積（PVD）制備多元薄膜材料采用合金靶材作為靶源，生產(chǎn)過(guò)程中，薄膜成分的調(diào)控范圍受安裝的合金靶材的成分比例的限制。如果預(yù)期獲得納微復(fù)雜結(jié)構(gòu)的復(fù)合薄膜，按照常規(guī)技術(shù)路線需要上百塊成分連續(xù)變化的合金靶材，這顯然是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。同時(shí)，采用合金靶材制備某些多元薄膜時(shí)，需要特高純度的或極端成分比例的靶材作為靶源，這類(lèi)特殊靶材以現(xiàn)有技術(shù)難以制造。 為此，本發(fā)明研發(fā)出一種用于預(yù)測(cè)多元拼合靶材制備的薄膜成分的預(yù)測(cè)方法，利用本發(fā)明技術(shù)有助于新材料的研發(fā)和促進(jìn)半導(dǎo)體器件、切削刀具涂層等高新技術(shù)的發(fā)展。

本發(fā)明涉及金屬材料加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高擇優(yōu)取向細(xì)晶超高純鋁靶材的制備方法。包括以下步驟：將超高純鋁板材于５０℃～３００℃下熱軋，道次壓下量控制在４０％～５０％；將熱軋后的超高純鋁板材在１００～３００℃溫度下保溫０～１小時(shí)；然后進(jìn)行冷軋，道次壓下量控制在４０％～５０％，通過(guò)對(duì)板材進(jìn)行道次間空冷、水冷以及冰水冷卻控制板材軋制過(guò)程的溫升，抑制板材的

1、主要功能和應(yīng)用領(lǐng)域： 本設(shè)備由多通道圖像采集模塊、復(fù)雜光學(xué)模塊、復(fù)雜照明模塊、精密機(jī)械運(yùn)動(dòng)模塊、分布式大數(shù)據(jù)分析處理模塊等多個(gè)模塊組成。能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)第4.5代以上的液晶顯示器件ITO、銀漿線路的快速檢測(cè)并輸出報(bào)表。利用高分辨率線陣相機(jī)陣列和光源對(duì)PET基材的觸摸屏進(jìn)行成像，并利用計(jì)算機(jī)圖像處理、模式識(shí)別及人工智能的理論與技術(shù)，拍攝到的觸摸屏圖像進(jìn)行研究，通過(guò)對(duì)各種線路和特征進(jìn)行特征匹配與邊緣分析，分別檢測(cè)上述線路缺陷并自動(dòng)報(bào)告，從而達(dá)到在線自動(dòng)檢測(cè)觸摸屏線路缺陷的目的，作為生產(chǎn)線上品質(zhì)保證的重要方法。 2、特色及先進(jìn)性： 1）針對(duì)ITO材料的高透光率：采用特殊設(shè)計(jì)的高功率光源和精密光學(xué)成像系統(tǒng)，確保能夠采集到圖像清晰、缺陷顯著、ITO線路對(duì)比度高的圖片，為算法處理達(dá)到不漏檢和低誤檢打下良好基礎(chǔ)。 2）針對(duì)ITO線路不規(guī)則：由于ITO線路的形式多樣且比較復(fù)雜，需要采用樣品和模板配準(zhǔn)、像素值直接對(duì)比、線路邊緣對(duì)比、周期性判斷及DRC方法等算法方案同時(shí)進(jìn)行處理。 3）針對(duì)軟材質(zhì)基板（PET）：由于基板為軟材質(zhì)，并且基板為600*600 mm的大規(guī)格尺寸，采用高精度的光學(xué)平臺(tái)和自動(dòng)快速對(duì)焦系統(tǒng)，保證大尺寸范圍內(nèi)圖像采集的清晰度。 4）針對(duì)缺陷類(lèi)型繁多：采取提取局部特征并結(jié)合周期性和對(duì)比性完成缺陷檢測(cè)，針對(duì)不同類(lèi)型的缺陷進(jìn)行建標(biāo)以達(dá)到較高的檢測(cè)效率，通過(guò)框選候選(潛在)缺陷位置，采用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法進(jìn)行自主機(jī)器學(xué)習(xí)，不斷匹配各種可能存在的缺陷類(lèi)型，并結(jié)合不同的算法模塊進(jìn)行檢測(cè)，寬進(jìn)嚴(yán)出保證檢測(cè)效果。 3、技術(shù)指標(biāo)： ？ 檢測(cè)對(duì)象： PET和電子玻璃為基板的ITO。 ？ 檢測(cè)項(xiàng)目：線路過(guò)寬、過(guò)窄、多線、線斷、線裂、連線、毛刺、爆點(diǎn)；膜刮痕、導(dǎo)電薄膜異物、氣泡、針孔、凸出、凹陷。 ？ 臺(tái)面要求：臺(tái)面能滿足檢測(cè)600mm×600mm以下尺寸產(chǎn)品。 ？ 檢測(cè)精度：能檢測(cè)最小線寬間距為20um。 ？ 最大檢測(cè)面積：檢測(cè)精度為20um時(shí)，最大檢測(cè)面積是600mm*600mm。 ？ 檢測(cè)效率：?jiǎn)螐垺未螜z測(cè)時(shí)間小于等于30秒。 ？ 檢測(cè)效果：錯(cuò)報(bào)率控制在1%以下,檢出率99%以上。 ？ 設(shè)備穩(wěn)定性：設(shè)備至少可5*24小時(shí)連續(xù)無(wú)故障工作。 4、關(guān)鍵問(wèn)題和實(shí)施效果 該設(shè)備可廣泛應(yīng)用于觸摸屏行業(yè)、LCD行業(yè)、太陽(yáng)能行業(yè)和LED行業(yè)等領(lǐng)域，可滿足觸摸屏行業(yè)需求。以電子玻璃、PET為基板的ITO線路對(duì)于最終產(chǎn)品性能的影響是非常顯著的，如線路發(fā)生缺陷，則會(huì)直接造成產(chǎn)品功能缺陷，而越靠近出貨端檢出缺陷，對(duì)于廠家來(lái)說(shuō)修復(fù)的成本越高，同時(shí)廢品的損失越高。該設(shè)備可以在最早的工藝流程上對(duì)線路進(jìn)行檢測(cè)，從而整體提高生產(chǎn)廠家的制程控制能力。 該設(shè)備采用復(fù)雜高分辨率多通道線陣相機(jī)陣列進(jìn)行光學(xué)成像，同時(shí)配合精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)2.5微米分辨率的圖像采集，其三維組裝圖如下圖所示。

本設(shè)備由多通道圖像采集模塊、復(fù)雜光學(xué)模塊、復(fù)雜照明模塊、精密機(jī)械運(yùn)動(dòng)模塊、分布式大數(shù)據(jù)分析處理模塊等多個(gè)模塊組成。能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)第4.5代以上的液晶顯示器件ITO、銀漿線路的快速檢測(cè)并輸出報(bào)表。利用高分辨率線陣相機(jī)陣列和光源對(duì)PET基材的觸摸屏進(jìn)行成像，并利用計(jì)算機(jī)圖像處理、模式識(shí)別及人工智能的理論與技術(shù)，拍攝到的觸摸屏圖像進(jìn)行研究，通過(guò)對(duì)各種線路和特征進(jìn)行特征匹配與邊緣分析，分別檢測(cè)上述線路缺陷并自動(dòng)報(bào)告，從而達(dá)到在線自動(dòng)檢測(cè)觸摸屏線路缺陷的目的，作為生產(chǎn)線上品質(zhì)保證的重要方法。

成果簡(jiǎn)介： 1、主要功能和應(yīng)用領(lǐng)域： 本設(shè)備由多通道圖像采集模塊、復(fù)雜光學(xué)模塊、復(fù)雜照明模塊、精密機(jī)械運(yùn)動(dòng)模塊、分布式大數(shù)據(jù)分析處理模塊等多個(gè)模塊組成。能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)第4.5代以上的液晶顯示器件ITO、銀漿線路的快速檢測(cè)并輸出報(bào)表。利用高分辨率線陣相機(jī)陣列和光源對(duì)PET基材的觸摸屏進(jìn)行成像，并利用計(jì)算機(jī)圖像處理、模式識(shí)別及人工智能的理論與技術(shù)，拍攝到的觸摸屏圖像進(jìn)行研究，通過(guò)對(duì)各種線路和特征進(jìn)行特征匹配與邊緣分析，分別檢測(cè)上述線路缺陷并自動(dòng)報(bào)告，從而達(dá)到在線自動(dòng)檢測(cè)觸摸屏線路缺陷的目的，作為生產(chǎn)線上品質(zhì)保證的重要方法。 2、特色及先進(jìn)性： ● 針對(duì)ITO材料的高透光率：采用特殊設(shè)計(jì)的高功率光源和精密光學(xué)成像系統(tǒng)，確保能夠采集到圖像清晰、缺陷顯著、ITO線路對(duì)比度高的圖片，為算法處理達(dá)到不漏檢和低誤檢打下良好基礎(chǔ)。 ● 針對(duì)ITO線路不規(guī)則：由于ITO線路的形式多樣且比較復(fù)雜，需要采用樣品和模板配準(zhǔn)、像素值直接對(duì)比、線路邊緣對(duì)比、周期性判斷及DRC方法等算法方案同時(shí)進(jìn)行處理。 ● 針對(duì)軟材質(zhì)基板（PET）：由于基板為軟材質(zhì)，并且基板為600*600 mm的大規(guī)格尺寸，采用高精度的光學(xué)平臺(tái)和自動(dòng)快速對(duì)焦系統(tǒng)，保證大尺寸范圍內(nèi)圖像采集的清晰度。 ● 針對(duì)缺陷類(lèi)型繁多：采取提取局部特征并結(jié)合周期性和對(duì)比性完成缺陷檢測(cè)，針對(duì)不同類(lèi)型的缺陷進(jìn)行建標(biāo)以達(dá)到較高的檢測(cè)效率，通過(guò)框選候選(潛在)缺陷位置，采用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法進(jìn)行自主機(jī)器學(xué)習(xí)，不斷匹配各種可能存在的缺陷類(lèi)型，并結(jié)合不同的算法模塊進(jìn)行檢測(cè)，寬進(jìn)嚴(yán)出保證檢測(cè)效果。 3、技術(shù)指標(biāo)： ● 檢測(cè)對(duì)象： PET和電子玻璃為基板的ITO。 ● 檢測(cè)項(xiàng)目：線路過(guò)寬、過(guò)窄、多線、線斷、線裂、連線、毛刺、爆點(diǎn)；膜刮痕、導(dǎo)電薄膜異物、氣泡、針孔、凸出、凹陷。 ● 臺(tái)面要求：臺(tái)面能滿足檢測(cè)600mm×600mm以下尺寸產(chǎn)品。 ● 檢測(cè)精度：能檢測(cè)最小線寬間距為20um。 ● 最大檢測(cè)面積：檢測(cè)精度為20um時(shí)，最大檢測(cè)面積是600mm*600mm。 ● 檢測(cè)效率：?jiǎn)螐垺未螜z測(cè)時(shí)間小于等于30秒。 ● 檢測(cè)效果：錯(cuò)報(bào)率控制在1%以下,檢出率99%以上。 ● 設(shè)備穩(wěn)定性：設(shè)備至少可5*24小時(shí)連續(xù)無(wú)故障工作。 4、關(guān)鍵問(wèn)題和實(shí)施效果 該設(shè)備可廣泛應(yīng)用于觸摸屏行業(yè)、LCD行業(yè)、太陽(yáng)能行業(yè)和LED行業(yè)等領(lǐng)域，可滿足觸摸屏行業(yè)需求。以電子玻璃、PET為基板的ITO線路對(duì)于最終產(chǎn)品性能的影響是非常顯著的，如線路發(fā)生缺陷，則會(huì)直接造成產(chǎn)品功能缺陷，而越靠近出貨端檢出缺陷，對(duì)于廠家來(lái)說(shuō)修復(fù)的成本越高，同時(shí)廢品的損失越高。該設(shè)備可以在最早的工藝流程上對(duì)線路進(jìn)行檢測(cè)，從而整體提高生產(chǎn)廠家的制程控制能力。 該設(shè)備采用復(fù)雜高分辨率多通道線陣相機(jī)陣列進(jìn)行光學(xué)成像，同時(shí)配合精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)2.5微米分辨率的圖像采集，其三維組裝圖如下圖所示。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對(duì)于濺射制備電阻膜來(lái) 說(shuō)，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí) 會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級(jí)為千歐, 刻槽后數(shù)量級(jí)為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過(guò)在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來(lái)提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過(guò)程中, 可通過(guò)通入微量 的氧來(lái)提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過(guò)載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無(wú)線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無(wú)線網(wǎng)絡(luò) 5 移動(dòng)通信—LTE 技術(shù)

一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發(fā)明專(zhuān)利/實(shí)用新型/：發(fā)明授權(quán) 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產(chǎn)生沉淀物，將獲得的沉淀經(jīng)洗滌、過(guò)濾、 干燥、煅燒制成單分散超細(xì)氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經(jīng)模壓成型和冷等靜壓強(qiáng)化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐

成果簡(jiǎn)介智能健身游戲拳擊靶將現(xiàn)代電子技術(shù)與體育運(yùn)動(dòng)器材拳擊靶相結(jié)合， 可提供拳擊力度、 頻度、 準(zhǔn)確度等參數(shù)的測(cè)量與顯示， 進(jìn)行等級(jí)評(píng)價(jià)并語(yǔ)音播報(bào)， 避免了傳統(tǒng)訓(xùn)練時(shí)的盲目性和枯燥、 單調(diào)性， 可以幫助訓(xùn)練者合理、 科學(xué)地制定健身方案， 提高訓(xùn)練效率。 適用于職業(yè)拳擊手和業(yè)余愛(ài)好者。設(shè)計(jì)原理： 在拳擊靶內(nèi)嵌入一個(gè)壓力傳感器， 并采用無(wú)線發(fā)送壓力傳感器的采集的數(shù)據(jù)， 交給中央控制器處理、 分析， 計(jì)算出拳擊的力度、 平均值、 歷史最高值以及擊打的頻率。 功能選擇按鍵部分，

本實(shí)用新型提供一種節(jié)材鉛筆，其組成包括筆芯和筆桿，其特征在于，所述的筆芯為筆桿全長(zhǎng)的三分 之二，并且放置于筆桿的一端。本實(shí)用新型用一定量的木材取代三分之一的筆芯，在一定程度上節(jié)約了材 料，屬節(jié)材鉛筆。本實(shí)用新型成本較低，制造簡(jiǎn)單，使用方便，實(shí)惠。