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（2S,3S,4R,9E）-2-[(2、-R)- 2-羥基-二十九碳酰胺]-十八碳-1，3，4-三醇
本發(fā)明公開了一種源于東洋參的新化合物(2S,3S,4R,9E) 2 [(2′R) 2′ 羥基 二十九碳酰胺] 十八碳 1,3,4 三醇，其結(jié)構(gòu)式為該化合物對膽固醇酰基轉(zhuǎn)移酶具有選擇性抑制的作用，能夠有效用于預防和治療血脂、動脈粥樣硬化、冠心病等疾病，具有良好的研究開發(fā)和應用前景；該化合物的制備方法步驟少及操作簡便，得到的化合物天然無毒性。
青島大學
2021-04-13
良田TE602D高拍儀教育會議室辦公用高拍儀
深圳市新良田科技股份有限公司
2021-08-23
互聯(lián)網(wǎng)智能自動售貨機-無限寶盒CVM-FD48D(C)
額定電壓：220V
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青島易觸科技有限公司
2021-09-09
5D4 GOPRO GH5/4 A7S2無線領夾話筒
產(chǎn)品詳細介紹產(chǎn)品優(yōu)點：1.四個頻道信號互不干擾；2.天線靈活，可拆卸，可360°旋轉(zhuǎn)以追求最佳音質(zhì)；3.高頻VHF可提供純凈的音質(zhì)；4.在沒有障礙物的情況下，麥克風有效使用距離高達60m；5.可實時監(jiān)控；6.音量大小可調(diào)節(jié)；7.采用5號堿性電池供電；8.包含配置：一個可掛在腰間的發(fā)射器，一個與相機連接的接收器和一個全指向型領夾式麥克風。
德維尼（北京）科技有限公司
2021-08-23
1465C/D/F/H/L信號發(fā)生器 100KHZ~67GHz
上海啟莫科技有限公司
2022-03-17
3671C/D/E矢量網(wǎng)絡分析儀 100kHz~26.5GHz
上海啟莫科技有限公司
2022-03-17
一種燃煤煙氣SO3梯級深度脫除系統(tǒng)
本實用新型涉及一種燃煤煙氣SO3梯級深度脫除系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括SCR脫硝裝置、堿性吸收劑噴射裝置、空預器、調(diào)溫增效裝置、靜電除塵器、脫硫塔和濕式靜電除塵器，所述調(diào)溫增效裝置包括降溫段和升溫段，所述SCR脫硝裝置、空預器、調(diào)溫增效裝置降溫段、靜電除塵器、脫硫塔、濕式靜電除塵器、調(diào)溫增效裝置升溫段沿煙氣脫除方向順次設置；所述堿性吸收劑噴射裝置設置的位置為SCR脫硝裝置之前，SCR脫硝裝置之后、空預器之前，或空預器之后、調(diào)溫增效裝置降溫段之前。本實用新型通過各污染物控制裝備對煙氣中的SO3進行梯級深度脫除，實現(xiàn)SO3的排放濃度小于5mg/Nm3。
浙江大學
2021-04-13
一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法
本發(fā)明屬于納米薄膜材料制備技術(shù)領域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術(shù)和納米膜卷曲技術(shù)，先制備單質(zhì)Fe的納米膜卷曲管結(jié)構(gòu)，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡單，操作方便，原理科學，無污染，環(huán)境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長度能達到幾百微米。本發(fā)明在新能源、氣敏、催化、等領域具有重要用途。
青島大學
2021-04-13
一種β-Sialon/Al2O3復合粉體及其制備方法
小試階段/nβ-Sialon材料常用的工業(yè)合成方法是以高純的Si3N4、Al2O3、AlN和SiO2位原料通過高溫固相法合成，但由于該方法中原料價格昂貴導致過高的生產(chǎn)成本，進而限制β-Sialon材料的廣泛使用。目前合成β-Sialon材料的溫度較高和產(chǎn)品中雜質(zhì)較多。本專利旨在克服以上技術(shù)缺陷，目的是提供一種合成溫度低、工藝簡單和產(chǎn)品純度高的β-Sialon/Al2O3復合粉體的制備方法。本專利技術(shù)采用工業(yè)上易得的氧化鋁粉、硅粉和鋁粉為原料，通過一定的混合處理后，在1100-1300℃溫度下即可得到
武漢科技大學
2021-01-12
InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法
本發(fā)明是關(guān)于半導體材料領域，旨在提供InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法。本發(fā)明包括如下步驟：將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液；80℃下攪拌2h后獲得沉淀，過濾，并用蒸餾水和無水乙醇洗滌，干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽；獲得g-C3N4顆粒；將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系，將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液；攪拌獲得沉淀，過濾、洗滌，加入表面活性劑并進行水熱反應；所得沉淀過濾，獲得InVO4/g-C3N4復合材料。本發(fā)明的有益效果是：解決了InVO4納米晶的形核、生長問題，促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。
浙江大學
2021-04-13