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InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法

2021-04-13 00:00:00
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關鍵詞: 復合材料
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所屬領域:
新材料及其應用
項目成果/簡介:

本發明是關于半導體材料領域,旨在提供InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法。本發明包括如下步驟:將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液;80℃下攪拌2h后獲得沉淀,過濾,并用蒸餾水和無水乙醇洗滌,干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽;獲得g-C3N4顆粒;將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系,將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液;攪拌獲得沉淀,過濾、洗滌,加入表面活性劑并進行水熱反應;所得沉淀過濾,獲得InVO4/g-C3N4復合材料。本發明的有益效果是:解決了InVO4納米晶的形核、生長問題,促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。

項目階段:
未應用
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