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紫外光照射提高冬蟲夏草鈣強(qiáng)化劑中維生素D含量的方法
研發(fā)階段/n本發(fā)明公開了一種紫外光照射提高冬蟲夏草鈣強(qiáng)化劑中維生素D含量的方法，a、配制培養(yǎng)基：以碳源、氮源、礦質(zhì)元素等制備液體培養(yǎng)基，將配制好的培養(yǎng)基滅菌；b、向上述培養(yǎng)基中接種冬蟲夏草菌，搖瓶培養(yǎng)，獲得液體冬蟲夏草菌種；c、向上述培養(yǎng)基中接種冬蟲夏草菌種，在一定條件下?lián)u瓶培養(yǎng)，取出發(fā)酵液；d、選用UV-B紫外光源，功率14-60W，波長為280～325nm，將冬蟲夏草菌發(fā)酵液倒在大培養(yǎng)皿中，將紫外光源安放在距離培養(yǎng)皿的正上方，對得到的發(fā)酵液進(jìn)行照射，照射完畢將發(fā)酵液經(jīng)濃縮、干燥，破壁粉碎成粉末狀
湖北工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
1465C/D/F/H/L信號發(fā)生器 100KHZ~67GHz
上海啟莫科技有限公司
2022-03-17
3671C/D/E矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 100kHz~26.5GHz
上海啟莫科技有限公司
2022-03-17
互聯(lián)網(wǎng)智能自動(dòng)售貨機(jī)-無限寶盒CVM-FD48D(C)
額定電壓：220V
出售商品種類：34
存儲(chǔ)商品數(shù)量：190
支付方式：支付寶、微信等手機(jī)掃碼在線支付
外形尺寸：H1910*L840*W836
是否制冷：帶冷藏
是否帶顯示屏：無
自動(dòng)售貨機(jī)多少錢一臺(tái),無限寶盒僅需8890元,自動(dòng)售貨機(jī)廠家直銷售后服務(wù)好！互聯(lián)網(wǎng)型綜合商品無人售貨機(jī)！
青島易觸科技有限公司
2021-09-09
5D4 GOPRO GH5/4 A7S2無線領(lǐng)夾話筒
產(chǎn)品詳細(xì)介紹產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：1.四個(gè)頻道信號互不干擾；2.天線靈活，可拆卸，可360°旋轉(zhuǎn)以追求最佳音質(zhì)；3.高頻VHF可提供純凈的音質(zhì)；4.在沒有障礙物的情況下，麥克風(fēng)有效使用距離高達(dá)60m；5.可實(shí)時(shí)監(jiān)控；6.音量大小可調(diào)節(jié)；7.采用5號堿性電池供電；8.包含配置：一個(gè)可掛在腰間的發(fā)射器，一個(gè)與相機(jī)連接的接收器和一個(gè)全指向型領(lǐng)夾式麥克風(fēng)。
德維尼（北京）科技有限公司
2021-08-23
良田TE602D高拍儀教育會(huì)議室辦公用高拍儀
深圳市新良田科技股份有限公司
2021-08-23
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一種燃煤煙氣SO3梯級深度脫除系統(tǒng)
本實(shí)用新型涉及一種燃煤煙氣SO3梯級深度脫除系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括SCR脫硝裝置、堿性吸收劑噴射裝置、空預(yù)器、調(diào)溫增效裝置、靜電除塵器、脫硫塔和濕式靜電除塵器，所述調(diào)溫增效裝置包括降溫段和升溫段，所述SCR脫硝裝置、空預(yù)器、調(diào)溫增效裝置降溫段、靜電除塵器、脫硫塔、濕式靜電除塵器、調(diào)溫增效裝置升溫段沿?zé)煔饷摮较蝽槾卧O(shè)置；所述堿性吸收劑噴射裝置設(shè)置的位置為SCR脫硝裝置之前，SCR脫硝裝置之后、空預(yù)器之前，或空預(yù)器之后、調(diào)溫增效裝置降溫段之前。本實(shí)用新型通過各污染物控制裝備對煙氣中的SO3進(jìn)行梯級深度脫除，實(shí)現(xiàn)SO3的排放濃度小于5mg/Nm3。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法
本發(fā)明屬于納米薄膜材料制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術(shù)和納米膜卷曲技術(shù)，先制備單質(zhì)Fe的納米膜卷曲管結(jié)構(gòu)，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡單，操作方便，原理科學(xué)，無污染，環(huán)境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長度能達(dá)到幾百微米。本發(fā)明在新能源、氣敏、催化、等領(lǐng)域具有重要用途。
青島大學(xué)
2021-04-13
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一種β-Sialon/Al2O3復(fù)合粉體及其制備方法
小試階段/nβ-Sialon材料常用的工業(yè)合成方法是以高純的Si3N4、Al2O3、AlN和SiO2位原料通過高溫固相法合成，但由于該方法中原料價(jià)格昂貴導(dǎo)致過高的生產(chǎn)成本，進(jìn)而限制β-Sialon材料的廣泛使用。目前合成β-Sialon材料的溫度較高和產(chǎn)品中雜質(zhì)較多。本專利旨在克服以上技術(shù)缺陷，目的是提供一種合成溫度低、工藝簡單和產(chǎn)品純度高的β-Sialon/Al2O3復(fù)合粉體的制備方法。本專利技術(shù)采用工業(yè)上易得的氧化鋁粉、硅粉和鋁粉為原料，通過一定的混合處理后，在1100-1300℃溫度下即可得到
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
InVO4/g-C3N4復(fù)合材料的制備方法
本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，旨在提供InVO4/g-C3N4復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明包括如下步驟：將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液；80℃下攪拌2h后獲得沉淀，過濾，并用蒸餾水和無水乙醇洗滌，干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽；獲得g-C3N4顆粒；將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系，將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液；攪拌獲得沉淀，過濾、洗滌，加入表面活性劑并進(jìn)行水熱反應(yīng)；所得沉淀過濾，獲得InVO4/g-C3N4復(fù)合材料。本發(fā)明的有益效果是：解決了InVO4納米晶的形核、生長問題，促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。
浙江大學(xué)
2021-04-13