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改進(jìn)鋁型材時(shí)效處理工藝，鋁合金的斷后伸長(zhǎng)率比普通時(shí)效工藝下變大（約15%），減小后期鋁合金彎管過程中出現(xiàn)裂紋或者斷裂的概率，也避免了工藝造成鋁合金管材容易刮擦劃傷的質(zhì)量問題；通過鋁合金成形CAE技術(shù)，選擇合理工藝參數(shù)，提高鋁合金成形質(zhì)量；采用等溫?cái)D出技術(shù)改善材料強(qiáng)度和塑性。

隨著光學(xué)器件在日常生活領(lǐng)域越發(fā)廣泛地應(yīng)用，對(duì)其新功能的需求也加大，其中高折射率材料的研究也越來越多,特別是高折射率聚合物（HRIP）。近來，由于其在高級(jí)光電制造中的潛在應(yīng)用，HRIPs已經(jīng)吸引了相當(dāng)多的關(guān)注，例如先進(jìn)顯示設(shè)備的高性能基底，用于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，光學(xué)黏合劑或密封膠材料，高級(jí)光學(xué)應(yīng)用中的減反射涂層，193-nm浸潤(rùn)蝕刻光阻劑，和微透鏡組件中的電荷耦合式裝置以及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器。然而，一般普通聚合物的折光指數(shù)的范圍在1.30～1.70之間，但是在實(shí)際應(yīng)用中要求更高的折光指數(shù)（大于1.70，甚至 1.80）。由高折射率無機(jī)納米粒子和有機(jī)高分子基體組成的納米復(fù)合材料可以輕易地獲得高的折光指數(shù)。本項(xiàng)目將高折射率的無機(jī)納米粒子炭黑、二氧化硅、二氧化鈦等添加到各種聚合物基體中，獲得高折射率光學(xué)薄膜，且通過對(duì)無機(jī)粒子和聚合物基體間的界面設(shè)計(jì)，使得無機(jī)粒子少量填充即可獲得高折射率光學(xué)薄膜。具有核心技術(shù)（自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)），發(fā)明專利1項(xiàng)，獲得上海市自然科學(xué)基金資助。

電鍍作為金屬材料的表面改性技術(shù)已經(jīng)取得了很廣泛的應(yīng)用，近年來電鍍也開始在非金屬導(dǎo)電材料的表面改性領(lǐng)域取得相當(dāng)規(guī)模的工業(yè)應(yīng)用。但高電阻率氧化物材料表面金屬鍍覆一直以來不能采用電鍍工藝，這是因?yàn)檫@類材料的電子電導(dǎo)小，電鍍液中被鍍金屬離子不能從材料表面得到電子，所以不能沉積下來。傳統(tǒng)的絕緣氧化物材料表面鍍覆金屬的方法有化學(xué)鍍、真空蒸鍍、濺射鍍、涂覆金屬漿料后再燒結(jié)等方法，各方法都有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。如含有氨水的化學(xué)鍍銀溶液不穩(wěn)定，甚至有可能生成有爆炸危險(xiǎn)的疊氮化合物。真空蒸鍍和濺射鍍有設(shè)備投資大、維護(hù)費(fèi)用較高等缺點(diǎn)，涂覆金屬漿料后再燒結(jié)的方法有金屬層厚度不均勻等缺點(diǎn)。 我們發(fā)明了一種高電阻率金屬氧化物材料表面電鍍的技術(shù)，解決了多種高電阻率金屬氧化物材料表面不能電鍍的問題。高電阻率金屬氧化物材料電鍍的基本過程是首先對(duì)氧化物材料表面進(jìn)行原子氫致電導(dǎo)改性處理，提高其表面電子電導(dǎo)，使材料表面出現(xiàn)半導(dǎo)化甚至金屬化，然后在氧化物材料表面直接電鍍金屬層。我們?cè)谶@個(gè)方向上已經(jīng)進(jìn)行了近十年的研究，發(fā)表了十幾篇學(xué)術(shù)論文，申請(qǐng)了兩項(xiàng)發(fā)明專利。      本技術(shù)適用于由氧化物功能材料制造的電子元器件表面電鍍，也適用于氧化物材料顆粒或塊體的電鍍等，所得金屬鍍層厚度均勻，與氧化物材料表面具有良好的結(jié)合力。

一種高孔隙率多孔陶瓷的制備方法，它涉及多孔陶瓷的制備方法。本發(fā)明要解決現(xiàn) 有直接發(fā)泡技術(shù)制備高孔隙率多孔陶瓷中，漿料發(fā)泡和泡沫固化過程相互分離及制備工藝復(fù) 雜的問題。本發(fā)明高孔隙率多孔陶瓷具有均勻的球狀蜂窩孔結(jié)構(gòu)單元，孔壁以多孔窗口相互連通，孔隙率可達(dá) 90%以上，制法：一、稱取原料，球磨得漿料；二、將漿料置于真空室中 除氣；三、測(cè)試漿料的過冷點(diǎn)；四、將漿料降溫，得過冷漿料；五、將過冷漿料進(jìn)行減壓發(fā) 泡與泡沫固化；六、將固化泡沫材料干燥，得陶瓷素坯；七、燒結(jié)陶瓷素坯，得高孔隙率多 孔陶瓷。本發(fā)明將漿料發(fā)泡與泡沫固化過程有機(jī)結(jié)合，工藝簡(jiǎn)單，制備的陶瓷孔隙率為 90% 以上。本發(fā)明用于制備高孔隙率多孔陶瓷

本發(fā)明公開了一種高折射率含硫聚苯并咪唑及其制備方法，其特點(diǎn)是將堿或強(qiáng)堿弱酸鹽1-138份，助劑1-20份，催化劑0.1-50份，含二氟二苯并咪唑單體486份和溶劑500-2000份加入帶有攪拌器和溫度計(jì)的反應(yīng)釜中，加入硫化物126.5-248份，在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，于溫度150-210℃脫水反應(yīng)0.5-6h，在溫度180-230℃繼續(xù)反應(yīng)0.5-12h，得到粘稠的聚合物溶液，待上述溶液溫度降至80℃時(shí)，再將反應(yīng)液倒入水中，析出線條狀沉淀；將上述線條狀聚合物經(jīng)水洗滌3次，于溫度80～120℃干燥2～8h，粉碎，分別用去離子水、乙醇萃取提純，在溫度80～120℃干燥1～20h，獲得高折射率含硫聚苯并咪唑樹脂。它具有折射率高、透光性好、熱性能優(yōu)異的優(yōu)點(diǎn)，該含硫聚苯并咪唑可用于高折射率光學(xué)微透鏡材料。

本發(fā)明公開了一種高電阻率高磁性能核殼結(jié)構(gòu)NdFeB磁粉，該發(fā)明首先將配好的原料進(jìn)行感應(yīng)熔煉，制成平均厚度為0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；將制得的速凝片進(jìn)行氫破碎，脫氫后得到粗破碎磁粉；然后在惰性氣體保護(hù)氣氛下，進(jìn)行氣流磨，得到粒度在1~6μm之間且粒度接近的磁粉；然后將磁粉放入管式爐中，通入流速為50~300mL/min的氨氣加熱到300~400oC并且保溫5~30min后隨爐冷卻。保溫和隨爐冷卻時(shí)繼續(xù)通入氨氣，即可得到核殼結(jié)構(gòu)的NdFeB磁粉。該磁粉由于氮化層的隔絕效果，具有電阻率高、耐腐蝕性強(qiáng)、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化層厚度可控以及氮化層包覆均勻等特點(diǎn)。

該研究利用水浴提拉法制備了雙層定向排列Ag NWs網(wǎng)絡(luò)。基于該網(wǎng)絡(luò)的柔性傳感器可以實(shí)現(xiàn)不同變形行為的在線監(jiān)測(cè)。基于該傳感器制備了實(shí)時(shí)手勢(shì)探測(cè)器，在計(jì)算機(jī)中對(duì)手勢(shì)進(jìn)行重建，為虛擬與現(xiàn)實(shí)交互提供了可能性。該研究成果已經(jīng)在SCIENTIC REPORTS 上成功發(fā)表，并入選該期刊年度下載次數(shù)Top 100。

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產(chǎn)品詳細(xì)介紹     【1路高清+2路高清SDI采集卡】     【應(yīng)用領(lǐng)域】 1、教育課件錄制、多媒體錄播錄像、會(huì)議錄制、視頻會(huì)議，遠(yuǎn)程教育培訓(xùn)； 2、大屏幕拼接、電視墻行業(yè)、虛擬演播室、虛擬現(xiàn)實(shí)、工控、游戲機(jī)等設(shè)備； 3、安檢 X 光機(jī)、雷達(dá)圖像信號(hào)、VDR紀(jì)錄儀；   【產(chǎn)品特點(diǎn)】 · 可同時(shí)采集1路通用高清視頻信號(hào)，2路SD/HD/3G-SDI模擬雙聲道音頻信號(hào)。 · VGA輸入信號(hào)可達(dá)640×400-2048×1536，像素率低于170MHz即可。 · VGA接口可以通過轉(zhuǎn)接線纜采集分量信號(hào)。 · 微軟AVStream標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)，可支持大部分Windows上的多媒體視頻軟件或流媒體軟件。   【高級(jí)特性】 · 高性能DMA傳輸功能。 · VGA輸入支持自動(dòng)輸入視頻格式偵測(cè)，自動(dòng)視頻有效區(qū)域偵測(cè)，自動(dòng)VGA采集相位調(diào)節(jié)。 · VGA信號(hào)提供安全模式，支持采集最大行采樣數(shù)小于等于4095內(nèi)的VGA信號(hào)。 · 支持手工設(shè)定有效畫面區(qū)域功能，可用于畫面的剪裁和對(duì)特殊輸入信號(hào)時(shí)序的支持。 · 支持多階畫面縮放功能，具有三種針對(duì)畫面寬高比的縮放模式。 · 支持垂直濾波和運(yùn)動(dòng)自適應(yīng)去隔行功能。 · 硬件色彩轉(zhuǎn)換，可輸出RGB24，RGB32，YUY2，UYVY，I420色彩格式。 · VGA輸入支持色彩調(diào)節(jié)功能，可調(diào)節(jié)畫面的對(duì)比度、亮度、色彩飽和度、色相、Gamma;并可單獨(dú)調(diào)節(jié)R，G，B三色的亮度、對(duì)比度。 · 支持畫面水平、垂直反轉(zhuǎn)功能。   【產(chǎn)品規(guī)格】 幾何尺寸：117mm x94.67mm 主機(jī)接口：PCI-Express x4, Half-length,*700MB/s 傳輸帶寬 輸入接口： 1個(gè)DVI-I 接口 (可轉(zhuǎn)接HDMI，VGA，YPbPr) 2個(gè)BNC接口 (接 2 路SD/HD/3G-SDI信號(hào)) 最大采樣率：CVBS：54MHz (4x Oversampling) RGB/分量：170MHz HDMI/DVI：225MHz SDI最大采樣速率：3G 板載內(nèi)存：256MB DDR2，工作頻率為 160 Mhz，位寬64bit VGA輸入格式：640x400-2048x1536，像素率低于170MHz即可 分量輸入格式：480i、576i、480p，576p，720p，1080i，1080p HDMI輸入格式： 符合HDMI 1.3 標(biāo)準(zhǔn)，支持36bit DeepColor CVBS輸入格式 標(biāo)準(zhǔn)PAL/NTSC SDI輸入格式 SD/HD/3G-SDI，符合SMPTE-259/274/296/372/424/425/292標(biāo)準(zhǔn) 輸出圖像格式大小：40x30-2048x1536，幀率： 1-100 fps，色彩：YUY2, UYVY, RGB24, RGB32, I420 操作系統(tǒng)支持：Windows? XP Professional, Windows? Server 2003, Windows Vista?, Windows? Server 2008 and Windows? 7 (x86) 功耗：<= 8W  

本實(shí)用新型提供一種移動(dòng)式可視化高含水率淤泥泥水分離裝置，包括脫水裝置，滲透排水裝置，水 分收集裝置和移動(dòng)裝置，所述的脫水裝置包括一個(gè)上端開口的脫水槽，所述的脫水槽包括四塊周向設(shè)置 的側(cè)板和一塊水平設(shè)置的與側(cè)板連接的底板;所述的滲透排水裝置包括土工布、透水層和支撐板;所述 的水分收集裝置包括排水槽、透水板和儲(chǔ)水容器。本實(shí)用新型針對(duì)高含水率淤泥流動(dòng)性強(qiáng)而難以成型問 題，能將淤泥中過量水分有效分離，進(jìn)而