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一種基于叉指電極的高分子層內(nèi)剪切取向測量方法
本發(fā)明屬于高分子取向測量的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于叉 指電極的高分子層內(nèi)剪切取向測量方法，包括如下步驟：S1 將一對叉 指電極探頭緊貼于待測材料表面；S2 設(shè)置叉指電極的探測深度并測試 待 測 材 料 在 不 同 深 度 位 置 上 兩 個 方 向 的 電 容 信 號 大 小 <img file=""DDA0001338868720000011.GIF"" wi=""75"" he=""69"" />和<img
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種具有優(yōu)異韌性的高分子基復(fù)合材料及其制備方法
本發(fā)明公開了一種高分子基軟硬交替多層復(fù)合材料及其制備方法，該復(fù)合材料由高分子基脆性層和高分子基韌性層交替層合構(gòu)成，形成軟硬交替的多層雙連續(xù)結(jié)構(gòu)。韌性層和脆性層為同一種高分子基體，韌性層是指在脆性層基體中加入增韌劑進行增韌改性，這樣保證脆性層脆性大韌性差，韌性層脆性小韌性好。在受外界沖擊過程中，脆性層和韌性層相互支撐，各自提供材料的韌性和剛性。因此該發(fā)明制備了具有優(yōu)異韌性且剛性有效提高的高分子基復(fù)合材料。本發(fā)明的高分子基軟硬交替多層復(fù)合材料的層數(shù)和層厚可控，配方可調(diào)；復(fù)合材料的力學(xué)性能優(yōu)良；方法簡單，可連續(xù)批量生產(chǎn)，生產(chǎn)成本低，可廣泛應(yīng)用于制備具有優(yōu)異韌性的高分子基板材、片材以及膜材料。
四川大學(xué)
2017-12-28
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一種基于天然高分子的兩性絮凝劑及其制備方法
本發(fā)明涉及一種基于天然高分子的兩性絮凝劑及其制備方法，屬于有機高分子材料和水處理絮凝劑技術(shù)領(lǐng)域。它采用陽離子的殼聚糖和陰離子的木質(zhì)素或黃腐酸為原料，在一定反應(yīng)條件下通過接枝共聚制備出基于殼聚糖、木質(zhì)素或黃腐酸的天然高分子絮凝劑。本發(fā)明制得的天然高分子絮凝劑為略帶棕色的白色顆粒。該制備方法的主要特點是反應(yīng)條件溫和，工藝簡單。原料采用來源豐富價格低廉的天然高分子，合成的絮凝劑無毒、環(huán)保、適合各種電鍍廢水、染料廢水和城市污水的處理。社會效益:環(huán)保，無污染經(jīng)濟效益：在水處理行業(yè)中成本更低
青島大學(xué)
2021-04-13
人才需求：化工、高分子材料等領(lǐng)域，技術(shù)、研發(fā)等方面的人才。
化工、高分子材料等領(lǐng)域，技術(shù)、研發(fā)等方面的人才。
山東兄弟科技股份有限公司
2021-08-31
人才需求：對高分子化學(xué)有一定的理論基礎(chǔ)
對高分子化學(xué)有一定的理論基礎(chǔ)
煙臺永盛金屬涂印有限公司
2021-08-31
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一種高電阻率高磁性能核殼結(jié)構(gòu)NdFeB磁粉及用途
本發(fā)明公開了一種高電阻率高磁性能核殼結(jié)構(gòu)NdFeB磁粉，該發(fā)明首先將配好的原料進行感應(yīng)熔煉，制成平均厚度為0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；將制得的速凝片進行氫破碎，脫氫后得到粗破碎磁粉；然后在惰性氣體保護氣氛下，進行氣流磨，得到粒度在1~6μm之間且粒度接近的磁粉；然后將磁粉放入管式爐中，通入流速為50~300mL/min的氨氣加熱到300~400oC并且保溫5~30min后隨爐冷卻。保溫和隨爐冷卻時繼續(xù)通入氨氣，即可得到核殼結(jié)構(gòu)的NdFeB磁粉。該磁粉由于氮化層的隔絕效果，具有電阻率高、耐腐蝕性強、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化層厚度可控以及氮化層包覆均勻等特點。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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負低老化率負溫度系數(shù)熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法
本發(fā)明公開了一種負低老化率負溫度系數(shù)熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法，該熱敏電阻器陶瓷材料的名義化學(xué)組成為Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以組成陽離子的氧化物為起始原料，球磨，經(jīng)過多次煅燒，加入有機粘結(jié)劑造粒成型后，燒制而成，燒成片狀樣品后，兩端面上銀電極，電極燒滲后，在富氧環(huán)境下將樣品無電極處覆蓋柱面處用中溫玻璃釉封接。通過所述制備工藝所制備的熱敏電阻器陶瓷材料，在25°C的電阻率為3-1000Ω·m,25-85°C溫區(qū)的B值為3000-4000K,150°C
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12
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解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質(zhì)量的層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體完整的電子能帶結(jié)構(gòu)信息，測得了電子有效質(zhì)量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關(guān)鍵物理參量。?
北京大學(xué)
2021-04-11
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甲基硅氧烷大氣轉(zhuǎn)化導(dǎo)致低揮發(fā)性物種及高產(chǎn)率甲醛的形成
該研究發(fā)現(xiàn)一種新的過氧自由基自氧化機制，闡明甲基硅氧烷大氣轉(zhuǎn)化會生成甲醛，增加其釋放的環(huán)境風(fēng)險。該研究不僅拓展了對大氣過氧自由基化學(xué)的理解，還為甲基硅氧烷環(huán)境行為模擬和風(fēng)險評估提供了重要的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。
大連理工大學(xué)
2021-01-12
一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構(gòu)成的一層圖案化陽極和一層平面金屬納膜陰極/陽極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學(xué)介質(zhì)層的兩個外表面上；在加電態(tài)下，圖案化陽極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽極間形成局域彎曲的銳化電場陣，陰極/陽極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的陣列化納電場驅(qū)控，向各納電場中電場強度最強部位聚集。本發(fā)明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學(xué)
2021-04-14