高等教育領域數字化綜合服務平臺
北京大學
教育部
- 134 高校采購信息
- 458 科技成果項目
- 2 創新創業項目
- 0 高校項目需求
解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構
2021-04-11 00:00:00
云上高博會
http://www.74jv82s.xyz
關鍵詞：
層狀Bi2O2Se半導體
所屬領域:
項目成果/簡介:
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質量的層狀Bi2O2Se半導體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導體完整的電子能帶結構信息，測得了電子有效質量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關鍵物理參量。
?
項目階段:
掃碼關注，查看更多科技成果
取消
確定