|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種溴鉛銫單晶制備方法
本發明公開了一種溴鉛銫單晶制備方法，采用鍍有碳膜的具有 圓錐形尖端的安瓿裝載溴鉛銫粉料，具體包括如下步驟：將安瓿抽真 空密封；對安瓿按其圓錐形尖端到溴鉛銫粉料頂端的方向梯度加溫， 使置于安瓿中的溴鉛銫粉料充分熔化；對安瓿緩速降溫，直到溴鉛銫 粉料頂端的溫度比溴鉛銫的凝固點低 0～5℃后保溫，完成溴鉛銫單晶 生長；對溴鉛銫單晶分階段降溫：第一階段快速降溫，使溴鉛銫單晶 快速冷卻；第二階段慢速降溫，實現溴鉛銫單晶晶體相變
華中科技大學
2021-04-14
一種磁隧道結及其制備方法
本發明公開了一種磁隧道結及其制備方法。磁隧道結包括第一 電極層，以及依次形成在第一電極層上的第一磁性層、絕緣隧穿層、 第二磁性層和第二電極層；第一磁性層和第二磁性層至少其中之一為 CoFe(R)/FePt 結構；CoFe(R)/FePt 結構由 CoFe(R)層和 FePt 層疊加而 成，CoFe(R)層較 FePt 層靠近所述絕緣隧穿層；CoFe(R)層的材料為摻 入 R 的 CoFe，R 為 B、Al 和 Ni 至少其中之一。
華中科技大學
2021-04-14
一種頸椎按摩儀及其控制方法
本發明公開一種頸椎按摩儀，包括按摩頭驅動裝置和固定裝置，按摩頭驅動裝置包括按摩頭、楔行滑塊、楔行滑塊驅動電機、按摩頭裝置驅動電機；按摩頭上下移動用于對頸椎施加力的作用，楔行滑塊驅動電機驅動楔行滑塊前后移動，從而使按摩頭上下移動，按摩頭裝置驅動電機用于驅動按摩頭裝置水平方向移動從而按摩不同的頸椎關節；固定裝置包括頭部固定帶、頸部提升塊、肩部固定塊，分別用來固定頭部、頸部和肩部的位置，從而使按摩頭能準確的依次對各個頸
華中科技大學
2021-04-14
一種人工氣候室控制方法
本發明是一種人工氣候室的控制方法，通過傳感器元件實時檢測氣候室內部的溫度、濕度，并用濾波器對信號進行濾波處理，濾除外界或傳感器干擾帶來的信號擾動。然后在考慮光照產熱作用的情況下，控制器采用帶預測的滯后魯棒控制處理算法，穩定、準確地控制氣候室內部的溫度、濕度，采用燈光分級前饋的方法直接設定光照度，最后通過執行器作用于人工氣候室。該控制方法采用最少的操作動作，在最小能耗下實現人工氣候室溫度、濕度及光照的高效控制。
華中科技大學
2021-04-14
一種非金屬雜質檢測方法
本發明公開了一種非金屬雜質檢測方法，包括以下步驟:1)將 平板電容器與直流電源連接，使平板電容器的兩電極板之間形成穩定 電場;將平板電容器與信號處理裝置連接，以在信號處理裝置中顯示 平板電容器的電容值的信號波形;2)使被測導磁件從平板電容器的兩 電極板之間通過;3)觀察信號處理裝置中獲得的平板電容器的電容值 的信號波形是否存在突變區域，以判斷被測導磁件上是否存在非金屬 雜質。本發明通用性強，信號處理裝置集成信號讀取和輸出功能，用 于檢測雜質的裝置具有體積小、重量輕、通用性強、造價低等優點， 能極好地
華中科技大學
2021-04-14
一種非金屬雜質檢測方法
本發明公開了一種非金屬雜質檢測方法，包括以下步驟：1)將 平板電容器與直流電源連接，使平板電容器的兩電極板之間形成穩定 電場；將平板電容器與信號處理裝置連接，以在信號處理裝置中顯示 平板電容器的電容值的信號波形；2)使被測導磁件從平板電容器的兩 電極板之間通過；3)觀察信號處理裝置中獲得的平板電容器的電容值 的信號波形是否存在突變區域，以判斷被測導磁件上是否存在非金屬 雜質。本發明通用性強，信號處理裝置集成信號讀取和輸出功能，用 于檢測雜質的裝置具有體積小、重量輕、通用性強、造價低等優點， 能極好地
華中科技大學
2021-04-14
一種心電信號降噪方法
本發明公開了一種心電信號降噪方法，包括以下步驟：(1)對原始心電信號進行均值濾波，計算每一信號點的梯度值 gi 及衰減系數 hi并判斷該信號點為邊緣信號點或非邊緣信號點；(2)對原始心電信號的進行非部均值降噪，得到非局部均值預濾波結果；(3)對步驟(2)中獲得的非局部均值預濾波結果，根據步驟(1)獲得的梯度值 gi 結果修正。本發明對不同的心電信號波段，自適應調整衰減系數，有效抑制心電信號中噪聲的同時更好地保護信號細節，濾波效果良好。
華中科技大學
2021-04-14
一種生物電極及其制備方法
本發明公開了一種生物電極及其制備方法。所述生物電極包括絕緣外殼和電極線，所述電極線包括多個工作電極線、一個或多個參比電極線和對電極線，所述電極線側表面包覆有絕緣蠟，樹脂封裝于絕緣外殼中，所述外殼尖端開口，其尖端開口口徑在 0.4mm 至 2mm之間，所述電極線的檢測端通過所述開口與待測生物樣本接觸。其制備方法包括以下步驟：(1)將絕緣蠟溶解于易揮發的有機溶劑中得到絕緣液，均勻涂覆在電極線側表面，待有機溶劑揮發；(2)將電極線同時插入絕緣外殼中，將樹脂灌入外殼，固化后，將外殼尖端打磨光滑。本發明提供的
華中科技大學
2021-04-14
低導通電阻 VDMOS 器件及制備方法
本發明公開了一種低導通電阻 VDMOS 器件及制備方法，在傳統的 VDMOS 器件結構中引入一塊與 源區摻雜雜質相同的摻雜區。該摻雜區位于柵氧層正下方且與基區和柵氧層緊密接觸。相應地，新摻雜 區上方的柵極采用中空結構。本發明 VDMOS 器件可有效降低溝道導通電阻和頸區電阻，從而降低 VDMOS 器件的導通電阻；同時，采用中空結構的柵極既可避免新摻雜區對擊穿電壓的影響，也可降低 柵極與漏極間結電容，提高 VDMOS 的開關速度。本發明方法工藝簡
武漢大學
2021-04-14
基于移動協助的延遲容忍網絡路由方法
本發明涉及基于移動協助的延遲容忍網絡路由方法。在網絡模型建立階段，本發明在網絡中設置了緩沖區、緩存節點以及按照某種固定軌跡移動的基站。普通的傳感器節點進行數據的收集，然后節點將數據轉發至位于緩沖區域內固定設置的緩存節點。移動基站在緩沖區域內按照特定的軌跡周期性地移動，并在移動的過程中收集緩存節點的數據。在設計基站的移動軌跡時，通過均衡移動基站軌跡內的節點和軌跡外的節點將數據轉發至基站的傳輸延遲與能量消耗進行設計。在數據路由階段，本發明在該網絡模型下的數據路由中，同時考慮了節點的運動狀態和節點的剩余能量。通過利用移動協助的網絡模型以及合理的數據路由，有效的延長了網絡壽命和數據傳輸成功率。
四川大學
2016-10-11