低導(dǎo)通電阻 VDMOS 器件及制備方法
本發(fā)明公開了一種低導(dǎo)通電阻 VDMOS 器件及制備方法,在傳統(tǒng)的 VDMOS 器件結(jié)構(gòu)中引入一塊與 源區(qū)摻雜雜質(zhì)相同的摻雜區(qū)。該摻雜區(qū)位于柵氧層正下方且與基區(qū)和柵氧層緊密接觸。相應(yīng)地,新?lián)诫s 區(qū)上方的柵極采用中空結(jié)構(gòu)。本發(fā)明 VDMOS 器件可有效降低溝道導(dǎo)通電阻和頸區(qū)電阻,從而降低 VDMOS 器件的導(dǎo)通電阻;同時(shí),采用中空結(jié)構(gòu)的柵極既可避免新?lián)诫s區(qū)對擊穿電壓的影響,也可降低 柵極與漏極間結(jié)電容,提高 VDMOS 的開關(guān)速度。本發(fā)明方法工藝簡
武漢大學(xué)
2021-04-14