|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發明專利/實用新型/：發明授權 簡介：本發明公開了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產生沉淀物，將獲得的沉淀經洗滌、過濾、 干燥、煅燒制成單分散超細氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經模壓成型和冷等靜壓強化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐
華中科技大學
2021-04-14
用于預測多元拼合靶材制備的薄膜成分的預測方法
一種用于預測多元拼合靶材制備的薄膜成分的預測方法
一、項目分類
顯著效益成果轉化
二、成果簡介
現有物理氣相沉積（PVD）制備多元薄膜材料采用合金靶材作為靶源，生產過程中，薄膜成分的調控范圍受安裝的合金靶材的成分比例的限制。如果預期獲得納微復雜結構的復合薄膜，按照常規技術路線需要上百塊成分連續變化的合金靶材，這顯然是無法實現的。同時，采用合金靶材制備某些多元薄膜時，需要特高純度的或極端成分比例的靶材作為靶源，這類特殊靶材以現有技術難以制造。
為此，本發明研發出一種用于預測多元拼合靶材制備的薄膜成分的預測方法，利用本發明技術有助于新材料的研發和促進半導體器件、切削刀具涂層等高新技術的發展。
武漢理工大學
2022-08-12
高精度陶瓷增材制造裝備與工藝研究
面向大尺寸高精度陶瓷及其復合材料復雜形狀結構的成形，基于面曝光技術，開發了專用大尺寸陶瓷增材制造成形裝備及相關工藝。
技術特征
基于面曝光技術的陶瓷預制體成形設備可成形ZrO2、Al2O3陶瓷預制體，利用微透鏡陣列聚焦及光斑微偏移技術，分辨率可提升到37.5μm，結合收縮預測技術，大大提高陶瓷成形精度，成形尺寸達270mm×300mm×450mm，成形相對精度達到±1%，同時配套研發了無缺陷脫脂與燒結工藝，燒結樣件致密度可達97%。
南京航空航天大學
2021-05-11
高精度陶瓷增材制造裝備與工藝研究
面向大尺寸高精度陶瓷及其復合材料復雜形狀結構的成形，基于面曝光技術，開發了專用大尺寸陶瓷增材制造成形裝備及相關工藝。技術特征基于面曝光技術的陶瓷預制體成形設備可成形ZrO2、Al2O3陶瓷預制體，利用微透鏡陣列聚焦及光斑微偏移技術，分辨率可提升到37.5μm，結合收縮預測技術，大大提高陶瓷成形精度，成形尺寸達270mm×300mm×450mm，成形相對精度達到±1%，同時配套研發了無缺陷脫脂與燒結工藝，燒結樣件致密度可達97%。應用范圍:該項目研發了高精度結構陶瓷復雜結構成形的增材制造裝備，并開展了相關工藝的研究，解決了工程陶瓷材料難以成形復雜結構的難題。項目所涉及技術可成功制備低介陶瓷無源器件、仿生多孔結構與吸波超結構等，可在航空航天、衛星、雷達等領域得到廣泛的應用。
南京航空航天大學
2021-04-10
增材制造納米陶瓷牙材料、工藝和裝備系統
從底層材料設計出發制備性能優異的可打印氧化鋯漿料，研制快速高質量立體光固化打印系統，優化脫脂燒結工藝流程，實現機械性能優異、生物相容性極佳、美觀性良好的氧化鋯陶瓷快速、低成本打印制造。
一、項目分類
顯著效益成果轉化
二、成果簡介
制備較低粘度、高固含量的氧化鋯漿料和優化的脫脂、燒結過程成為光固化成型技術的關鍵步驟。為解決以上問題，推動增材制造氧化鋯在口腔臨床中的應用，申報人團隊從底層材料設計出發制備性能優異的可打印氧化鋯漿料，研制快速高質量立體光固化打印系統，優化脫脂燒結工藝流程，實現機械性能優異、生物相容性極佳、美觀性良好的氧化鋯陶瓷快速、低成本打印制造。
中山大學
2022-08-15
納米級氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的制備
氧化銦錫（indium-tin-oxide）簡稱ITO，ITO靶材是一種功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明導電膜玻璃。以金屬銦、錫為原料采用共沉淀法制備出納米級ITO復合粉體。粉體造粒成型后分別采用加壓和常壓燒結法制備出相對理論密度大于99.5%、氧化銦單一相的ITO靶材。 粉體純度大于99.99%、顆粒分散性好，粒徑10nm—80nm之間可控，BET比表面積30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相對理論密度99.5%。 威海市藍狐特種材料有限公司已采用該技術建設年產20噸納米級氧化銦錫復合粉體生產線，采用該粉體燒制的ITO靶材相對理論密度達到99%以上。國內相對理論密度大于99%的ITO靶材主采用進口產品。 金屬銦、錫是我國的優勢資源，生產設備都是定型通用設備，年產20噸納米級氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的生產廠需要人員50名。納米級氧化銦錫粉體制備已建設年產20噸生產線。高密度ITO靶材的制備已完成實驗室小試。
北京化工大學
2021-02-01
一種高擇優取向細晶超高純鋁靶材的制備方法
本發明涉及金屬材料加工技術領域，具體涉及一種高擇優取向細晶超高純鋁靶材的制備方法。包括以下步驟：將超高純鋁板材于５０℃～３００℃下熱軋，道次壓下量控制在４０％～５０％；將熱軋后的超高純鋁板材在１００～３００℃溫度下保溫０～１小時；然后進行冷軋，道次壓下量控制在４０％～５０％，通過對板材進行道次間空冷、水冷以及冰水冷卻控制板材軋制過程的溫升，抑制板材的
東南大學
2021-04-14
高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性 好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11
一種基于陶瓷材料的增材制造成形裝置及方法
本發明公開了一種基于陶瓷材料的增材制造成形裝置，其特征 在于，該裝置包括：光固化機構、傳動機構以及擠出回抽機構，所述 光固化機構設于所述擠出回抽機構的一端，所述傳動機構設于所述擠 出回抽機構的另一端；其中，所述光固化機構包括調光器(15)、紫外線 燈固定盤(16)和紫外固化燈(17)；所述擠出回抽機構包括噴嘴(1)、噴嘴 連接件(2)、螺桿(3)、料筒(4)及料斗(6)；所述傳動機構包括電機(12)和 聯軸器(11)
華中科技大學
2021-04-14
智能健身游戲拳擊靶
成果簡介智能健身游戲拳擊靶將現代電子技術與體育運動器材拳擊靶相結合， 可提供拳擊力度、 頻度、 準確度等參數的測量與顯示， 進行等級評價并語音播報， 避免了傳統訓練時的盲目性和枯燥、 單調性， 可以幫助訓練者合理、 科學地制定健身方案， 提高訓練效率。 適用于職業拳擊手和業余愛好者。設計原理： 在拳擊靶內嵌入一個壓力傳感器， 并采用無線發送壓力傳感器的采集的數據， 交給中央控制器處理、 分析， 計算出拳擊的力度、 平均值、 歷史最高值以及擊打的頻率。 功能選擇按鍵部分，
安徽工業大學
2021-04-14