葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

廈門光莆電子股份有限公司成立于1994年，總部坐落于國(guó)家半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)基地之一的美麗廈門，是一家從事LED照明及光電傳感器和智能控制模組的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的技術(shù)先導(dǎo)型企業(yè)、國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。公司注冊(cè)資本18298.2997萬元，擁有120000平方米的生產(chǎn)基地，現(xiàn)有員工1000多人，2018年末實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入7.75億元，實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)1.38億元。 2017年4月，公司在深交所創(chuàng)業(yè)板上市（股票代碼：300632）。 公司是國(guó)內(nèi)最早的LED制造企業(yè)之一，始終秉承“用專業(yè)的心做專業(yè)的事”的理念，緊跟國(guó)際先進(jìn)技術(shù)及品質(zhì)發(fā)展趨勢(shì)，堅(jiān)持自主開發(fā)，注重前瞻性的技術(shù)開發(fā)儲(chǔ)備及集成技術(shù)的深入研究，并持續(xù)優(yōu)化在研發(fā)、制造、品質(zhì)、客戶服務(wù)等方面與國(guó)際級(jí)客戶需求契合度，逐漸贏得了全球通用照明行業(yè)及顯示器領(lǐng)域知名企業(yè)的認(rèn)可。經(jīng)過多年的磨練，公司在品質(zhì)管理及產(chǎn)品工藝技術(shù)方面具有深厚的技術(shù)沉淀，已獲得140多項(xiàng)（含歐盟）授權(quán)專利，通過了ISO、TS、BSCA等一系列管理體系認(rèn)證。公司的LED封裝器件市場(chǎng)不良率低于5PPM，處于國(guó)際較高標(biāo)準(zhǔn)水平，LED燈具主要產(chǎn)品先后通過3C、CQC、CE、UL、SAA等100余項(xiàng)國(guó)際認(rèn)證。公司主導(dǎo)或參與了多項(xiàng)國(guó)標(biāo)、行標(biāo)和省標(biāo)的編制，先后承擔(dān)過國(guó)家火炬計(jì)劃、國(guó)家創(chuàng)新基金計(jì)劃、國(guó)家重點(diǎn)新產(chǎn)品等十多項(xiàng)國(guó)家級(jí)計(jì)劃項(xiàng)目，先后獲得過廈門市科技進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)和福建省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)，是福建省LED封裝工程技術(shù)研究中心，廈門市企業(yè)技術(shù)中心、國(guó)際權(quán)威認(rèn)證機(jī)構(gòu)TUV萊茵和TUV南德授權(quán)實(shí)驗(yàn)室的依托單位。  

310mm×250mm×280mm，偏振片一對(duì)，不同部位用不同的層數(shù)，顯示不同的彩色。

CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計(jì)可達(dá)到0.3$/W。 本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導(dǎo)體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構(gòu)成淺埋式 p-n 結(jié)。太陽光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結(jié)的自建電場(chǎng)分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預(yù)置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學(xué)水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導(dǎo)電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。

CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長(zhǎng)等特 點(diǎn)，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計(jì)可達(dá)到 0.3$/W。 本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導(dǎo)體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構(gòu)成淺埋式 p-n 結(jié)。太陽光照射在電池 上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結(jié)的自建電場(chǎng)分離，從而輸出電能。工藝 流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預(yù)置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學(xué)水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導(dǎo)電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積，等。 

CdTe薄膜的表面腐蝕及用此法制備CdTe太陽電池，屬于半導(dǎo)體器件加工領(lǐng)域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去離子水的混合液作為腐蝕液，其中，NaAc作為緩沖劑，以保持溶液的pH值不變，使反應(yīng)更穩(wěn)定，通過CdTe和硝酸發(fā)生反應(yīng)生成富碲層；清洗吹干后，沉積含Cu或不含Cu背接觸層，最后沉積背電極以制備CdTe太陽電池。沉積背接觸材料，可增加pn結(jié)附近的載流子濃度，降低肖特基勢(shì)壘高度，避免直接沉積Cu形成比較復(fù)雜的CuxTe結(jié)構(gòu)。采用這種方法腐蝕并制備CdTe太陽電池，可顯著提高太陽電池的性能，并保證器件性能的穩(wěn)定性和重復(fù)性。

一種兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法，工藝步驟包括制備過渡層、制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜、鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理；鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理是將鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜放入退火爐內(nèi)，在氧氣流中以40℃/秒的升溫速率升溫至800℃～850℃后即刻停止加熱，使其隨爐冷卻至500℃～600℃保溫3分鐘～5分鐘，然后隨爐冷卻至室溫。采用上述方法制備的鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜鈣鈦礦相純度可達(dá)100％，結(jié)晶性能好，表面均方根粗糙度較低，而且還具有剩余極化強(qiáng)度高和高度擇優(yōu)取向的特點(diǎn)。

聲表面波瓦斯傳感器具有體積小、靈敏度高、工作穩(wěn)定、生產(chǎn)成本低、易于集成化和無線化等獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，能夠有效解決熱催化式瓦斯傳感器的零點(diǎn)漂移、定期維護(hù)難和維護(hù)費(fèi)用高等問題，并且能彌補(bǔ)光學(xué)瓦斯傳感器的占用空間大、傳感占距長(zhǎng)和傳感分析復(fù)雜等不足，能有效提高煤礦瓦斯檢測(cè)和預(yù)警技術(shù)，保證煤礦安全。成果獲 2012 西安市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)；獲批國(guó)家實(shí)用新型專利 1 項(xiàng)。

本發(fā)明屬于納米薄膜材料制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術(shù)和納米膜卷曲技術(shù)，先制備單質(zhì)Fe的納米膜卷曲管結(jié)構(gòu)，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡(jiǎn)單，操作方便，原理科學(xué)，無污染，環(huán)境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長(zhǎng)度能達(dá)到幾百微米。本發(fā)明在新能源、氣敏、催化、等領(lǐng)域具有重要用途。

本發(fā)明公開了一種雙路電控納線簇電極的電調(diào)光透射薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納線簇高密度排布構(gòu)成的圖案化公共電極以及分布在其上端和下端的頂面陰極和底面金屬納膜陰極，頂面陰極和圖案化公共電極均由透光的納米厚度的同材質(zhì)膜制成，底面金屬納膜陰極由納米厚度的金屬膜制成；頂面陰極和圖案化公共電極以及圖案化公共電極與底面金屬納膜陰極間均填充有納米厚度的同材質(zhì)光學(xué)介質(zhì)材料。本發(fā)明雙路電控納線簇電極的電調(diào)光透射薄膜，可對(duì)入射光

本發(fā)明公開了一種同時(shí)制備石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，包括 S1 對(duì)金屬鎳片襯底進(jìn)行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2向管式爐中通入惰性氣體；S3 對(duì)管式爐進(jìn)行升溫處理使其達(dá)到750℃～1000℃并保持 10 分鐘～50 分鐘，向管式爐中通入氫氣，并對(duì)金屬鎳片襯底進(jìn)行熱處理；S4 向管式爐中通入流量為 20sccm～100sccm 的碳?xì)浠衔铮沟媒?jīng)過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳?xì)浠衔锪呀庖约版嚻芴己笸瑫r(shí)生長(zhǎng)石墨烯和非晶碳薄膜；S5 對(duì)管式爐進(jìn)行降溫處理，并將生長(zhǎng)有石墨烯和非晶碳薄膜的鎳片