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GPS/BDS衛(wèi)星授時(shí)芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)具有定位和授時(shí)功能，該項(xiàng)目專注于普通民用衛(wèi)星授時(shí)市場(chǎng)，研發(fā)衛(wèi)星授時(shí)專用芯片。由于省去了定位計(jì)算，與常用的衛(wèi)星導(dǎo)航芯片相比，在授時(shí)應(yīng)用時(shí)，該芯片的成本、功耗均可節(jié)約75%以上。芯片支持GPS和BDS，授時(shí)精度優(yōu)于20ms，可廣泛應(yīng)用于普通家用電子鐘、車載電子鐘、電子廣告牌、計(jì)時(shí)收費(fèi)設(shè)備、智能電表、工業(yè)自動(dòng)化控制及智慧農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域。 芯片可提供24個(gè)時(shí)區(qū)格林威治時(shí)間，無(wú)需用戶進(jìn)行時(shí)區(qū)換算；提供年月日時(shí)分秒星期及中國(guó)的陰歷，免去了萬(wàn)年歷的換算；具有守時(shí)功能，無(wú)需額外授時(shí)電路；提供
北京交通大學(xué)
2021-04-14
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集成低電壓電泳生化分析系統(tǒng)芯片
深入了研究低電壓芯片電泳的理論原理和控制方法，開(kāi)展了低電壓電泳分離檢測(cè)相關(guān)基礎(chǔ)理論與關(guān)鍵加工技術(shù)的研究。通過(guò)芯片微流道中流體的電場(chǎng)和流場(chǎng)等的模擬分析，對(duì)低電壓電泳芯片進(jìn)行了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提出集成非接觸高頻電導(dǎo)檢測(cè)器的硅基低電壓電泳芯片和玻璃基低電壓電泳芯片的新結(jié)構(gòu)；突破了SOI硅基芯片側(cè)壁微電極陣列及其與高頻非接觸電導(dǎo)檢測(cè)器一體化三維集成等關(guān)鍵加工技術(shù)，研發(fā)出基于SOI的集成低電壓電泳芯片和集成光學(xué)濾色薄膜的玻璃基低電壓電泳芯片的兩套加工工藝；成功研制出柱端集成非接觸高頻電導(dǎo)檢測(cè)器的兩種低電壓電泳芯片
重慶大學(xué)
2021-04-14
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一種柔性視網(wǎng)膜芯片及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種柔性視網(wǎng)膜芯片。頂層和底層聚合物薄膜之間設(shè)置有規(guī)則分布的硅島和通孔，硅島內(nèi)含有用于模擬生理性功能的功能單元，通孔與硅島交錯(cuò)分布，硅島與頂層聚合物薄膜之間設(shè)置有引線層；底層聚合物薄膜上的空隙處與頂層聚合物薄膜緊密粘合于一起；電極為功能單元的一部分、或者位于頂層聚合物薄膜或底層聚合物薄膜上。該芯片采用 MEMS 工藝流程化制作，實(shí)現(xiàn)了微功能單元和柔性基底的集成。本發(fā)明芯片表面布有密集的通孔，形成鏤空格柵狀，有利于芯片上下層組織間營(yíng)養(yǎng)物和代謝物的交流，保證了生物功能的完整性，保證整個(gè)視網(wǎng)膜
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)裝置
本發(fā)明公開(kāi)了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)裝置，其包括:工作 臺(tái)模塊、收光測(cè)試組件、運(yùn)輸傳輸組件、探針測(cè)試平臺(tái)、精密對(duì)準(zhǔn)系 統(tǒng)，其中，在工作中，運(yùn)輸傳送系統(tǒng)可以運(yùn)輸盤片工作臺(tái)到合適的工 作區(qū)域，調(diào)整位姿之后，啟動(dòng)探測(cè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)對(duì)探針工作臺(tái)進(jìn)行控制， 使探針與待測(cè)試的芯片接觸通電，使芯片發(fā)亮，從而收光測(cè)試組件可 以對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)。按照本發(fā)明的機(jī)械結(jié)構(gòu)，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機(jī)和發(fā)光面不同側(cè)的問(wèn)題，并且采用了精密圖像運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)， 實(shí)現(xiàn)了倒裝 L
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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高光效黃光LED材料與芯片制造技術(shù)
中心通過(guò)“裝備與工藝的協(xié)同創(chuàng)新”，創(chuàng)新發(fā)展了具有自主產(chǎn)權(quán)的大科學(xué)裝置—MOCVD高端裝備，并在硅襯底上生長(zhǎng)第三代半導(dǎo)體InGaN黃光LED材料，取得了歷史性突破，將黃光LED的光效由國(guó)際上報(bào)道的不足10%，提升到了27.9%，結(jié)束了國(guó)際市場(chǎng)上長(zhǎng)期缺乏高光效黃光LED的局面。國(guó)際同行、諾貝爾獎(jiǎng)獲得者中村修二教授高度稱贊這項(xiàng)成果：“硅基黃光LED的技術(shù)水平國(guó)際領(lǐng)先，這是屬于中國(guó)人首次發(fā)明的照明技術(shù)，它有非常大的價(jià)值。”陳良惠院士領(lǐng)銜的12位業(yè)內(nèi)專家，對(duì)
南昌大學(xué)
2021-04-14
一種芯片拾取與翻轉(zhuǎn)裝置
本實(shí)用新型提供了一種芯片拾取與翻轉(zhuǎn)裝置，包括支撐機(jī)構(gòu)、翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和芯片吸取機(jī)構(gòu)，芯片吸取機(jī)構(gòu)包括直線導(dǎo)向運(yùn)動(dòng)部件和設(shè)在其底端的芯片吸取元件，直線導(dǎo)向運(yùn)動(dòng)部件內(nèi)設(shè)有直線軸承和彈簧，直線導(dǎo)向軸從上往下依次穿過(guò)直線軸承和彈簧連接芯片吸取元件。由于直線導(dǎo)向軸和彈簧的緩沖作用，芯片吸取元件跟隨芯片上升一定的高度并將芯片吸住，再在翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的作用下旋轉(zhuǎn)到達(dá)芯片供給位置。本實(shí)用新型一方面避免了非接觸式吸取的不可靠性，另一方面也避免了剛性接觸式吸取芯片因受力過(guò)大而損傷，實(shí)現(xiàn)了芯片的可靠與無(wú)損傷吸取和翻轉(zhuǎn)。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種芯片拾放控制方法及裝置
本發(fā)明提供了一種芯片拾放控制方法，芯片拾放裝置在下將過(guò)程中從高速直接轉(zhuǎn)至低速，減小了減速過(guò)程的沖擊力，有效完成芯片拾取或貼裝。實(shí)現(xiàn)上述方法的裝置包括支撐機(jī)構(gòu)、直線運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)、旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)、花鍵及芯片拾放機(jī)構(gòu)，兩運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)分別驅(qū)動(dòng)花鍵作直線和旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，花鍵連接芯片拾放機(jī)構(gòu)，花鍵上設(shè)有彈性元件，直線驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)可藉由彈性元件的彈性力復(fù)位。旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)作為輔軸，其運(yùn)動(dòng)通過(guò)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)附加到直線驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)上，可精確運(yùn)轉(zhuǎn)預(yù)定的角度，保證芯片的貼裝精度；直線運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)具有在位置控制、速度控制和電流(力)控制三種模式間切換的能力
華中科技大學(xué)
2021-04-14
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
智能虹膜識(shí)別芯片及產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺(tái)
虹膜識(shí)別技術(shù)的應(yīng)用
1.將先進(jìn)的虹膜識(shí)別算法芯片化，在成本，功耗，速度上都較目前的虹膜識(shí)別產(chǎn)品有很大的優(yōu)勢(shì)。
2. 依托中科大微電子學(xué)院和合作的芯片研發(fā)公司，創(chuàng)建一個(gè)虹膜識(shí)別技術(shù)的芯片級(jí)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺(tái)，將智能虹膜識(shí)別芯片廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
一種 SWP 協(xié)議中 CLF 芯片接口電路
本發(fā)明公開(kāi)了一種 SWP 協(xié)議中 CLF 芯片接口電路，包括輸入 整形模塊，輸出負(fù)載調(diào)制模塊，電流采樣模塊和輸出整形模塊；所述 輸入整形模塊的輸入端用于連接 CLF 芯片輸出的電壓調(diào)制信號(hào)，所述 輸出負(fù)載調(diào)制模塊的輸入端與所述輸入整形模塊的輸出端連接，所述 輸出負(fù)載調(diào)制模塊的輸出端用于與 UICC 芯片的 C6 引腳連接；所述電 流采樣模塊的輸入端與 UICC 芯片的 C6 引腳相連；所述輸出整形模塊 的輸入端連接至
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于模板匹配的芯片定位方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于模板匹配的芯片定位方法，具體包括以 下步驟:步驟一，制作模板;步驟二，對(duì)待定位圖片進(jìn)行預(yù)處理，增 大背景與芯片基體的對(duì)比度;步驟三，對(duì)預(yù)處理后的圖片進(jìn)行圖像分 割，得到 blob 塊，利用 blob 塊的面積和 blob 塊對(duì)應(yīng)的最小外接矩形 的邊長(zhǎng)信息排除存在連晶、缺損缺陷的芯片;獲取剩下的 blob 塊的最小外接矩形的中心位置坐標(biāo)，以及短邊與水平方向的夾角;步驟四， 根據(jù)步驟三得出的中心位置坐標(biāo)和
華中科技大學(xué)
2021-04-14