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基于超材料的太赫茲單譜信號探測器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于超材料的太赫茲單譜信號探測器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開環(huán)共振單元陣列，金屬開環(huán)共振單元陣列包含了一種圖形及其特征尺寸參數(shù)，該圖形對于太赫茲電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料層中金屬開環(huán)
華中科技大學
2021-04-14
一種高性能氯氧鎂水泥材料及其使用方法
本發(fā)明公開了一種高性能氯氧鎂水泥材料及其使用方法。該高性能氯氧鎂水泥材料，由以下重量份 的組分組成:磷渣粉 110-215 份，微-納米活性摻合料 20-90 份，輕燒氧化鎂 900-1070 份，波美度為 27-29Bé 的 MgCl2 水溶液 590 份。本發(fā)明利用磷渣粉中 P2O5 與氧化鎂-氯化鎂-水體系反應(yīng)及磷渣粉中玻璃體與 OH-發(fā)生火山灰
武漢大學
2021-04-14
一種陰極保護用石墨復合接地材料及其制備方法
本發(fā)明公開了一種陰極保護用石墨復合接地材料及其制備方法，包括內(nèi)芯和采用復合石墨線繞內(nèi)芯 編織獲得的復合石墨編織外層，復合石墨線由復合石墨帶捻制獲得，其中：內(nèi)芯由鋅芯石墨線和銅芯石 墨線構(gòu)成，鋅芯石墨線包括鋅纖維芯和第一復合石墨外層，第一復合石墨外層采用復合石墨帶繞鋅纖維 芯捻制獲得；銅芯石墨線包括銅纖維芯和第二復合石墨外層，第二復合石墨外層采用復合石墨帶繞銅纖 維芯捻制獲得；復合石墨帶包括兩層蠕蟲石墨層和鋪設(shè)于兩層石墨層間的無機纖維，無機纖維外
武漢大學
2021-04-14
一種壓入硬度預測材料單軸本構(gòu)關(guān)系的方法
本發(fā)明公開了一種壓入硬度預測材料單軸本構(gòu)關(guān)系的方法，在具有壓頭加載單元、變形檢出單元和數(shù)據(jù)處理單元構(gòu)成的壓入硬度檢測系統(tǒng)中，壓頭加載單元采用不同外形壓頭壓入被測材料，變形檢出單元檢測出被測材料相應(yīng)的變形并輸入到數(shù)據(jù)處理單元以獲得預測材料的本構(gòu)參數(shù)E、σy、n，通過簡單的壓入硬度預測材料單軸本構(gòu)關(guān)系，以實現(xiàn)材料和在役結(jié)構(gòu)件的單軸本構(gòu)關(guān)系的便攜測量。
西南交通大學
2016-10-20
多層包裹纖維增強智能材料過渡層電磁效應(yīng)影響計算方法
本發(fā)明公開了一種多層包裹纖維增強智能材料過渡層電磁效應(yīng)影響計算方法；其包括建立具有壓電、壓磁效應(yīng)的三維物理模型，建立等效數(shù)學模型，建立電場、磁場及彈性場耦合的統(tǒng)一本構(gòu)方程，建立電場、磁場及彈性場耦合的平衡方程，建立過渡層簡化為通用非完美界面的等效理論模型，建立強形式和弱形式下的邊值問題控制方程，采用擴展有限元法計算得到多層包裹纖維增強智能材料中過渡層對電磁效應(yīng)影響的數(shù)值解。本發(fā)明對過渡層進行簡化，采用擴展有限元法計算得到多層包裹纖維增強智能材料中過渡層對電磁效應(yīng)影響的數(shù)值解，實現(xiàn)對多層包裹纖維增強智能材料在實際應(yīng)用中出現(xiàn)的問題進行檢測。
西南交通大學
2016-10-19
吸波型碳纖維增強復合材料纏繞壓力容器 成形研究
項目研究背景： 當前，美國、日本等國家采用 T1200\T1800 等材料進 行了大量研究，也取得了相應(yīng)的技術(shù)成果，但因其成本高、成型難度大， 使其應(yīng)用收到限制。 對吸波碳纖維纏繞壓力容器成形必須進行精確的復合 材料結(jié)構(gòu)設(shè)計及可靠性的準確預報，以確保其成形質(zhì)量，其工藝工程十分 復雜，它涉及許多設(shè)計變量。 研究內(nèi)容 ：對吸波碳纖維纏繞壓力容器成形研究主要內(nèi)容為： 1、采用價格相對低廉的 T7
南昌大學
2021-04-14
一種高強高導電銅 -稀土合金材料及其制備工藝
本發(fā)明公開了一種高強度導電銅 -稀土合金材料及其制備工藝， 合金各 成分的按質(zhì)量比為：銅：鉻：釹為 97.6-98.8：0.4-1.1：0.02-0.08.本發(fā)明制 備工藝包括合金的熔鑄工藝、合金熔鑄后的處理工藝，合金熔鑄后的處理 工藝中直接對合金鑄錠冷軋，再進行時效處理。本發(fā)明所述制備工藝在合 金熔鑄時，直接添加純金屬 Cr 顆粒，澆鑄溫度為 1100℃-1250℃。 本發(fā)明合金材料具有
南昌大學
2021-04-14
一種氰根離子熒光指示材料及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種氰根離子的熒光指示材料，該氰根離子熒光指示材料為稀土鋱離子與2，2’?聯(lián)吡啶以及配體分子通過分子自組裝反應(yīng)形成的金屬有機框架材料，該熒光指示材料利用π共軛介導熒光增強的新原理檢測溶液中的氰根離子濃度。本發(fā)明還公開了上述氰根離子熒光指示材料的制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明氰根離子熒光指示材料能特異性、快速熒光顯示溶液中的氰根離子濃度，使用簡便，
東南大學
2021-04-14
一種激光輔助低溫生長氮化物材料的方法與裝備
本發(fā)明公開了一種激光輔助低溫生長氮化物材料的方法及裝備， 該方法將非氮元素的前驅(qū)體蒸汽和活性氮源前驅(qū)體氣體分別輸送到反 應(yīng)腔室內(nèi)溫度為 250 至 800℃的襯底材料處，利用波長與活性氮源分 子鍵共振波長相等的激光束作用于活性氮源氣體，使激光能量直接耦 合至活性氮源氣體分子，加速 NH 鍵的斷裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素與活性氮源發(fā)生化學反應(yīng)，沉積第 III 族氮化物膜層材料， 持續(xù)作用直到沉積物覆蓋整個襯底
華中科技大學
2021-04-14
對具有導磁材料保護層的構(gòu)件腐蝕檢測方法及裝置
本發(fā)明提供了一種對具有導磁材料保護層的構(gòu)件腐蝕檢測方法，具體為：將導磁保護層磁化到飽和或深度飽和，在被測構(gòu)件表面選取參考區(qū)域和待測區(qū)域，在兩區(qū)域的保護層上設(shè)置脈沖渦流傳感器，向脈沖渦流傳感器激勵線圈中施加方波激勵，測取方波下降至低電平后傳感器檢測線圈內(nèi)感應(yīng)電壓的衰減曲線，比較兩區(qū)域的感應(yīng)電壓衰減曲線差異，即可判別待測區(qū)域相對參考區(qū)域的腐蝕情況。本發(fā)明還提供了實現(xiàn)上述方法的裝置，包括依次連接的脈沖渦流傳感器、方波信號激勵電路、信號處理電路、A/D 轉(zhuǎn)換電路和計算機，脈沖渦流傳感器帶有磁化單元。本發(fā)明提
華中科技大學
2021-04-14