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CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.3$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。

CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特 點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到 0.3$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池 上產生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝 流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積，等。 

CdTe薄膜的表面腐蝕及用此法制備CdTe太陽電池，屬于半導體器件加工領域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去離子水的混合液作為腐蝕液，其中，NaAc作為緩沖劑，以保持溶液的pH值不變，使反應更穩定，通過CdTe和硝酸發生反應生成富碲層；清洗吹干后，沉積含Cu或不含Cu背接觸層，最后沉積背電極以制備CdTe太陽電池。沉積背接觸材料，可增加pn結附近的載流子濃度，降低肖特基勢壘高度，避免直接沉積Cu形成比較復雜的CuxTe結構。采用這種方法腐蝕并制備CdTe太陽電池，可顯著提高太陽電池的性能，并保證器件性能的穩定性和重復性。

一種兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法，工藝步驟包括制備過渡層、制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜、鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理；鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理是將鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜放入退火爐內，在氧氣流中以40℃/秒的升溫速率升溫至800℃～850℃后即刻停止加熱，使其隨爐冷卻至500℃～600℃保溫3分鐘～5分鐘，然后隨爐冷卻至室溫。采用上述方法制備的鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜鈣鈦礦相純度可達100％，結晶性能好，表面均方根粗糙度較低，而且還具有剩余極化強度高和高度擇優取向的特點。

聲表面波瓦斯傳感器具有體積小、靈敏度高、工作穩定、生產成本低、易于集成化和無線化等獨特優點，能夠有效解決熱催化式瓦斯傳感器的零點漂移、定期維護難和維護費用高等問題，并且能彌補光學瓦斯傳感器的占用空間大、傳感占距長和傳感分析復雜等不足，能有效提高煤礦瓦斯檢測和預警技術，保證煤礦安全。成果獲 2012 西安市科學技術獎三等獎；獲批國家實用新型專利 1 項。

本發明屬于納米薄膜材料制備技術領域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術和納米膜卷曲技術，先制備單質Fe的納米膜卷曲管結構，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡單，操作方便，原理科學，無污染，環境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長度能達到幾百微米。本發明在新能源、氣敏、催化、等領域具有重要用途。

本發明公開了一種基于金屬納尖陣電極的電調透射光薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納尖高密度排布構成的一層納米厚度的金屬納尖陣陰極和一層納米厚度的平面陽極，該陽極由透光的納米厚度的金屬氧化物導電膜制成，陰陽電極間填充有由納米厚度的透明光學介質材料制成的電隔離膜；在加電態下，金屬納尖陣陰極上可自由移動的電子被電極間所激勵的電場驅控，向納尖頂聚集，納尖底部及相鄰尖端間的平坦區域上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數自由電

本發明公開了一種雙路電控納線簇電極的電調光透射薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納線簇高密度排布構成的圖案化公共電極以及分布在其上端和下端的頂面陰極和底面金屬納膜陰極，頂面陰極和圖案化公共電極均由透光的納米厚度的同材質膜制成，底面金屬納膜陰極由納米厚度的金屬膜制成；頂面陰極和圖案化公共電極以及圖案化公共電極與底面金屬納膜陰極間均填充有納米厚度的同材質光學介質材料。本發明雙路電控納線簇電極的電調光透射薄膜，可對入射光

CIGS薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.6$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構成淺埋式p-n結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴，被p-n結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預置層→快速

場效應晶體管（Field Effect Transistor, FET）是芯片與集成電路的基本單元，由金屬電極、半導體電荷傳輸層和絕緣電介質層三部分組成。近年來，電氣設備和電子產品小型化、輕量化、智能化的發展趨勢對FET等基礎電學元器件提出了向高性能、微型化、高頻化和柔性化發展的需求。進入21世紀后，隨著多種具有共軛π鍵體系聚合物和小分子的合成，有機半導體材料的優良電荷傳輸特性已被較為充分地發掘，分子結構創新的匱乏導致半導體材料電荷傳輸性能難有跨越式的提升?；谶@種現狀，西安交通大學魯廣昊教授課題組將研究重點轉向絕緣電介質層，通過充分挖掘絕緣介質帶電特性形成可控的柵極補償電場，實現FET半導體層電荷傳輸的調控并提高器件性能。近日，前沿院魯廣昊教授課題組與電氣學院李盛濤教授課題組、理學院張志成教授課題組、中科院長春應用化學研究所崔冬梅研究員課題組開展合作，通過自由基聚合合成了一種新型絕緣聚合物分子：無規4-氟代聚苯乙烯（Poly(4-fluorostyrene)，FPS）。該聚合物具有較高的深電荷陷阱密度、高擊穿場強、高熱穩定性和疏水性，可實現高度穩定的駐極體。以FPS薄膜作為柵極介電層，并以C12-BTBT作為半導體層制備的有機場效應晶體管具有高達11.2 cm2·V-1·s-1的場效應遷移率，高達107的開/關比和較小的閾值電壓。與廣泛使用的聚苯乙烯相比，FPS的電子和空穴陷阱密度及陷阱能級均有所上升，帶來6.8×1012cm-2的高帶電量。利用FPS制備的OFET存儲器件可在大于100 V的寬存儲窗口下工作，并具有在空氣環境中大于一個月的存儲穩定性。 該研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”為題發表在國際材料領域權威期刊Materials Horizons上（影響因子：14.356）。該文第一作者為西安交大前沿院助理教授朱遠惟博士，通信作者為前沿院魯廣昊教授、電氣學院李盛濤教授和中科院長春應化所劉波副研究員。該工作得到了國家自然科學基金、陜西省自然科學基礎研究計劃、國家博士后基金、電力設備電氣絕緣國家重點實驗室中青年基金及?；究蒲袠I務費的資助。論文鏈接為：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract課題組網站：http://gr.xjtu.edu.cn/web/guanghaolu/home