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薄膜電致發(fā)光器件作為顯示器件主要用于工業(yè)現(xiàn)場儀表顯示、車站、機場、銀行、證券交易市場、街頭廣告信息顯示，作為大平面高清晰顯示可用于各種會場、廣場高清晰電視彩像顯示，及可檢索軍用地圖、筆記本電腦及賓館等山水、立體彩色裝飾。其特點為全固體化、亮度高、壽命長、可大平面化和可裝飾表面。響應(yīng)速度快，使用溫度范圍寬。由于制備方法簡單較之國內(nèi)外同類產(chǎn)品成本低，可批量工業(yè)

一種薄膜密封的活塞發(fā)聲器，具有腔體，活塞和托持腔體的支座，活塞與腔體同軸，腔體一端開口、另一端有端板，端板上設(shè)置安裝孔，活塞位于腔體的開口端；密封薄膜封閉腔體的開口形成發(fā)聲腔，密封薄膜有彈性，活塞的發(fā)聲端面與密封薄膜貼合；腔體上開設(shè)有均壓孔，均壓孔連通外界與發(fā)聲腔，均壓孔開設(shè)于端板上。安裝孔用于安裝被校準傳感器。本實用新型的優(yōu)點在于：用密封薄膜封閉腔體形成發(fā)聲腔，腔體上僅通過設(shè)置的均壓孔和外界大氣連通，以實現(xiàn)靜壓均衡機制，由于均壓孔的孔徑極細，所以發(fā)聲腔體具有較大的時間常數(shù)，從而大幅降低活塞發(fā)聲器的下限工作頻率。

本發(fā)明公開了一種電調(diào)光反射率薄膜。包括第一光學(xué)介質(zhì)層，依次設(shè)置在第一光學(xué)介質(zhì)層上表面的第一陽極、第二光學(xué)介質(zhì)層和第二陽極，以及設(shè)置在第一光學(xué)介質(zhì)層下表面的陰極，陰極為勻質(zhì)導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，第一陽極和所述第二陽極均由其上布有 M×N 元陣列分布的納孔的導(dǎo)電膜構(gòu)成；通過調(diào)變加載在第一陽極和陰極間的第一時序電壓信號以及加載在第二陽極和陰極間的第二時序電壓信號，調(diào)變陰極上的陣列化電子的密度和分布形態(tài)，進而調(diào)變電調(diào)光反射率薄膜的光

本技術(shù)涵蓋大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝及裝備、晶圓制備、單晶薄膜制備及聲表面波器件，實現(xiàn)材料、裝備、器件協(xié)同發(fā)展。主要針對8英寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及聲表面波器件進行開發(fā)研究，該技術(shù)屬于我國“卡脖子”技術(shù)，目前國際市場空白。在鈮酸鋰晶體生長方面，開發(fā)了大尺寸智能單晶生長設(shè)備及工藝，包括大尺寸鈮酸鋰晶體生長模擬仿真設(shè)計、鈮酸鋰熔體-晶體固液界面特性與控制、大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝開發(fā)、生長-檢測-分析-控制人工智能系統(tǒng)。采用離子束切片鍵合技術(shù)制備鈮酸鋰單晶薄膜，突破傳統(tǒng)的薄膜制備方法無法制備單晶鈮酸鋰薄膜

本發(fā)明公開了一種鎂基金屬玻璃薄膜及其制備方法，它的化學(xué) 通式為 MgaCubYc，其中，a，b，c 為原子百分比，46.30≤a≤58.01， 24.61≤b≤28.96，13.18≤c≤24.74，且 a+b+c=100。本發(fā)明還公開了 一種鎂基金屬玻璃薄膜的制備方法，其采用磁控濺射制備得到，包括： 將 Mg、Cu 和 Y 按一定配比制備成合金靶；使用單晶硅片及普通玻璃 片作為薄膜的基底；將合金靶及薄膜基底放入濺射腔中，進行磁控

本技術(shù)是利用智能水凝膠的刺激響應(yīng)性，結(jié)合Fabry-Perot薄膜干涉現(xiàn)象提出的新型光學(xué)傳感方法。本技術(shù)使用的水凝膠薄膜厚度僅數(shù)微米，因此具有響應(yīng)速度快速的特點。可檢測的項目包括溫度、pH值、葡萄糖等。可與光纖傳感技術(shù)相結(jié)合，實現(xiàn)遠程傳感。

本項目采用隧道結(jié)技術(shù)實現(xiàn)疊層太陽能電池的制備，擴展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。 一、項目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、成果簡介 太陽能是大自然賜予人類最清潔，最豐富的能源資源，目前商用的太陽能電池以晶體硅電池為主，由于晶體硅消耗硅料較多，近年來人們一直致力于開發(fā)硅薄膜電池。非晶硅薄膜電池已經(jīng)實現(xiàn)了商業(yè)化生產(chǎn)并有了一定的市場份額，但它仍存在不足之處，包括光致衰減效應(yīng)和轉(zhuǎn)換效率不高(約6％)等。本項目在國家863計劃課題(2006AA03Z219)支持下，開展了以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和納米晶薄膜的制備和相關(guān)材料的單結(jié)與疊層硅基太陽能電池關(guān)鍵技術(shù)研究，已經(jīng)申請發(fā)明專利5項，發(fā)表科研論文20余篇。 三、創(chuàng)新點以及主要技術(shù)指標 1.利用LPCVD方法和自擴散技術(shù)生長多晶硅p-n結(jié)，結(jié)合層轉(zhuǎn)移技術(shù)制備多晶硅薄膜太陽能電池； 2．采用金屬誘導(dǎo)晶化和快速熱處理技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)質(zhì)多晶硅薄膜的制備并在低溫下制備太陽能電池； 3.在PECVD和HWCVD生長硅薄膜時，通過生長溫度，氣體流量，氫氣稀釋比，腔室氣壓等參數(shù)實現(xiàn)微晶硅或者納米晶薄膜的生長； 4.采用雙層膜技術(shù)減小表面處入射光的反射并實現(xiàn)表面鈍化，提高入射光的收集率和少數(shù)載流子壽命； 5.采用高低結(jié)結(jié)構(gòu)增加光生載流子的收集效率； 6.采用隧道結(jié)技術(shù)實現(xiàn)疊層太陽能電池的制備，擴展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。 四、知識產(chǎn)權(quán)及獲獎 國家863項目(2006AA03Z219)

通過對建筑物窗體的研究，自主研發(fā)出一種能夠智能控制調(diào)節(jié)溫度的VO2智能控溫薄膜及其鍍膜玻璃，是一種可以響應(yīng)溫度改變自身結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的材料，可以使得窗體對太陽光輻射的反射率和透射率隨外界溫度的改變而發(fā)生變化，在可見光保持一定透過率（>50%）的前提下，使得夏天進入房間的太陽輻射少，冬天進入房間的太陽輻射多，從而保證房間舒適度的同時降低室內(nèi)制冷采暖能耗。 一、項目進展 創(chuàng)意計劃階段 二、負責人及成員 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 入學(xué)/畢業(yè)時間 宋炳坷 材料/微電子學(xué)與固體電子學(xué) 2016/2019 趙起 材料/微電子學(xué)與固體電子學(xué) 2016、2018 劉帥 管理/企業(yè)管理 2016/2019 徐志龍 材料/材料學(xué) 2017/2020 王子璇 材料/集成電路工程 2017/2020 肖智戈 管理/管理科學(xué)與工程 2017/2020 范煒 材料/材料學(xué) 2017/2020 三、指導(dǎo)教師 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 職務(wù)/職稱 研究方向 高彥峰 材料/材料學(xué) 研究員 材料學(xué) 四、項目簡介 通過對建筑物窗體的研究，自主研發(fā)出一種能夠智能控制調(diào)節(jié)溫度的VO2智能控溫薄膜及其鍍膜玻璃，是一種可以響應(yīng)溫度改變自身結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的材料，可以使得窗體對太陽光輻射的反射率和透射率隨外界溫度的改變而發(fā)生變化，在可見光保持一定透過率（>50%）的前提下，使得夏天進入房間的太陽輻射少，冬天進入房間的太陽輻射多，從而保證房間舒適度的同時降低室內(nèi)制冷采暖能耗。該產(chǎn)品設(shè)計著眼于當前最先進的技術(shù)，立足于建筑節(jié)能材料研究前沿，以本團隊關(guān)鍵技術(shù)作為支撐，目前團隊制備的VO2基智能窗相關(guān)技術(shù)指標均處于世界領(lǐng)先地位。由于產(chǎn)品綠色友好，環(huán)保節(jié)能，適用于溫帶和熱帶絕大部分地區(qū)的建筑建造以及城市基礎(chǔ)建筑節(jié)能改造，因此具有可觀的應(yīng)用前景和積極的社會意義。

主要功能：實現(xiàn)單頻和雙頻的大功率太赫茲波輸出。 ？ 應(yīng)用領(lǐng)域：在主動探測、雷達、通信、材料的線性和非線性特性、高密度等離子體特性研究、增強核磁共振技術(shù)和放射性材料遙測等方面具有極其重要應(yīng)用前景。 ？ 特色及先進性：在雙電子注同軸腔回旋管中，一根電子注工作在基波，另外一根電子注工作在高次諧波，利用兩個電子注與電磁波間的非線性耦合，實現(xiàn)雙頻大功率太赫茲波輸出。 ？ 技術(shù)指標：工作頻率110/220GHz；輸出功率：20kW。

X射線管是X射線成像系統(tǒng)最為核心的部件。現(xiàn)有的X射線管存在啟動速度慢、工作溫度高、獲取高分辨率困難、輻射損傷大、功耗高、無法實現(xiàn)對運動物體同步成像、無法實現(xiàn)劑量和能量分別可控等致命缺點，無法滿足下一代X射線成像系統(tǒng)的基本要求。特別地，現(xiàn)在的CT球管存在生產(chǎn)成本高昂的缺點、壽命非常短，對人的輻射傷害非常大等缺點，嚴重阻礙了CT成像系統(tǒng)的發(fā)展。 本項目成果采用獨有的兼?zhèn)涓唠娏髅芏群痛蟀l(fā)射電流的碳納米管場致發(fā)射陣列為電子源，并設(shè)計了高效的柵極結(jié)構(gòu)和精細的聚焦透鏡的電子槍，制備出具有劃時代的意義的高速碳納米管X射線管及碳納米管CT球管，具有快速啟動、超低劑量輻射、高分辨率、低功耗、運動閃拍等傳統(tǒng)X射線管無法實現(xiàn)的性能，可滿足新一代CT設(shè)備或全數(shù)字X光透射成像設(shè)備中快速啟動、高速響應(yīng)、與運動物體同步、高分辨率、X射線劑量和能量可控等要求，進而推動整個CT產(chǎn)業(yè)和全數(shù)字X光成像設(shè)備步入全新的發(fā)展階段。 應(yīng)用領(lǐng)域及在該領(lǐng)域的特色和先進性： 1.醫(yī)學(xué)成像領(lǐng)域：本項目成果應(yīng)用于CT成像系統(tǒng)時可以實現(xiàn)快怕功能，有效X射線的劑量不到現(xiàn)有CT機的10%，對人體的損害降低了10倍以上，并且分辨率更高，超低功耗。特別地，在運動器官檢測領(lǐng)域和乳腺CT中和有獨特優(yōu)勢。 2.無損探測領(lǐng)域：本項目可以非常容易實現(xiàn)超高分辨率檢測，可以實現(xiàn)100nm至30um的納焦點和微焦點超高分辨率X射線管。 技術(shù)指標：啟動時間小于10ns；最高快拍頻率1MHz；分辨率；微納焦點X射線管：100nm-30微米；大功率高分辨X射線管：0.1mm；CT球管：0.6mm；最高耐壓 120kV；最大電流密度 2.5A/cm2；最大束流：500mA；靶傾角：5°~20°；壽命 5萬次完整拍照 本項目產(chǎn)品已經(jīng)解決產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵問題。可以擺脫國外對我國在高端X射線成像領(lǐng)域的壟斷，使我國X射線成像領(lǐng)域步入世界先進行列。