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最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過藍光和黃光復合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因為YAG：Ce3+的光譜中缺乏藍光波段。本項目通過特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍光發(fā)射，通過調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時，器件發(fā)射出CIE坐標（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍光和黃光兩種波段，進而復合產(chǎn)生白光，工藝簡單，技術(shù)領(lǐng)先。

本發(fā)明涉及一種新型二價銪摻雜的含氮硅酸鹽固溶體基發(fā)光材料及其自還原制備方法。這種發(fā)光材料的化學組成可表示為：Ca3Si3(O9-xNx):Eu2+。制備方法采用兩步法，（1）溶膠凝膠法制備Ca2SiO4:Eu3+產(chǎn)物。（2）Ca2SiO4:Eu3+和氮化硅混合物在非還原氣氛下焙燒，利用Si3N4的自還原作用獲得最終產(chǎn)物。所用原料是硝酸鈣（CaN2O6·4H2O）、硝酸銪（EuN3O9·6H2O）、正硅酸乙酯（C8H20O4Si）和Si3N4。本發(fā)光材料在近紫外到藍光有寬帶(300~450nm)吸收，發(fā)射出黃綠色光（534~544nm）。所得產(chǎn)物發(fā)光強度高，性能穩(wěn)定。制備過程僅需在氮氣保護氣氛下就能完成，無需還原氣氛和其它還原手段，制備方法簡單，安全。

成果簡介： 最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過藍光和黃光復合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因為YAG：Ce3+的光譜中缺乏藍光波段。本項目通過特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍光發(fā)射，通過調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時，器件發(fā)射出CIE坐標（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍光和黃光兩種波段，進而復合產(chǎn)生白光，工藝簡單，技術(shù)領(lǐng)先。

本發(fā)明公開了一種制備高亮度白光發(fā)射的錳摻雜鈣鈦礦量子點的方法，該量子點為Ｍｎ：ＣｓＰｂ２（Ｂｒ／Ｃｌ）５。其制備方法包括如下步驟： （１）分別將ＰｂＢｒ２、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＮＨ３Ｂｒ、ＭｎＣｌ２·４Ｈ２Ｏ以及ＣｓＢｒ溶于Ｎ，Ｎ?二甲基甲酰胺（ＤＭＦ）中制成反應(yīng)物的前驅(qū)體溶液； （２）將前驅(qū)體溶液依次轉(zhuǎn)移至攪拌的甲苯中，轉(zhuǎn)換方式為以速率２０～６０滴／分鐘進行滴加，形成量子點材料。本發(fā)明無需使用復雜的熱力學過程控制誘導Ｍｎ的摻雜，反應(yīng)條件溫和，過程簡單，操作方便，且前驅(qū)體溶液穩(wěn)定性好，可重復多次使用，適用于工業(yè)推廣。

近日，中國科學技術(shù)大學合肥微尺度物質(zhì)科學國家研究中心和化學物理系曾杰教授、周仕明副教授研究團隊發(fā)展出了一套利用電化學沉積制備單原子催化劑的普適性方法，利用該方法研究人員成功制備出了34種單原子催化劑，覆蓋了多種過渡金屬和多種襯底。相關(guān)成果發(fā)表在《自然·通訊》上。發(fā)展對襯底和金屬無選擇性的普適性單原子合成方法具有重要意義。研究人員在電化學三電極體系下進行電化學沉積，并通過陰極沉積和陽極沉積獲得了兩種Ir1/Co(OH)2單原子催化劑。此外，研究人員又探究了沉積條件（前驅(qū)體濃度、沉積圈數(shù)和沉積速率）對單原子形成的影響，發(fā)現(xiàn)當金屬的負載量低于某一限度時，可以獲得單原子；高于這一限度時則有金屬團簇或顆粒形成，這一變化類似于液相中晶體生長中的成核過程（圖1）。電化學沉積制備單原子的機理研究。(a)陰極沉積示意圖；(b)陽極沉積示意圖；(c)在陰極沉積中，前驅(qū)體濃度、沉積量和單原子形成的關(guān)系；(d)在陽極沉積中，前驅(qū)體濃度、沉積量和單原子形成的關(guān)系。為了證明該方法的普適性，研究人員又在氫氧化鈷、硫化鉬、氧化錳、氮摻雜的碳等襯底上成功獲得覆蓋3d、4d、5d金屬的單原子催化劑，并且對所制備的單原子催化劑的結(jié)構(gòu)表征后發(fā)現(xiàn)，陰極和陽極沉積獲得的同一單原子催化劑具有不同的電子結(jié)構(gòu)，這為其在不同催化反應(yīng)中的應(yīng)用提供了可能。研究人員還對所得單原子催化劑在電催化水分解反應(yīng)中的性能進行了探究。實驗結(jié)果表明，陰極沉積所得的一些催化劑在電催化析氫反應(yīng)中表現(xiàn)出了優(yōu)異的性能，同時，陽極沉積所得的一些催化劑在電催化析氧反應(yīng)中也表現(xiàn)出了良好的性能。該制備單原子催化劑的普適性方法不僅為單原子催化領(lǐng)域注入了新的活力，而且為今后系統(tǒng)性研究催化劑結(jié)構(gòu)和性能之間的關(guān)系提供了新的思路。論文鏈接：https://www.nature.com/articles/s41467-020-14917-6.pdf詳細閱讀：http://news.ustc.edu.cn/2020/0313/c15884a414545/page.htm

在二維鐵基高溫超導體中的一維原子缺陷鏈兩端發(fā)現(xiàn)馬約拉納零能模，為實現(xiàn)較高溫度下、無外加磁場的拓撲零能激發(fā)態(tài)提供了一種可行性平臺。王健研究組通過分子束外延（MBE）技術(shù)在鈦酸鍶襯底上成功制備出大尺度、高質(zhì)量的單層FeTe0.5Se0.5高溫超導薄膜，其超導轉(zhuǎn)變溫度T_c≈62 K，遠高于塊材Fe(Te,Se) (T_c≈14.5 K)。利用原位低溫（4.2 K）掃描隧道顯微鏡（STM）和掃描隧道譜（STS）技術(shù)，研究組在薄膜表面發(fā)現(xiàn)了一種由最上層Te/Se原子缺失形成的一維原子鏈缺陷。在這種一維原子鏈缺陷兩端，同時觀測到了零能束縛態(tài)（圖1），而在一維原子鏈缺陷的非端點處，依然是超導帶隙的譜形。隨著溫度升高，零能束縛態(tài)的峰高逐漸降低，最終在遠低于T_c時消失（約20 K）。隨著針尖逐漸逼近薄膜表面，即隧穿勢壘電導變大，零能束縛態(tài)峰迅速升高且沒有發(fā)生劈裂，展現(xiàn)出良好的抗干擾性。此外，研究組發(fā)現(xiàn)在較短的一維原子鏈缺陷兩端的零能束縛態(tài)發(fā)生了一定程度的耦合（圖2），其峰高隨缺陷長度的依賴關(guān)系在統(tǒng)計中展現(xiàn)出正相關(guān)關(guān)系。這些零能束縛態(tài)的譜學特性，如峰值高度與半高寬隨溫度的演化，消失的溫度，針尖逼近隧穿譜與難劈裂的特性等，都與馬約拉納零能模的解釋相符合，可以基本上排除Kondo效應(yīng)、雜質(zhì)缺陷束縛態(tài)或有節(jié)點的高溫超導體中Andreev零能束縛態(tài)等其它可能性。波士頓學院的汪自強教授團隊基于肖克利缺陷態(tài)的能帶理論在超導體中的表現(xiàn)提出了可能的理論解釋。在強自旋軌道耦合作用下，單層FeTe0.5Se0.5薄膜表面的一維原子鏈缺陷可以是衍生一維拓撲超導體，其端點處會產(chǎn)生受時間反演對稱性保護的一對馬約拉納零能模。時間反演對稱性破缺下也可產(chǎn)生一維原子鏈缺陷拓撲超導體，其兩個端點各產(chǎn)生一個馬約拉納零能模。這一工作首次揭示了二維高溫超導體FeTe0.5Se0.5單層薄膜中的一類拓撲線缺陷端點處的零能激發(fā)，具備單一材料、較高工作溫度和零外加磁場等優(yōu)勢，為進一步實現(xiàn)可應(yīng)用的拓撲量子比特提供了一種可能的方案。

本發(fā)明公開了一種用于制作原子層沉積膜的可拆卸噴頭及裝置。用于制作原子層沉積膜的噴頭，包括進氣管路、進氣口和出氣口；所述進氣口內(nèi)部為空腔；所述出氣口內(nèi)部形成空腔，分為上半部分和下半部分，其上半部分與下半部分之間設(shè)有漏斗形結(jié)構(gòu)；進氣管路與進氣口固定連接，進氣口與出氣口可拆卸密閉連接。用于制作原子層沉積膜的裝置，包括所述噴頭、腔體支撐架、基片承載臺和運動平臺，腔體支撐架中間形成長條狀鏤空，可順序設(shè)置多個可拆卸噴頭，基片承載臺設(shè)置在墻體支撐架下方，運動平臺帶動基片承載臺。本發(fā)明能適應(yīng)不同的原子層沉積反應(yīng)，通

本發(fā)明涉及一種雷擊干擾與雷擊故障識別方法，尤其是涉及一種基于 PSO 改進的原子分解法的雷 擊干擾與故障識別方法。本發(fā)明利用原子分解法對故障線路保護安裝處的電壓電流信號進行頻率成分分 析，提出基于零序電流穩(wěn)態(tài)工頻分量有無的雷擊干擾識別方法;提出基于電流線模分量原子分解能量比 值與基于故障相電流電磁暫態(tài)特征的雙重故障類型識別判據(jù)，提高了故障識別的準確率。本發(fā)明在過完 備冗余原子庫的基礎(chǔ)上自適應(yīng)地尋找信號的最佳匹配原子及其參數(shù)，從而使信號的自適應(yīng)表達簡潔，分 解結(jié)果稀疏，極大地提高了

一種椎弓根螺釘植入反饋力信息采集裝置,包括手柄,扭轉(zhuǎn)傳力機構(gòu),拉壓傳力機構(gòu),操作頭和參考架.扭轉(zhuǎn)傳力機構(gòu)嵌裝在手柄的型槽內(nèi),拉壓傳力機構(gòu)連接在扭轉(zhuǎn)傳力機構(gòu)的前端,操作頭連接在拉壓傳力機構(gòu)的前端,參考架連接在拉壓接頭上.本發(fā)明椎弓根螺釘植入反饋力信息采集裝置配合光學定位系統(tǒng)使用,可在椎弓根螺釘植入手術(shù)過程中直接作用于人體胸,腰椎,并同步采集反饋力信息;也可通過專門的信息采集實驗作用于人體胸,腰椎標本,采集反饋力信息.所采集的力覺信息可用于虛擬椎弓根釘植入手術(shù)系統(tǒng)中的力覺模型構(gòu)建.