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一種可尋址層析視場(chǎng)的液晶基成像探測(cè)芯片
本發(fā)明公開(kāi)了一種可尋址層析視場(chǎng)的液晶基成像探測(cè)芯片。包括面陣電控液晶成像微透鏡和面陣光敏探測(cè)器，其中，單元電控液晶成像微透鏡用于對(duì)目標(biāo)通過(guò)物鏡形成的壓縮光場(chǎng)執(zhí)行進(jìn)一步的匯聚式壓縮，通過(guò)調(diào)變加載在所述面陣電控液晶成像微透鏡上的信號(hào)電壓的均方幅值，調(diào)變所述單元電控液晶成像微透鏡的光匯聚能力，進(jìn)而調(diào)變由物鏡和所述單元電控液晶成像微透鏡共同確定的目標(biāo)對(duì)焦平面，從而在深度方向上改變能清晰成像的目標(biāo)圖層，執(zhí)行成像視場(chǎng)在深度
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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在自由基不對(duì)稱(chēng)化學(xué)領(lǐng)域重要研究進(jìn)展
劉心元課題組巧妙地設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)了一種由一價(jià)銅與金雞納生物堿衍生的多齒陰離子配體組成的催化體系。此多齒陰離子配體不僅有效的提供了手性環(huán)境，更顯著增強(qiáng)了銅中心的還原性。因此，課題組可以直接將簡(jiǎn)單易得的外消旋鹵代烷烴單電子還原成非手性烷基自由基中間體，并進(jìn)一步成功實(shí)現(xiàn)了立體匯聚式的Sonogashira碳（
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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航空航天用新型高強(qiáng)高溫鈦基復(fù)合材料
網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)鈦基復(fù)合材料密度(4.5 g/cm3)與傳統(tǒng)鈦合金相當(dāng)，是在高溫鈦合金的基礎(chǔ)上，通過(guò)粉末冶金與增強(qiáng)相分布調(diào)控技術(shù)，在鈦合金晶粒周?chē)ㄏ蛞朐鰪?qiáng)相，有效抑制晶界高溫弱化效果、并進(jìn)一步提高了室溫強(qiáng)化效果、均勻等軸的網(wǎng)狀組織以及大尺寸基體區(qū)的存在有效提高了塑韌性，體現(xiàn)出超耐高溫與高強(qiáng)韌一體化的特性。
一、項(xiàng)目分類(lèi)
顯著效益成果轉(zhuǎn)化
二、成果簡(jiǎn)介
網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)鈦基復(fù)合材料密度(4.5 g/cm3)與傳統(tǒng)鈦合金相當(dāng)，是在高溫鈦合金的基礎(chǔ)上，通過(guò)粉末冶金與增強(qiáng)相分布調(diào)控技術(shù)，在鈦合金晶粒周?chē)ㄏ蛞朐鰪?qiáng)相，有效抑制晶界高溫弱化效果、并進(jìn)一步提高了室溫強(qiáng)化效果、均勻等軸的網(wǎng)狀組織以及大尺寸基體區(qū)的存在有效提高了塑韌性，體現(xiàn)出超耐高溫與高強(qiáng)韌一體化的特性。使用溫度較基體鈦合金提高200 ℃，達(dá)到600-800 ℃。某高溫條件下，較基體鈦合金穩(wěn)態(tài)蠕變速率降低2-3個(gè)數(shù)量級(jí)、相同持久時(shí)間下，持久應(yīng)力提高3倍多、相同應(yīng)力下，持久時(shí)間提高57倍，顯示非常優(yōu)異的高溫性能。且具有優(yōu)異的焊接性能、塑性與成形性能，成為高速飛行器耐熱部件的理想結(jié)構(gòu)材料，替代高溫合金可減重45%左右，如設(shè)計(jì)的鈦基復(fù)合材料氣動(dòng)格柵單件可實(shí)現(xiàn)減重5800 g，具有重要經(jīng)濟(jì)與社會(huì)價(jià)值。可徹底解決高速飛行器輕質(zhì)耐熱結(jié)構(gòu)件無(wú)合適材料可選的瓶頸問(wèn)題，填補(bǔ)了其它領(lǐng)域無(wú)可用的輕質(zhì)、耐熱、高強(qiáng)韌、可加工、可焊接材料空白，處于世界領(lǐng)先水平。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2022-08-12
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鉍冶煉礦渣合成三鹽基硫酸鉛的研究
研究背景 ：由于我國(guó)有許多礦物資源的開(kāi)發(fā)生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的 含鉛廢渣，如不能實(shí)現(xiàn)資源的綜合利用，不但會(huì)給環(huán)境帶來(lái)巨大的污染， 而且浪費(fèi)了自然資源，造成經(jīng)濟(jì)損失。因此，目前多采用濕法冶煉取代高 溫火法冶煉回收廢鉛，在低溫、常壓下以銅煙灰、鉛泥、酸浸渣、煉鋅廢 渣和煉鉍廢渣等廢渣為原料制取鉛鹽系列產(chǎn)品。 這樣既不但可以綜合利用 資源，回收其它有價(jià)金屬，而且具有良好的經(jīng)濟(jì)、社會(huì)和環(huán)境效益，從根 本上解決環(huán)
南昌大學(xué)
2021-04-14
一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法，其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材；S2 選擇襯底材料， 將襯底表面進(jìn)行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 進(jìn)行磁控濺射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于硅基液晶的偏振檢測(cè)系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于硅基液晶的偏振檢測(cè)系統(tǒng)及方法，所述 偏振檢測(cè)系統(tǒng)包括檢偏器、光探測(cè)器、硅基液晶驅(qū)動(dòng)模塊、控制單元 和用于相位調(diào)制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驅(qū)動(dòng)模塊的驅(qū)動(dòng)下 對(duì)待測(cè)光進(jìn)行相位調(diào)節(jié)，獲取一系列偏振光，通過(guò)對(duì)這一系列偏振光 的分析獲取待測(cè)光的偏振信息，包括豎直方向與水平方向的振幅及相 位差。本發(fā)明的系統(tǒng)在精確可編程控制下，進(jìn)行偏振態(tài)檢測(cè)與控制， 不受類(lèi)似于波片的波長(zhǎng)敏感性制約；且本發(fā)明采用硅基液晶進(jìn)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種磁場(chǎng)下的原子轉(zhuǎn)移自由基聚合方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種磁場(chǎng)下的原子轉(zhuǎn)移自由基聚合方法，該方法 是在磁感應(yīng)強(qiáng)度范圍為 0.1～0.43 特斯拉的磁場(chǎng)環(huán)境下，將單體、催化 劑和引發(fā)劑混合后進(jìn)行原子轉(zhuǎn)移自由基聚合反應(yīng)，并通過(guò)調(diào)節(jié)磁場(chǎng)的 大小調(diào)控反應(yīng)速率、產(chǎn)物轉(zhuǎn)化率和規(guī)整度，得到所需的聚合產(chǎn)物。磁 場(chǎng)可以由永磁鐵或磁感線(xiàn)圈產(chǎn)生，其大小通過(guò)永磁鐵間距或電流大小 來(lái)調(diào)節(jié)。本發(fā)明解決了原子轉(zhuǎn)移自由基聚合無(wú)法控制產(chǎn)物構(gòu)型和規(guī)整 度的問(wèn)題。該發(fā)明中所需磁場(chǎng)小，簡(jiǎn)單易得。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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聚丙烯基汽車(chē)零部件回收料改性技術(shù)
項(xiàng)目簡(jiǎn)介： 本項(xiàng)目針對(duì)聚丙烯 ( PP ) 基汽車(chē)零部件回收料， 難以高添加量
西華大學(xué)
2021-04-14
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高性能稀土基單分子磁體中的對(duì)稱(chēng)性策略
驗(yàn)證D5h局域?qū)ΨQ(chēng)性可以有效減弱橫向磁各向異性以及抑制磁量子隧穿效應(yīng)（Chem. Sci.2013, 4, 3310），隨后再進(jìn)一步通過(guò)精準(zhǔn)分子設(shè)計(jì)，創(chuàng)造了其時(shí)單分子磁體的有效能壘和磁滯回線(xiàn)開(kāi)口溫度的世界紀(jì)錄（Angew. Chem. Int. Ed.2014, 53, 12966;J. Am. Chem. Soc.2016, 138, 5441;J. Am. Chem. Soc.2016, 138, 2829），同時(shí)又發(fā)現(xiàn)D5h局域?qū)ΨQ(chēng)性的鈥單離子磁體中的超精細(xì)相互作用可以有效抑制零場(chǎng)磁量子隧穿效應(yīng)（Angew. Chem. Int. Ed.2017, 56, 4996） 為高性能稀土基單分子磁體中的對(duì)稱(chēng)性策略（包括對(duì)稱(chēng)性策略的理論基礎(chǔ)、高性能單分子磁體中的理論模擬和實(shí)驗(yàn)分析、相關(guān)實(shí)例討論）以及未來(lái)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)作了全面論述
中山大學(xué)
2021-04-13
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氫能源車(chē)用納米結(jié)構(gòu)鎂基合金復(fù)合儲(chǔ)氫材料
針對(duì)車(chē)載氫能源的難題，開(kāi)展納米結(jié)構(gòu)鎂基合金復(fù)合材料儲(chǔ)氫研究，特別開(kāi)展了 Mg 納米線(xiàn)的儲(chǔ)氫性能研究。
MgH2（7.6wt% H2）是理想的輕質(zhì)儲(chǔ)氫材料之一，但其緩慢的吸放氫動(dòng)力學(xué)和相對(duì)高的操作溫度，限制了它的發(fā)展。為了改善鎂基材料的儲(chǔ)氫性能，通過(guò)氣相傳輸?shù)姆椒ㄖ苽淞瞬煌蚊驳?Mg 納米線(xiàn)。
結(jié)果表明，改變載氣流速、傳輸溫度和沉積基底，可以控制 Mg 納米線(xiàn)的長(zhǎng)度和直徑。測(cè)試結(jié)果顯示，Mg 納米線(xiàn)降低了脫附能壘，改善了熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，直徑為 30-50nm 的 Mg 納米線(xiàn)具有良好的可逆儲(chǔ)放氫性能。研究成果發(fā)表在 J. Am. Chem. Soc.，J. Phys. Chem. C，J. AlloysCompds 等期刊上，授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利 2 項(xiàng)。
南開(kāi)大學(xué)
2021-04-13