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基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導體輻射探測器及制備方法
本發明公開了一種基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導體輻射探測 器及其制備方法，涉及半導體材料制備的射線成像探測器技術領域。 所述的半導體輻射探測器結構包括以Bi基四元鹵化物單晶作為射線吸 光層，電子選擇性接觸選擇層，空穴選擇性接觸層，分別貼合在所述 吸光層的兩面，兩個電極分別與兩個選擇性電荷接觸層接觸，作為器 件的正極和負極。本發明的半導體輻射探測器具備高靈敏度，環境友 好，穩定等優點。
華中科技大學
2021-04-14
一種基于開關表的三相可控整流器模型預測控制方法
本發明公開了一種基于開關表的三相可控整流器模型預測控制 方法，包括如下步驟：(1)將電網電壓矢量角度分為十二個扇區，對三 相可控整流器采用八個候選電壓控制矢量；(2)依據三相可控整流器的 電網側有功以及無功功率隨電網電壓矢量角度的變化規律，確定每個 扇區對應的候選電壓控制矢量，生成開關表；(3)在當前時刻判定當前 的電網電壓矢量角度所屬扇區，從開關表中提取對應的候選電壓控制 矢量；(4)依據提取的候選電壓矢量預測下一時刻的電網側有功以及無 功功率，從中選取最佳電壓控制矢量。本發明將開關表和模型預測控
華中科技大學
2021-04-14
利用鉸鏈式六面頂壓機制備高性能聚晶金剛石的方法
本發明公開了利用鉸鏈式六面頂壓機制備高性能聚晶金剛石的方法，其特點是該方法采用金剛石或含部分金剛石的碳粉體為原料，不添加任何金屬或陶瓷粘結劑，經凈化除雜，粉體表面在真空度4x10-3～4x10-5Pa，溫度800～1500℃，凈化處理0.5h～5h。表面凈化的金剛石粉體預壓成型，放置于鉸鏈式六面頂壓機上，于溫度1400-2500℃，壓力為8～20GPa, 燒結1～30min，制得高性能聚晶金剛石塊體材料。
四川大學
2017-12-28
一種基于水性樹脂的超細纖維合成革基布的含浸方法
本發明公開了一種基于水性樹脂的超細纖維合成革基布的含浸方法。首先將固含量為20~50%的水性耐堿水解型聚氨酯乳液100份，固含量30~40%的堿溶性丙烯酸及其酯共聚物乳液40-100份，水0~250份，增稠劑0.6~3份混合均勻，制得水性含浸漿料；然后將超細纖維纖無紡布浸漬于水性含浸漿料中，然后干燥5~20min；接著用5~15%的氫氧化鈉水溶液中進行堿減量處理，減量溫度為80~95℃，減量時間為30~120min，丙烯酸及其酯共聚物水解溶出，從而在超細纖維合成革中形成泡孔結構；堿減量后的基布進行水洗、烘干，最后經后整理得到超細纖維合成革。
四川大學
2017-12-28
石化企業循環冷卻水系統水泵機組及調節閥最優組合運行方案確定方法
本成果為節省石化企業循環冷卻水系統水泵機組耗能，在滿足設備及工藝對冷卻水流量、壓力要求的前提下，充分利用系統離心泵的功率特性和閥門的調節功能，首次提出根據環境溫度、基于系統最小需求流量和滿足系統壓力要求的循環冷卻水系統同型號泵機組與調節閥、大小泵機組與調節閥兩類系統的最優組合運行方案及其精確定量確定方法，實現循環冷卻水系統水泵機組及調節閥的最優組合運行，節能 40%~60%。
揚州大學
2021-04-14
一種考慮三相不平衡因素的π型等值電路的生成方法
本發明涉及一種考慮三相不平衡因素的π型等值電路的生成方法，屬于電學技術領域。該方法執行如下步驟：步驟S1，建立三相等效電路模型；步驟S2，推導交流側三相電流與交流側三相電壓、直流側電壓關系表達式；步驟S3，推導直流側電流與交流側三相電壓、直流側電壓關系表達式；步驟S4，建立直流電流和AC?DC換流器交直流側電壓的關系表達式；步驟S5，將用步驟S4中的
東南大學
2021-04-14
功能化氧化石墨烯修飾聚合物凝膠電解質及其制備方法和應用
本發明公開了一種功能化氧化石墨烯修飾聚合物凝膠電解質及其制備方法和應用。功能化氧化石墨烯是指氧化還原活性物質通過氫鍵分子間作用力、醚鍵、酯鍵或酰胺鍵化學鍵作用力、Π?Π堆積分子間作用力與氧化石墨烯連接而成。具有單層或多層結構的功能化氧化石墨烯排列在多羥基高分子聚合物基體內，形成三維多級層間結構的功能化氧化石墨烯修飾聚合物凝膠電解質。所述的多級層間結構
東南大學
2021-04-14
一種多傳感器融合的超近距離自主導航裝置與方法
本發明公開了一種多傳感器融合的超近距離自主導航裝置與方法。該裝置包括傳感器子系統、信息融合子系統、敏感器掃描結構和指向導引結構，將可見光成像敏感器與紅外成像敏感器結合，并結合光學成像敏感器組成的被動式測量方式與激光測距傳感器組成的主動式測量方式獲取數據。自主導航分為三個階段：遠距離段采用雙目可見光成像敏感器和雙目紅外成像敏感器組合的導航方式，近距離段采用雙目可見光成像敏感器、雙目紅外成像敏感器和激光測距傳感器陣
華中科技大學
2021-04-14
一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制備方法
本發明公開了一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制 備方法。該制備方法適用于制備三維半導體存儲器的 U 型溝道：采用 雙離子束沉積技術，一束離子轟擊靶材，使材料原子發生溢出，原子 沿軌跡沉積到深孔中，一束離子轟擊深孔表面，使沉積的材料無法覆 蓋深孔頂部，從而確保三維半導體存儲器件 U 型溝道的完整形成。U 型溝道的半導體存儲器件的電極從器件上方引出，減小了電極的接觸 面積，同時U型半導體存儲器件的NAND串可以包
華中科技大學
2021-04-14
一種還原自組裝蛋白質包裹磁性微球的制備方法及應用
本發明公開了一種還原自組裝蛋白質包裹磁性微球的制備方法。該方法利用巰基乙醇、二硫蘇糖醇或者 3-巰基-1,2-丙二醇作為還原劑，通過還原反應打開蛋白質的二硫鍵，使蛋白質暴露出巰基和疏水區域，與磁性納米顆粒通過巰基配位以及疏水作用自組裝形成核殼結構的蛋白質包裹磁性微球。本發明制備的蛋白質包裹微球粒徑易調控，穩定性、水溶性好，不易聚集，非特異性吸附小，具有優異的生物相容性，無需使用特殊設備、耗時短、易操作、生產成本低廉，制備條件溫和，在制備過程中直接固定特異性抗體，得到偶聯抗體的蛋白質包裹磁性微球活性高
華中科技大學
2021-04-14