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大功率半導體激光器外延與芯片制備
成果簡介本項目在國家973計劃、863計劃等研究成果基礎上，跟蹤國際趨勢，形成9**nm 大功率單發光條半導體激光器，輸出功率大于12W，壽命1萬小時。主要優勢：（1 ）填補國內空白。（2 ）易于光纖耦合。（3 ）多種波長可選。應用簡介所處研發階段：中試階段適合應用領域：直接光加工、
北京工業大學
2021-04-14
一種 MEMS 陀螺儀芯片雙面陽極鍵合工藝
本發明提出這樣一種陽極鍵合工藝方法：將 MEMS 陀螺儀器件層沉積到臨時高分子襯底上，完成金屬電極沉積和 MEMS 結構刻蝕之后，將臨時高分子襯底用化學機械拋光的方法去除。去除之后，將玻璃基體和玻璃蓋帽分別緊貼 MEMS 結構的兩側，加電加熱后一次完成雙面陽極鍵合。這種工藝方法與傳統的兩次陽極鍵合分兩步進行相比，更加節省成本，而且避免了第二次陽極鍵合對第一次陽極鍵合強度削弱這個固有缺點，使得產品可靠性提高。
華中科技大學
2021-04-14
一種基于電控液晶平面微透鏡的波前控制芯片
本發明公開了一種基于電控液晶平面微透鏡的波前控制芯片。芯片包括面陣電控液晶平面微透鏡，其包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、圖形化電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、公共電極層、第二基片和第二增透膜；公共電極層由一層勻質導電膜構成；圖形化電極層由 m×n 元陣列分布的子電極構成，每個子電極均由繞圓周呈十字叉型均勻分布的四個條狀導電膜構成，單個
華中科技大學
2021-04-14
一種基于電控液晶匯聚微透鏡的波前測量芯片
本發明公開了一種基于電控液晶匯聚微透鏡的波前測量芯片。包括面陣電控液晶匯聚微透鏡和面陣可見光探測器；面陣電控液晶匯·743·聚微透鏡包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、圖形化電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、公共電極層、第二基片和第二增透膜；公共電極層由一層勻質導電膜構成，圖形化電極層由其上布有 m×n 元陣列分布的方孔或圓孔的
華中科技大學
2021-04-14
一種液晶基多眼套疊仿生成像探測芯片
本發明公開了一種液晶基多眼套疊仿生成像探測芯片，包括多眼套疊成像探測架構，其包括同軸順序設置的驅控與圖像預處理模塊、面陣可見光探測器以及面陣電控液晶聚光微透鏡，面陣電控液晶聚光微透鏡包括 m×m 個單元微透鏡，其中 m 均為正整數，面陣可見光探測器被劃分為 m×m 個子面陣可見光探測器，每個子面陣可見光探測器包括 m×m 個光敏元，面陣電控液晶聚光微透鏡用于接收目標光波，并將該目標光波離散分割到面陣可見光探測器中不同
華中科技大學
2021-04-14
基于電控液晶紅外發散平面微透鏡的紅外波束控制芯片
本發明公開了一種基于電控液晶紅外發散平面微透鏡的紅外波束控制芯片。其包括電控液晶紅外發散平面微透鏡陣列；電控液晶紅外發散平面微透鏡陣列包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初·750·始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質導電膜構成；圖形化電
華中科技大學
2021-04-14
一種用于高密度芯片的倒裝鍵合平臺
本發明公開了一種用于高密度芯片的倒裝鍵合平臺，包括基座、芯片剝離和翻轉單元、XY 向運動單元、多自由度鍵合頭和貼裝臺單元，其中芯片剝離和翻轉單元用于將晶圓盤上的芯片分別執行剝離和翻轉，并將其送至待拾取位置；多自由度鍵合頭以懸臂形式安裝在 XY 向運動單元的支撐導軌上，并具有主動調平和對準功能；貼裝臺單元用于吸附基板并與鍵合頭相配合，由此實現芯片與基板之間的相互定位。此外，為了保證各單元高精度的運動或配合，該倒裝鍵合平臺中還配置有多套視覺定位系統。通過本發明，能夠達到微米級的對準精度，平行調整精度優于
華中科技大學
2021-04-14
一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片
本發明公開了一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片。包括面陣電控液晶成像微透鏡和面陣光敏探測器，其中，單元電控液晶成像微透鏡用于對目標通過物鏡形成的壓縮光場執行進一步的匯聚式壓縮，通過調變加載在所述面陣電控液晶成像微透鏡上的信號電壓的均方幅值，調變所述單元電控液晶成像微透鏡的光匯聚能力，進而調變由物鏡和所述單元電控液晶成像微透鏡共同確定的目標對焦平面，從而在深度方向上改變能清晰成像的目標圖層，執行成像視場在深度
華中科技大學
2021-04-14
一種雙模復合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片
本發明公開了一種雙模復合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，包括：芯片殼體、電控散光液晶微透鏡陣列、以及電控聚光液晶微透鏡陣列，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列級聯耦合構成雙模復合電調架構，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列均設置在芯片殼體內部，二者彼此緊密貼合并與芯片殼體連接，且二者的光軸重合，電控散光液晶微透鏡陣列的光入射面和電控聚光液晶微透鏡陣列的光出射面分別通過芯片殼體頂面和底面的開口
華中科技大學
2021-04-14
1435C/D/E/F/H/L信號發生器9KHz~400GHz
上海啟莫科技有限公司
2022-03-17