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薄膜太陽(yáng)能電池材料光譜響應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)
產(chǎn)品詳細(xì)介紹■ 光譜測(cè)量范圍：200-1100nm■ 測(cè)量重復(fù)性：≤3%（主要波長(zhǎng)位置）■ 光源：高穩(wěn)定、高輸出能量氙燈光源■ 標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器經(jīng)國(guó)家一級(jí)計(jì)量單位定標(biāo)■ 標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器、待測(cè)探測(cè)器自動(dòng)切換■ 光譜響應(yīng)度曲線自動(dòng)生成■ 樣品室內(nèi)包含標(biāo)準(zhǔn)樣品架、固體樣品架和液體電解池樣品架■ 被測(cè)太陽(yáng)光伏器件可為無(wú)機(jī)晶體、有機(jī)樣品，可固體，也可固體，可加偏執(zhí)電壓等
北京卓立漢光儀器有限公司
2021-08-23
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一種薄膜非連續(xù)卷繞輸送模切裝置
本發(fā)明提供一種薄膜非連續(xù)卷繞輸送模切裝置，包括：放料輥，用于對(duì)成卷柔性薄膜的放卷；收料輥，用于對(duì)成卷柔性薄膜的收卷；輸送對(duì)輥，設(shè)在所述放料輥和收料輥之間，用于完成薄膜進(jìn)給；摩擦對(duì)輥和設(shè)在放料輥上的滑差軸，用于協(xié)作保持薄膜在進(jìn)給過(guò)程中的張力穩(wěn)定；模切機(jī)，用于完成薄膜裁切；工業(yè)相機(jī)，用于對(duì)薄膜的模切切痕成像；工業(yè)計(jì)算機(jī)，用于對(duì)模切切痕成像進(jìn)行圖像處理，處理得到的誤差作為薄膜輸送進(jìn)給步長(zhǎng)的精度補(bǔ)償。本發(fā)明通過(guò)視覺(jué)裝置識(shí)別薄膜上的模切切痕，圖像處理所得薄膜進(jìn)給誤差，補(bǔ)償下一步薄膜進(jìn)給步長(zhǎng)，有效保證薄膜非連續(xù)卷繞進(jìn)給工況下，模切機(jī)薄膜進(jìn)給精度和裁切切口均勻性。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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智能控溫節(jié)能氧化釩（VO2）薄膜的制備
成果介紹智能控溫薄膜可以實(shí)現(xiàn)高溫下對(duì)紅外線的反射和低溫下對(duì)紅外線的透射，是一種無(wú)需能源的智能空調(diào)。技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及參數(shù)室溫可用（20℃-40℃）節(jié)能減排（無(wú)需能源）滿足了實(shí)時(shí)反饋的需求滿足了溫度控制的需求提出了在室溫下實(shí)現(xiàn)智能變色的可能性
東南大學(xué)
2021-04-11
一種多層柔性薄膜的剝離裝置及剝離方法
一種多層柔性薄膜的剝離裝置，剝離裝置的剝離刀為橫截面為 圓角多邊形的柱狀結(jié)構(gòu)，具有多個(gè)不同彎曲半徑和彎曲角度的圓弧剝 離面，使用時(shí)可根據(jù)不同的薄膜選擇不同剝離面進(jìn)行剝離加工，無(wú)須更換剝離刀，大大提高了剝離刀的適用范圍，并進(jìn)一步運(yùn)用剝離刀的 幾何參數(shù)與剝離效果的關(guān)系理論，設(shè)計(jì)優(yōu)化得到最優(yōu)的剝離刀結(jié)構(gòu)， 得到最佳的剝離質(zhì)量和剝離效率，剝離裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉，在 大面積柔性器件的封裝領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應(yīng)用
本發(fā)明公開(kāi)了一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應(yīng)用，其中 該光子晶體水凝膠薄膜包括聚丙烯酰胺凝膠、以及分布在該聚丙烯酰 胺凝膠內(nèi)的 Fe3O4@C 納米粒子，其中所述 Fe3O4@C 納米粒子為 Fe3O4 表面包覆有 C 材料的納米粒子，所述 Fe3O4@C 納米粒子在所 述聚丙烯酰胺凝膠中沿某一方向呈鏈狀排列，該 Fe3O4@C 納米粒子 在該光子晶體水凝膠薄膜中的濃度為 1～50mg/mL。本發(fā)明通過(guò)對(duì)光子 晶體
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜、復(fù)合導(dǎo)熱膜及吸附材料
將石墨烯進(jìn)行二維或三維組裝，制備透明可導(dǎo)電薄膜、復(fù)合導(dǎo)熱膜及吸附材 料技術(shù)。
上海理工大學(xué)
2021-01-12
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一種Sn摻雜CrO2薄膜及其制備方法
小試階段/n磁性半金屬CrO2薄膜在自旋電子器件中有廣闊的應(yīng)用前景，然而，其化學(xué)性質(zhì)不夠穩(wěn)定，即使在室溫下也容易轉(zhuǎn)化為Cr2O3。本發(fā)明采用SnI4和CrO3作為前驅(qū)物，通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD）成功制備出Sn摻雜CrO2薄膜，使薄膜的熱穩(wěn)定性大大提升，從而解決了CrO2薄膜穩(wěn)定性的問(wèn)題。
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
旦大學(xué).jpg){kind=logo}
氧化物薄膜晶體管材料及其器件
本項(xiàng)目主要研究和開(kāi)發(fā)高遷移率透明氧化物半導(dǎo)體薄膜，重點(diǎn)研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導(dǎo)體薄膜;篩選合適的介質(zhì)層材料，研 究和制備優(yōu)質(zhì)致密的透明介質(zhì)層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導(dǎo)電氧化物電極、透明氧化物半導(dǎo)體溝道層和透明介 質(zhì)層構(gòu)成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術(shù)對(duì) I-V 特
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
化合物薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法
化合物薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法，屬于半導(dǎo)體光電材料與薄膜太陽(yáng)能電池制備領(lǐng)域，解決現(xiàn)有化合物薄膜太陽(yáng)能電池中所需材料在地殼中含量較少、價(jià)格昂貴、對(duì)人體有毒的問(wèn)題。本發(fā)明的化合物薄膜太陽(yáng)能電池，包括襯底及透明電極層、N 型緩沖層、P 型吸收層和背電極層，P 型吸收層材料為 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本發(fā)明的制備方法包括沉積透明電極層步驟、沉積 N 型緩沖層步驟、沉積 P 型吸收層步驟、沉積電極層
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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高品質(zhì)大尺寸微波單晶石榴石薄膜材料
本項(xiàng)目共包括10項(xiàng)授權(quán)專(zhuān)利，其中高品質(zhì)微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)，同時(shí)將這種單晶薄膜應(yīng)用在微波器件/結(jié)構(gòu)、太赫茲結(jié)構(gòu)/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)。本項(xiàng)目突破了我國(guó)在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國(guó)內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對(duì)石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴(lài)進(jìn)口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國(guó)第一條大尺寸磁
電子科技大學(xué)
2021-04-14