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高等教育領域數字化綜合服務平臺
智能制造柔性化實訓工作站
深圳市越疆科技有限公司
2022-06-14
云智數字教育-智能制造專業群建設方案
云智數字教育智能制造專業群建設方案，秉承“產教融合、工學結合、多元育人、國際化合作”的理念，以崗位需求為標準、以發展技能為核心，構建人才培養模式，以就業為導向、以產學研為途徑，引入企業實際案例，創新課程體系，培育符合市場和企業需求的高素質復合型、技能型人才。依托守中集團五系工業機器人技術核心優勢，聚焦數字孿生等趨勢性技術，建設由“智能制造綜合實訓中心+校外實訓基地”構成的“實訓、實習、實崗”的三實教學模式，提供創新型、技術型、實務型、復合型人才培養，為院校賦能提供一站式的實踐教學解決方案。
深圳市云智數字技術教育有限公司
2022-08-01
一種抗高溫氧化耐磨鈷基合金絲材及其制備方法
本發明公開了一種抗高溫氧化耐磨鈷基合金絲材及其制備方法。合金刷絲成分為Ｃｒ １３～１７％、Ｎｉ １１～１５％、Ｗ １０～１４％，Ｍｏ ２．４～４．３％、Ａｌ １．２～１．６％、Ｔｉ ２．８～３．６％，Ｎｂ ０．１～０．５％、Ｔａ １．２～１．８％、Ｒｅ ０．０３～０．０６％、Ｃｅ ０．０１～０．０５％、Ｃ ０．０２～０．１％、Ｂ ０．００５～０．０１５％、Ｚｒ ０．０２～０．０７％、Ｃｏ為余量。該合金的制備工藝路線為：真空熔煉?重熔?鍛造?熱軋?拉拔?固溶處理?時效處理。將原材料按質量百分比配料熔煉
東南大學
2021-04-14
一種帶材收卷跑偏的補救糾偏系統及其控制方法
本發明公開了一種帶材收卷跑偏的補救糾偏系統及其控制方法， 所述系統包括收卷裝置、監測裝置、糾偏裝置、預收卷裝置和控制模 塊，所述監測裝置的圖像采集器實時采集收卷輥兩側邊緣剛剛收卷區 域的圖像并將其傳輸給控制模塊，控制模塊根據接收到的圖像判斷收 卷帶材是否跑偏，若跑偏，則控制模塊控制收卷電動機停轉，同時控 制預收卷裝置和糾偏裝置運作完成糾偏過程，最后由控制模塊控制預 收卷裝置和糾偏裝置回到正常收卷時的位置。本發明能夠對
華中科技大學
2021-04-14
一種用于內燃發電增程式電動車的整車能量管理控制器
本發明公開了一種用于內燃發電增程式電動車的整車能量管理控制器。本發明中的微控制器MCU利用自身功能端口，通過ICE負荷調整電路檢測和控制內燃機ICE，通過ISG整流與逆變電路檢測和控制起動發電一體機ISG工作；通過蓄電池SOC、驅動需求功率檢測電路讀取當前蓄電池充放電狀態、驅動電機及其控制器放電狀態；通過雙向DC/DC電路調整增程器和蓄電池兩端電壓比，優化增程器內燃機運行工況；控制器電源調整電路為控制器中各模塊提供所需工作電源。本發明可根據當前蓄電池的剩余電量水平和整車驅動需求功率起停增程器、調整增程器輸出功率和運行工況、協調蓄電池充放電管理，在整車能量管理上實施最優控制。
浙江大學
2021-04-11
一種高強度抗靜電增塑聚氯乙烯透明薄膜及其制備方法
本發明公開了一種高強度抗靜電增塑聚氯乙烯透明薄膜及其制備方法，該透明薄膜綜合性能優異，具有高力學強度、高彈性、高可見光透過率、低霧度、耐寒性好、耐水抽出、抗靜電效果長期穩定等綜合性能優異等特點，由于配方不使用PNBR等高成本的原料，配方相對簡單、制備工藝簡化，有效降低了該功能薄膜的制造成本。本發明的高強度抗靜電增塑聚氯乙烯透明薄膜，其由以下質量配比的原料制成：聚氯乙烯樹脂100份、抗靜電劑增塑劑30～45份、非抗靜非耐寒型增塑劑10～25份、耐寒增塑劑10～15份、離子液體聚合物2.0～3.5份、液體復合熱穩定劑1.0～1.5份、加工助劑0.5～1.5份、潤滑劑0.3～0.5份。
南京工業大學
2021-01-12
納米級氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的制備
氧化銦錫（indium-tin-oxide）簡稱ITO，ITO靶材是一種功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明導電膜玻璃。以金屬銦、錫為原料采用共沉淀法制備出納米級ITO復合粉體。粉體造粒成型后分別采用加壓和常壓燒結法制備出相對理論密度大于99.5%、氧化銦單一相的ITO靶材。 粉體純度大于99.99%、顆粒分散性好，粒徑10nm—80nm之間可控，BET比表面積30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相對理論密度99.5%。 威海市藍狐特種材料有限公司已采用該技術建設年產20噸納米級氧化銦錫復合粉體生產線，采用該粉體燒制的ITO靶材相對理論密度達到99%以上。國內相對理論密度大于99%的ITO靶材主采用進口產品。 金屬銦、錫是我國的優勢資源，生產設備都是定型通用設備，年產20噸納米級氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的生產廠需要人員50名。納米級氧化銦錫粉體制備已建設年產20噸生產線。高密度ITO靶材的制備已完成實驗室小試。
北京化工大學
2021-02-01
半導體輔材用多晶硅中碳、氮雜質的分離去除技術
伴隨著我國半導體行業的迅速崛起，硅電極作為光刻設備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉變為多晶硅電極，然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質的污染，導致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質顆粒夾雜，嚴重影響了多晶硅電極的使用性能。
傳統制備技術下，設備熱場結構單一，熔體流動性差，導致SiC、Si3N4雜質循環溶解—析出，難以有效分離。本項目團隊前期利用電子束精煉技術去除硅中的蒸發性雜質（P、 O、N）；利用電子束誘導實現多晶硅的定向凝固，進而分離硅中的金屬雜質；基于電子束冷床效應分離硅中的SiC、Si3N4硬質顆粒，并揭示硬質顆粒與硅基體間的位相關系；基于上述研究開發出了多晶硅電極的制備工藝，可應用于刻蝕等半導體制造等領域。
本項目預期可以為半導體行業中硅電極生產制造企業提供穩定的技術支持，具有很好的生產示范性，實現高新技術產業化。該技術能夠有效地降低生產過程中的能耗，是一種低成本、環境友好的生產方法，屬于節能、環保的綠色制造技術。該技術的大規模應用和推廣，可大幅增加就業崗位，提高企業的市場競爭力，保護環境。
大連理工大學
2021-05-10
單疇超導塊材Gd-Ba-Cu-O 的制備與其超導性能的研究
直徑為25 mm的YBa2Cu3O7-δ(Y123)單疇超導塊材在溫度為77K時，捕捉磁場高達4 T；而在29 K時，捕捉磁場甚至達17 T，優越的性能促進了該類超導材料在電機、發電機、工業污水處理、醫學核磁共振等方面的應用研究。
本課題以通過熔融織構方法生長高性能的單疇超導塊材作為研究對象，選擇合適的單相氧化物作為第二相生長GdBa2Cu3O7-δ超導塊材。在制備的高質量系列樣品的基礎上，通過低溫磁性測量分析臨界電流密度隨溫度及摻雜量的變化曲線；分析微觀結構，揭示第二相、缺陷等對超導性能影響的原因。以期找出提高超導塊材性能的合理生長方法，對其微觀機制給出盡量圓滿的解釋。這也為澄清與當前超導材料前沿課題緊密相關的一些基本問題的理解提供基礎研究資料。
該項目已獲國家自然基金項目立項支持。
上海電力大學
2021-04-29
一種高擇優取向細晶超高純鋁靶材的制備方法
本發明涉及金屬材料加工技術領域，具體涉及一種高擇優取向細晶超高純鋁靶材的制備方法。包括以下步驟：將超高純鋁板材于５０℃～３００℃下熱軋，道次壓下量控制在４０％～５０％；將熱軋后的超高純鋁板材在１００～３００℃溫度下保溫０～１小時；然后進行冷軋，道次壓下量控制在４０％～５０％，通過對板材進行道次間空冷、水冷以及冰水冷卻控制板材軋制過程的溫升，抑制板材的
東南大學
2021-04-14