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二維材料硒化銦的非晶化方法
本申請涉及一種二維材料硒化銦的非晶化方法。本申請的非晶化方法包括：S1：提供設置有納米層狀硒化銦樣品的電學芯片；S2：對電學芯片施加脈沖電壓，使硒化銦發生非晶化。本申請通過施加脈沖電壓來誘導非晶化，具有快速、精確、節能等優勢，適用于高性能電子和光電器件的制造。
蘭州大學
2021-01-12
智能控溫節能氧化釩（VO2）薄膜的制備
成果介紹智能控溫薄膜可以實現高溫下對紅外線的反射和低溫下對紅外線的透射，是一種無需能源的智能空調。技術創新點及參數室溫可用（20℃-40℃）節能減排（無需能源）滿足了實時反饋的需求滿足了溫度控制的需求提出了在室溫下實現智能變色的可能性
東南大學
2021-04-11
一種多層柔性薄膜的剝離裝置及剝離方法
一種多層柔性薄膜的剝離裝置，剝離裝置的剝離刀為橫截面為 圓角多邊形的柱狀結構，具有多個不同彎曲半徑和彎曲角度的圓弧剝 離面，使用時可根據不同的薄膜選擇不同剝離面進行剝離加工，無須更換剝離刀，大大提高了剝離刀的適用范圍，并進一步運用剝離刀的 幾何參數與剝離效果的關系理論，設計優化得到最優的剝離刀結構， 得到最佳的剝離質量和剝離效率，剝離裝置結構簡單、成本低廉，在 大面積柔性器件的封裝領域具有廣闊應用前景。
華中科技大學
2021-04-11
一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應用
本發明公開了一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應用，其中 該光子晶體水凝膠薄膜包括聚丙烯酰胺凝膠、以及分布在該聚丙烯酰 胺凝膠內的 Fe3O4@C 納米粒子，其中所述 Fe3O4@C 納米粒子為 Fe3O4 表面包覆有 C 材料的納米粒子，所述 Fe3O4@C 納米粒子在所 述聚丙烯酰胺凝膠中沿某一方向呈鏈狀排列，該 Fe3O4@C 納米粒子 在該光子晶體水凝膠薄膜中的濃度為 1～50mg/mL。本發明通過對光子 晶體
華中科技大學
2021-01-12
一種Sn摻雜CrO2薄膜及其制備方法
小試階段/n磁性半金屬CrO2薄膜在自旋電子器件中有廣闊的應用前景，然而，其化學性質不夠穩定，即使在室溫下也容易轉化為Cr2O3。本發明采用SnI4和CrO3作為前驅物，通過化學氣相沉積(CVD）成功制備出Sn摻雜CrO2薄膜，使薄膜的熱穩定性大大提升，從而解決了CrO2薄膜穩定性的問題。
武漢科技大學
2021-01-12
化合物薄膜太陽能電池及其制備方法
化合物薄膜太陽能電池及其制備方法，屬于半導體光電材料與薄膜太陽能電池制備領域，解決現有化合物薄膜太陽能電池中所需材料在地殼中含量較少、價格昂貴、對人體有毒的問題。本發明的化合物薄膜太陽能電池，包括襯底及透明電極層、N 型緩沖層、P 型吸收層和背電極層，P 型吸收層材料為 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本發明的制備方法包括沉積透明電極層步驟、沉積 N 型緩沖層步驟、沉積 P 型吸收層步驟、沉積電極層
華中科技大學
2021-04-14
高品質大尺寸微波單晶石榴石薄膜材料
本項目共包括10項授權專利，其中高品質微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項專利技術，同時將這種單晶薄膜應用在微波器件/結構、太赫茲結構/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項專利技術。本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國第一條大尺寸磁
電子科技大學
2021-04-14
一種可尋址電調光反射率薄膜
本發明公開了一種可尋址電調光反射率薄膜。包括陰極，陽極陣列，以及設置在陰極和陽極陣列間的介電層；陽極陣列由 M×N 元陣列分布的陽極單元構成，陽極單元由規則排列且相互連通的多個子電極構成，可尋址電調光反射率薄膜被劃分為 M×N 元陣列分布的電調光反射率單元，陽極單元與電調光反射率單元一一對應，構成電調光反射率單元的陽極，所有電調光反射率單元共用陰極；通過陽極單元和陰極對電調光反射率單元執行獨立加電操作，進而通過調變加
華中科技大學
2021-04-14
一種多層柔性薄膜的剝離裝置及剝離方法
一種多層柔性薄膜的剝離裝置，剝離裝置的剝離刀為橫截面為圓角多邊形的柱狀結構，具有多個不同彎曲半徑和彎曲角度的圓弧剝離面，使用時可根據不同的薄膜選擇不同剝離面進行剝離加工，無須更換剝離刀，大大提高了剝離刀的適用范圍，并進一步運用剝離刀的幾何參數與剝離效果的關系理論，設計優化得到最優的剝離刀結構，得到最佳的剝離質量和剝離效率，剝離裝置結構簡單、成本低廉，在大面積柔性器件的封裝領域具有廣闊應用前景。
華中科技大學
2021-04-14
硅薄膜太陽電池集成組件的制備技術
本發明涉及一種硅薄膜太陽電池集成組件，它的結構和制備技術，特別是具有氧化鋅(ZnO)背反射電極的硅薄膜太陽電池集成組件及其制備技術。而ZnO背反射電極是硅薄膜太陽電池陷光結構的重要組成部分，可大幅提高電池效率。它涉及硅薄膜太陽電池集成組件的關鍵工藝——子電池內聯集成技術，屬于新型能源中薄膜太陽電池的技術領域。本發明采用掩膜蒸鍍金屬電極，結合濕法腐蝕ZnO的方法，實現具有ZnO背反射電極的硅薄膜太陽電池子電池的內聯集成技術，最終獲得硅薄膜太陽電池集成組件。該方法簡單、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太
南開大學
2021-04-14