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利用晶相共生現象可控合成異質結光催化材料
基于半導體異質結概念，首次通過工藝簡單，成本低廉熔融鹽法合成一系列鉭酸鈣基半導體異質結復合材料，發現了兩元及多元半導體復合物組分及其含量可通過改變前驅物比例簡單調控，證明該異質結復合物相，組分變化與光催化制氫性能有著密切關系，闡明不同鉭酸鈣晶相界面異質結形成促進光生電荷有效分離機制，極大地提高光催化制氫性能。
上海理工大學
2021-04-10
B/N 摻雜型 Al-Ti-C 系晶種合金
鋁合金結晶組織的微細化會顯著提高鋁材的強韌性、組織均勻性、致密性、 耐蝕性、加工工藝性和表面質量等，并減少偏析和裂紋等諸多鑄造缺陷。目前， 國內外通常采用 Al-Ti-B 或 Al-Ti-C 中間合金來細化晶粒，但 Al-Ti-B 中間合金 126 的形核襯底質點 TiB2 本身的直徑大小在 0.5-3.0μm，而且往往以較大的聚集團 形式存在，如此大的顆粒團在加入到鋁合金中后會帶來一系列的副作用。而普 通 Al-Ti-C 中間合金細化效果不穩定，易衰退，難以滿足鋁制品產品質量的要 求。 Al-Ti-C 中間合金之所以細化效果不穩定和容易衰退，是由于其中的 TiCx 晶體存在較多碳空位，從而使之失穩，且隨 TiCx中碳空位數量的增加，Al 原子 在 TiCx 表面的偏聚及有序化受到抑制，由原來的完全共格逐漸轉變為不完全共 格。因此，減少 TiCx中的碳空位是提高其結構穩定性和生核效率的關鍵。 研究表明，無空位的 TiC 是鋁的有效生核襯底，在接近凝固點的鋁熔體中， Al 原子能夠依附于其周圍形成一個完全共格的有序區，最終促進 α-Al 生核和鋁 晶粒細化。經過長期的研究和探索發現，TiCx 中的碳空位可以被原子半徑較小 的 B、N 等原子填充，最終形成摻雜型的 TiCxB1-x和 TiCxN1-x等粒子，從而降低 空位濃度并提高異質生核能力。 B 摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金中含有大量直徑在 1μm 以下（亞微米）的 TiCxB1-x 晶核襯底粒子，且彌散分布，當將該中間合金以微量（0.15%左右）加 入到待細化的鋁及其合金熔體中后，立即釋放出大量的亞微米級的摻雜型 TiC 晶核，從而使待細化鋁合金的晶粒組織得到顯著細化甚至超細化（指晶粒直徑 在微米級）。因此，采用摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金對鋁熔體進行晶粒細化處理 將是鋁加工行業又一次重要的技術進步。
山東大學
2021-04-13
一種鋁基非晶薄帶收卷裝置
本實用新型公開了一種鋁基非晶薄帶收卷裝置，包括固定底座，所述支撐操作臺頂部的兩側均固定連接有限位機構，所述支撐操作臺頂部靠近左側的位置固定連接有表面除雜裝置，所述支撐操作臺頂部且位于表面除雜裝置的右側固定連接有表面吹干裝置，所述固定底座頂部且位于支撐柱的右側固定連接有收卷固定架，所述收卷固定架的頂部轉動連接有收卷滾輪，本實用新型涉及鋁基非晶技術領域。該鋁基非晶薄帶收卷裝置，達到了薄帶收卷開始階段便于固定收卷，保證薄帶收卷傳輸過程中不出現偏移褶皺現象，保證薄帶表面的光滑度，不被劃傷，從而提高光潔度和磁
安徽建筑大學
2021-01-12
電脈沖對亞微米晶材料結構和性能的影響
電脈沖可以顯著改變材料微觀結構演化路徑和擴展材料微觀結構的特征參數范圍；為材料加工和新材料的制備提供了新的廣闊空間。電脈沖退火快速強化亞微米純鋁，短時間電脈沖退火降低拉錯密度且不引起晶粒尺寸增大，液氮下電脈沖處理可以析出致密的納米析出相，提升材料性能。
上海交通大學
2023-05-09
二維材料硒化銦的非晶化方法
本申請涉及一種二維材料硒化銦的非晶化方法。本申請的非晶化方法包括：S1：提供設置有納米層狀硒化銦樣品的電學芯片；S2：對電學芯片施加脈沖電壓，使硒化銦發生非晶化。本申請通過施加脈沖電壓來誘導非晶化，具有快速、精確、節能等優勢，適用于高性能電子和光電器件的制造。
蘭州大學
2021-01-12
智能控溫節能氧化釩（VO2）薄膜的制備
成果介紹智能控溫薄膜可以實現高溫下對紅外線的反射和低溫下對紅外線的透射，是一種無需能源的智能空調。技術創新點及參數室溫可用（20℃-40℃）節能減排（無需能源）滿足了實時反饋的需求滿足了溫度控制的需求提出了在室溫下實現智能變色的可能性
東南大學
2021-04-11
一種多層柔性薄膜的剝離裝置及剝離方法
一種多層柔性薄膜的剝離裝置，剝離裝置的剝離刀為橫截面為 圓角多邊形的柱狀結構，具有多個不同彎曲半徑和彎曲角度的圓弧剝 離面，使用時可根據不同的薄膜選擇不同剝離面進行剝離加工，無須更換剝離刀，大大提高了剝離刀的適用范圍，并進一步運用剝離刀的 幾何參數與剝離效果的關系理論，設計優化得到最優的剝離刀結構， 得到最佳的剝離質量和剝離效率，剝離裝置結構簡單、成本低廉，在 大面積柔性器件的封裝領域具有廣闊應用前景。
華中科技大學
2021-04-11
一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應用
本發明公開了一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應用，其中 該光子晶體水凝膠薄膜包括聚丙烯酰胺凝膠、以及分布在該聚丙烯酰 胺凝膠內的 Fe3O4@C 納米粒子，其中所述 Fe3O4@C 納米粒子為 Fe3O4 表面包覆有 C 材料的納米粒子，所述 Fe3O4@C 納米粒子在所 述聚丙烯酰胺凝膠中沿某一方向呈鏈狀排列，該 Fe3O4@C 納米粒子 在該光子晶體水凝膠薄膜中的濃度為 1～50mg/mL。本發明通過對光子 晶體
華中科技大學
2021-01-12
一種Sn摻雜CrO2薄膜及其制備方法
小試階段/n磁性半金屬CrO2薄膜在自旋電子器件中有廣闊的應用前景，然而，其化學性質不夠穩定，即使在室溫下也容易轉化為Cr2O3。本發明采用SnI4和CrO3作為前驅物，通過化學氣相沉積(CVD）成功制備出Sn摻雜CrO2薄膜，使薄膜的熱穩定性大大提升，從而解決了CrO2薄膜穩定性的問題。
武漢科技大學
2021-01-12
化合物薄膜太陽能電池及其制備方法
化合物薄膜太陽能電池及其制備方法，屬于半導體光電材料與薄膜太陽能電池制備領域，解決現有化合物薄膜太陽能電池中所需材料在地殼中含量較少、價格昂貴、對人體有毒的問題。本發明的化合物薄膜太陽能電池，包括襯底及透明電極層、N 型緩沖層、P 型吸收層和背電極層，P 型吸收層材料為 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本發明的制備方法包括沉積透明電極層步驟、沉積 N 型緩沖層步驟、沉積 P 型吸收層步驟、沉積電極層
華中科技大學
2021-04-14