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磁光克爾效應測量系統手動非接觸式樣品測試 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！  磁光克爾效應裝置是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結構的理想測量工具。旋轉磁光克爾效應（RotMOKE）是在磁光克爾效應測量基礎上的一種類似于轉矩測量各向異性的實驗方法，可以定量的得到樣品的磁各向異性的值。但由于電磁鐵磁場大小的限制，只適合于測量磁各向異性的易軸在膜面內而且矯頑場不太大的磁性薄膜材料。結合源表可以進行樣品的磁輸運性能測量。RotMOKE具有以下特點：測量精度高、測量時間短；非接觸式測量，是一種無損測量；測量范圍為一個點，可以測量同一樣品不同部位的磁化情況；可以產生平滑、穩定的受控磁場，并且磁場平滑過零。   您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 磁光克爾效應測量系統手動非接觸式樣品測試 磁光克爾效應測量系統廣泛應用于諸如磁性納米技術、自旋電子學、磁性薄膜、磁性隨機存儲器、GMR/TMR等磁學領域。 錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。    

產品概述： 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 磁光克爾效應測量系統 磁光克爾效應裝置是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結構的理想測量工具。旋轉磁光克爾效應（RotMOKE）是在磁光克爾效應測量基礎上的一種類似于轉矩測量各向異性的實驗方法，可以定量的得到樣品的磁各向異性的值。但由于電磁鐵磁場大小的限制，只適合于測量磁各向異性的易軸在膜面內而且矯頑場不太大的磁性薄膜材料。結合源表可以進行樣品的磁輸運性能測量。RotMOKE具有以下特點：測量精度高、測量時間短；非接觸式測量，是一種無損測量；測量范圍為一個點，可以測量同一樣品不同部位的磁化情況；可以產生平滑、穩定的受控磁場，并且磁場平滑過零。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 應用領域： 磁光克爾效應測量系統廣泛應用于諸如磁性納米技術、自旋電子學、磁性薄膜、磁性隨機存儲器、GMR/TMR等磁學領域。 可測試材料：記錄磁頭，磁性薄膜，特殊磁介質，磁場傳感器 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 產品特點： 1·測量靈敏度高，穩定性好，噪音低 2·非接觸式測量，是一種無損測量 3·可以測量同一樣品厚度不等的楔形磁性薄膜 4·可以將樣品放到真空中原位測量 5·可以測量同一樣品不同部位的磁化情況 6·縱向、橫向和極向克爾效應測試 7·三百六十度電動旋轉樣品，可測試樣品各向異性 8·手動左右和上下位移樣品，可測試樣品表面不同點的克爾效應 9·樣品座有電接口，可加入磁電耦合測試。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 技術指標: 1· 樣品尺寸：大Φ10mm的圓 2· 克爾角分辨率（δ）：0.001度； 3·橢偏率分辨率（ε）：0.1%； 4·小光斑（Φ）：10微米； 5· 大磁場：單維0.26特斯拉； 6· 樣品電動角度步進0.1度，手動位移步進10微米； 7·噪音：1%。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 技術參數： 1·光學平臺：    剛性隔震，不銹鋼貼面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm陣距，150mm臺板厚度，帶腳輪。臺面平整度0.1/1000mm，平臺載荷300Kg，固有頻率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。 2·矢量電磁鐵： 錦正茂二維矢量電磁鐵，每維大磁場0.26T，極面直徑30mm，磁場間隙40mm，中心10mm正方體內均勻區1%。 3·電磁鐵電源： 錦正茂單相雙極性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，穩定性50ppm/h，對應小分辨率0.1Gauss。 4·激光器： Newport    632.8nm，2mW，2%穩定度，噪音<1% rms（30Hz~10MHz），通過聚焦透鏡光斑小為10μm的圓。 5·起偏/檢偏器：格蘭-湯普森棱鏡，外徑25.4mm，通光孔徑10mm，消光比<5*10^-5，角度范圍14~16°，波長范圍350~2300nm。 6·聚焦透鏡：K9雙凸，設計波長633nm，外徑25.4mm，焦距150mm，焦距誤差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。 7·四分之一波片：Ø25.4mm，波長632.8nm，投射波前畸變λ/8，相位延遲精度λ/100。 8·光電傳感器：15mm²感應面積，0.21A/W響應度，暗電流1nA，對430~900nm波長光敏感，分流電阻200Mohm。 9·電流放大器：1pA/V大增益，1MHz帶寬，大輸入±5mA，大輸出±5V，增益精度為輸出的±0.05% 10·高精度電壓表：六位半，小分辨率0.1μV，90天準確度達到0.002%，四位半精度下快2000 readings/second 11·手動位移和電動旋轉樣品桿：   XYZ三維位移，XY行程25mm，Z行程13mm，轉動360度，樣品座為直徑11mm的圓，上有電接頭。 12·計算機：聯想商用，集成多串口卡。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！

由上海復旦天欣科教儀器有限公司研制生產的磁光克爾與法拉第效應綜合測試系統將兩種研究磁光效應的實驗結合于同一套測試系統中。在表面磁光克爾效應的研究中，應用該系統可以自動改變電磁鐵電流大小及方向，并實時采集記錄偏振光信號與磁場強度信號的改變，從而獲得薄膜樣品矯頑力、磁各異性等方面的信息；在法拉第效應的實驗中加入了控溫裝置，可在不同溫度下利用正交消光法檢測樣品的的費爾德常數。 應用該實驗儀主要完成以下實驗： 1．磁光克爾效應實驗：測量薄膜或者塊狀拋光鐵磁性樣品的克爾旋轉角，分析其磁學性質； 2．常溫法拉第效應實驗：測量不同材料的常溫費爾德常數； 3．變溫法拉第效應實驗：測量不同溫度情況下材料的菲爾德常數，分析溫度對材料磁滯旋光的影響； 4．法拉第效應譜線測量：測量不同光譜照射情況下材料的菲爾德常數（選用不同波長的激光器）。

產品詳細介紹 TSY-1型同軸、偏振光多功能攝影儀 價格：3860.001、45度半透半反鏡將水平方向入射光轉變成垂直的同軸光，用于對光滑表面上的痕跡進行同軸光拍照。2、配備多種濾光片，可進行分色照相。3、配備起偏鏡、檢偏鏡、偏振光眼鏡，可進行偏振光照相。4、配備底透射光，可進行透射照相。電源：AC220V，50HZ主柱升降范圍≥220mm上下調焦范圍≥150mm聚光鏡調節范圍≥220mm  

　　桐鄉市光儀教學儀器設備有限公司為普教儀器專業生產廠，有高中、初中、小學教師演示， 學生實驗用教學儀器各種類型數十種。主要產品有：初高中物理、化學、生物各類實驗材料、照明電路材料J1008 兩用氣筒 J2106 鉤 碼J2358 電阻圈 J2368 演示線路實板J2369 學生線路實驗板 J2409 演示原副線圈J2410 原副線圈 J2411 蹄形電磁鐵J2412 電鈴 J2515 雙縫干涉儀J2523 初中光學實驗盒 J2527 望遠鏡J2706 放大鏡 J218 小學聲學實驗盒J219 小學熱學實盒 J248、249 一、二年級自然盒J251 光學演示箱 J252 小學光學實驗盒等等。 產品供應全國二十多個省市教儀供應部門，部分產品口外各地政府及世行貸款教儀采購招標中屢有中標。  

光峰科技，科創板上市企業（股票代碼：688007），是一家擁有原創技術、核心專利、核心器件研造能力的全球領先激光顯示科技企業。 光峰科技于2007年發明了ALPD®激光顯示技術， 解決了長期困擾 RGB 三色激光顯示技術的系列問題，并率先在全球范圍實現技術的產業化。其被視為下一代激光顯示的發展方向，確立了我國在激光顯示領域的國際領先地位。ALPD®激光技術架構作為一個底層關鍵架構，可延伸應用至多個領域，目前已歷經四代技術升級，在全球范圍內布局專利保護。 基于首創并不斷升級的ALPD®激光顯示技術架構，光峰科技打造了激光顯示核心器件——激光光學引擎，并將該核心器件與電影、電視、教育、展示等顯示場景相結合，開發了眾多激光顯示產品及系統解決方案。 帶著科技改變人類生活的激情，光峰科技致力激光顯示技術和產品的研究創新，不斷豐富人類對美好生活的選擇，滿足人們在高速通訊及人工智能時代對信息顯示新的要求，不斷靠近“新光源 新生活”的夢想和抱負。

簡介 在外加磁場的作用下，物質的光學性質會發生改變，這就是磁光效應。磁光效應主要包含磁光克爾效應、法拉第磁致旋光效應、科頓 - 穆頓磁致雙折射效應。本實驗系統利用一套可以進行自由組合的實驗裝置，通過搭建不同的測量光路來實現對這三種完全不同的磁光效應 的測量。具體實驗內容為：測量鎳薄膜的磁光克爾旋轉角、測量蒸餾水的法拉第旋光系數、測量磁流體的磁致雙折射（科頓 - 穆頓效應） 的 o 光與 e 光的折射率差，其中前兩部分作為基礎性實驗內容開展面上實驗，第三部分作為研究性實驗內容可供在現有實驗基礎上開展研 究性實驗。

現階段所設計的存算一體器件單元結構如圖 1 所示： 器件的基本結構由波導和功能層（由下到上分為加熱層、電極層、保護層、相變材料（硫系化合物）層）所構成。擬通過在當前流行的絕緣層上硅(SOI)光子平臺上集成四氮化三硅光波導的方式實現器件的光學讀取功能，即在非常厚的硅襯底層上生長一層絕緣層二氧化硅和波導層，然后在基片上通過光刻、顯影、刻蝕等工藝制備四氮化三硅波導。功能層主要用于實現器件的電學寫入功能。加熱器層的主要用途是與相變材料層形成電接觸，通過較小的接觸面積使接觸處的熱量集中，從而可以在較小的電壓或電流下使相變材料發生相變。因此需要加熱器層具備較好的導熱和導電性能，同時在近 C 波段具有較低的光損耗，可采用石墨烯。電極層可用于提供相變材料器件單元所需要的編程電脈沖。當前擬采用硒摻雜的相變材料合金（如 GSST）作為器件的核心功能層的相變材料。該材料在通信/非通信波段顯示了極低的光損耗和更高的品質因數，且相變前后在通信 C 波段具有足夠大的光學常數反差，可在更惡劣的高溫環境下進行操作，適用于硅基光子器件應用。 采用的主要技術手段包括： ① 依托于相變材料的電致和光致相變特性，通過電學編程、光學讀取的方法實現器件的存儲、算術運算和邏輯運算功能：  存儲功能的實現：擬利用相變材料晶態低透過率和非晶態高透過率分別代表二進制中的‘1’和‘0’，實現數據存儲（編程）功能。例如在電極兩端施加合適的電脈沖，所產生電流流經加熱層時，生成的熱量主要集中在加熱層和相變材料層接觸處，使得接觸處的相變材料發生相變，實現存儲功能。在完成上述編程操作后，從器件波導輸入端輸入讀取連續光。由于相變材料功能層對光強的吸收能力在編程和非編程區域間存在著顯著的差異，因此當輸入光經過波導后，其能量會因為相變材料編程區域的吸收而發生改變，進而顯著改變輸出光強能量。所以通過測量輸入輸出光強的能量之比（即透過率），可實現對先前編程區域的讀取。  算術和邏輯功能的實現：通過調整編程電脈沖的幅度和寬度可以動態調控相變材料的相變程度，使得器件的中間透過率值可用于代表不同的數值，實現多級存儲功能。所以擬采用輸入脈沖數量對應加數的方法實現標量加法計算。同時由于所設計器件的讀取連續光輸出功率可視為讀取連續光輸入功率和器件透過率的乘積，因此可采用將輸入功率和透過率作為被乘數和乘數的方法實現基本乘法運算。除此之外還可以將器件功能層的初始狀態設置為非晶相，把晶化脈沖幅值和不足以產生晶化的脈沖幅值分別作為輸入邏輯‘1’和‘0’；同時設定一個判定閾值并與編程后器件透過率的變化率進行對比，把高于和低于閾值的透過率變化率分別作為輸出邏輯 ‘1’和‘0’；通過合理選擇編程脈沖有望實現各種邏輯功能輸出。 ② 基于器件透射率可調特性驗證其實現神經突觸的可行性。并依托所設計人工突觸構建人工神經網絡芯片，實現圖像、語音和文本識別功能：  突觸可塑性是大腦記憶和學習的神經生物學基礎，也是人工類腦器件需要實現的首要功能。為實現突觸可塑性，擬把相變材料和波導之間的耦合區域視為仿生神經突觸，左右兩端電極分別代表突觸前和突觸后，分別施加在兩端電極上的電脈沖則作為突觸前和突觸后刺激。通過調節從左右兩端電極輸入耦合區域的電脈沖時間差對耦合區域的光透過率進行連續調控，進而依托于上述存算理論模型和實物器件仿真和實驗實現仿生神經突觸的脈沖時序依賴可塑性（Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。  將不同波長的光脈沖序列輸入所設計的突觸單元, 經過相變材料的作用，脈沖強度發生變化，對應于乘法器。進而借助于微環結構，將不同波長的脈沖導入進同一波導中，該功能類似加法器。相加后的脈沖光強較小時，讀取光與微環發生共振，在輸出端口沒有光強輸出。當光強達到一定的閾值后，讀取信號不再和微環發生共振，而是傳播到輸出端口。這一過程類似神經元脈沖信號的激發，實現了非線性激活函數的功能。利用上述的單個神經元結構，驗證其監督式機器學習和非監督式機器學習。對于監督式機器學習，權重的數值通過外部管理器設置；對于非監督式機器學習，不再需要外部管理器來設置權重值，而是通過輸出光脈沖進行反饋控制，調整權重值。在單個神經元結構的基礎上，更復雜的光學脈沖神經網絡結構，證明該結構的可擴展性。擬設計的神經網絡中的每一層結構包括三個功能單元，即收集器、分發器和神經突觸結構。收集器將上一層不同波長的光脈沖信號收集到同一根波導中，分發器將光脈沖分發給多個神經元，神經突觸結構則產生光脈沖信號，輸入給下一層結構。基于上述結構實現圖片、語音和文本的識別。 創新性分析：①首次研究了一款基于“電學編程、光學讀取”模式的光電混合存算一體化器件。與傳統電學存算一體化器件相比,擬研發的器件可以進行長距離的信息傳輸，具有傳輸帶寬高、信號間延遲低、損耗低、抗干擾、集成密度高等優點。②采用硒(Se)摻雜的相變材料作為存算一體化器件的核心功能材料。與采用其他相變材料的存算一體器件相比，以硒參雜的相變材料作為功能材料的存算一體器件有望展現出極低的光損耗。③提出了一種基于“電學脈沖刺激、光學權重調節”的人工神經突觸。該突觸器件有望成為未來通用型人工神經突觸，填補了光電混合型人工突觸的技術空白。 先進性分析：①所提出的光電混合工作模式使得該存算一體化器件不但具有傳統集成電路的高密度特性，且兼具光通信技術的寬頻帶、低延遲、抗干擾的優越性能。②所采用硒參雜的相變材料不但繼承了傳統材料具有的快速相變轉化速度、低功耗和穩定性強等特性，且本身在通信波段非晶態透明的同時還保持了相變前后足夠大的光學性能差異的特點。③所設計的突觸繼承了人工電子突觸和全光突觸的優點，具有高集成度、低功耗、超快響應時間、穩定性強等優點。 獨占性分析：根據已取得成果正在撰寫專利，以獲得該關鍵技術的獨有權。 

項目成果/簡介:作為一種新的太陽能電池電池技術，有機太陽能電池具有低成本、柔性、半透明、可大面積溶液印刷等優點；在應用方面，可與當前基于硅等的無機太陽能電池形成優勢互補。特別指出的是，與鈣鈦礦太陽能電池相比，有機太陽能電池還具有環境友好的優點，在使用過程中以及使用后處理方面不會產生重金屬污染，其所使用的少量有機材料都是可降解的有機染料類化合物。效率、成本和穩定性是所以太陽能電池能否應用的關鍵要素。有機太陽能的效率目前和其它最好的太陽能電池之間的差距正在迅速縮小，目前我們實驗室已經獲得超過 1515%的效率，是有機太陽能電池領域世界最高效率；成本方面，OPV具有巨大優勢，有機材料分子結構多樣性，成本低廉；壽命方面，因成本低廉，產業界對有機太陽能電池壽命的要求不如無機太陽能電池，10 年左右的壽命可以完全滿足商業化應用，已有研究表明，OPV 壽命達到 5-7 年沒有問題，隨著研究深入，提高的 10 年以上會很快實現。 本項目圍繞有機太陽能電池的關鍵材料開展系統研究，1）提出了新的材料設計理念，發展了系列具有獨立自主知識產權的活性層材料；2）發展了成熟的高效率有機太陽能電池制備工藝技術，制備了系列高效率有機太陽能電池光伏器件，不斷刷新領域內最高太陽能電池光電轉化效率；3）制備了低成本、可溶液印刷柔性的透明電極，應用于有機太陽能電池，獲得了與目前常規透明電極，如 ITO，完全相當性能。應用范圍:目前有機太陽能電池正處在從實驗室走向實際應用的黎明階段，因其優點和特點，在可穿戴設備、建筑一體化等領域將會產生巨大的需求市場。當前國內外多家實驗室已開展完全面向實際應用的研究開發，隨著研究的不斷深入，有機太陽能電池的商品化生產應用將會很快實現。效益分析:1. 具有完全自主知識產權的高效有機太陽能電池活性層材料，且合成簡單，成本低； 2. 具有成熟的高效有機太陽能電池制備工藝； 3. 具有自主知識產權的低成本、高性能柔性透明電極，不僅完全適用有機太陽能電池，亦可廣泛應用了其它相關領域。

本發明公開了一種傳輸線和漏波天線復用器件及其波束掃描方法，所述器件包括介質基板，分別位于介質基板上下表面的金屬條帶和金屬地板，以及通過過孔連接金屬地板和金屬條帶的周期性交替排列的電容和變容二極管。金屬條帶包括兩端的漸變微帶線結構和中間的人工表面等離激元結構。當變容二極管的容值與固定電容的容值一致時，該器件的表面阻抗一致，實現傳輸線的功能；當變容二極管的容值與固定電容的容值不一致時，該器件的表面阻抗得到周期性調制，實現漏波天線輻射功能。采用電壓作為調節手段，隨著電壓的改變能夠實現波束定頻掃描；該器件制造簡單、操作方便、容易集成，只需要一步光刻過程，不僅節省造價，而且避免了多層結構引發的加工誤差。