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本實用新型公開了一種鋁基非晶薄帶收卷裝置，包括固定底座，所述支撐操作臺頂部的兩側(cè)均固定連接有限位機構(gòu)，所述支撐操作臺頂部靠近左側(cè)的位置固定連接有表面除雜裝置，所述支撐操作臺頂部且位于表面除雜裝置的右側(cè)固定連接有表面吹干裝置，所述固定底座頂部且位于支撐柱的右側(cè)固定連接有收卷固定架，所述收卷固定架的頂部轉(zhuǎn)動連接有收卷滾輪，本實用新型涉及鋁基非晶技術(shù)領(lǐng)域。該鋁基非晶薄帶收卷裝置，達到了薄帶收卷開始階段便于固定收卷，保證薄帶收卷傳輸過程中不出現(xiàn)偏移褶皺現(xiàn)象，保證薄帶表面的光滑度，不被劃傷，從而提高光潔度和磁

本發(fā)明公開了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法，其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材；S2 選擇襯底材料， 將襯底表面進行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 進行磁控濺射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup

本申請涉及一種二維材料硒化銦的非晶化方法。本申請的非晶化方法包括：S1：提供設(shè)置有納米層狀硒化銦樣品的電學(xué)芯片；S2：對電學(xué)芯片施加脈沖電壓，使硒化銦發(fā)生非晶化。本申請通過施加脈沖電壓來誘導(dǎo)非晶化，具有快速、精確、節(jié)能等優(yōu)勢，適用于高性能電子和光電器件的制造。

本發(fā)明公開了一種非晶基復(fù)合材料的制備方法，其特征在于， 包括：將片狀非晶合金與增韌第二相材料交替層疊后置于夾具中，其 中所述增韌第二相為板狀且上下表面開有陣列通孔的結(jié)構(gòu)；在恒壓或 漸增載荷的條件下，對層疊的非晶合金及多孔板加熱，同時對其實施 超聲振動，非晶合金迅速軟化并被壓入第二相增韌板的孔中，使得非 晶相合金與增韌第二相的界面冶金良好結(jié)合，而且成形過程中不會發(fā) 生晶化，從而獲得塑形良好的非晶合金復(fù)合材料。本發(fā)明還公

技術(shù)原理 ：利用乙炔和二氯氫硅合成甲基乙烯基二氯硅烷單體，再將 單體水解、中和、裂解制得乙烯基環(huán)體。后者是生產(chǎn)乙烯基硅橡膠、硅油 和硅樹脂的重要原料。 技術(shù)特點 ：解決了硅氫加成反應(yīng)中催化劑的穩(wěn)定性及抑制二次加成反 應(yīng)發(fā)生，提高催化劑的選擇性（達 96%以上），使該項目首次成功地實現(xiàn) 了產(chǎn)業(yè)化。 投資規(guī)模 ：實現(xiàn) 100 噸/年乙烯基環(huán)體，需要有 500M2 以上的生產(chǎn)廠 房

現(xiàn)有化石能源的高效綠色利用和開發(fā)新的能源技術(shù)是社會可持續(xù)發(fā)展所面臨的關(guān)鍵問題。固體氧化物燃料電池（Solid Oxide Fuel Cell，SOFC）可以以天然氣、煤氣化氣和生物質(zhì)氣等為燃料，與燃氣輪機聯(lián)合循環(huán)后的總發(fā)電效率可超過70%，被認為是化石能源最高效清潔的利用方式之一。目前全球的研究熱點是研制在中低溫條件下工作的SOFC，將SOFC的操作溫度從傳統(tǒng)的850～1000℃，降低到850℃以下的中低溫。其目的是降低電池的啟動溫度和時間，有效地降低各個部件的老化速率，提高SOFC的穩(wěn)定性和延長壽命，還可以使用廉價的不銹鋼等作為連接材料，大大降低制造成本，為SOFC的商業(yè)化提供有利條件。近幾年，我國正大力發(fā)展新能源領(lǐng)域，而在SOFC燃料電池方面，我國具有特有條件和優(yōu)勢，主要表現(xiàn)在SOFC核心材料上具有稀土氧化物資源優(yōu)勢，而在能源結(jié)構(gòu)上，煤、天然氣等化石能源占相當大的比重，政府和整個社會的環(huán)保意識也與日俱增，所以SOFC的研究開發(fā)具有相當可觀的前景。

本發(fā)明公開了一種β,β-二芳基烯的合成方法,在有機酸溶劑中,在鈀催化劑和銀鹽的存在下,鹵代芳烴與末端烯基化合物經(jīng)偶聯(lián)反應(yīng)得到β,β-二芳基烯;其中,有機酸溶劑為醋酸,鈀催化劑為醋酸鈀,銀鹽為醋酸銀、碳酸銀或氧化銀,鹵代芳烴為碘代芳烴,偶聯(lián)反應(yīng)的反應(yīng)溫度為80～130℃,反應(yīng)時間為0.25～24小時。采用本方法,以對環(huán)境友好的有機酸作為溶劑,并以銀鹽為添加劑,具有催化劑用量少,無需添加其他配體,反應(yīng)條件簡單溫和,后處理簡單,產(chǎn)物收率高等優(yōu)點。

一、項目簡介(-)-二異松蒎基氯硼烷是在藥物生產(chǎn)過程中常用的一種手性還原試劑，主要是用于把藥物分子中的醛基、酮基直接還原為具有手性的醇類。在國內(nèi)外一些高附加值的藥品的生產(chǎn)過程中，得到了廣泛的應(yīng)用。尤其在西歐、美國等發(fā)達國家的需求巨大。二、市場前景目前國內(nèi)還沒有該產(chǎn)品的生產(chǎn)，完全依賴于進口；同時，國外需求較大，有利于該產(chǎn)品的出口。三、規(guī)模與投資按年產(chǎn)10噸建廠，需設(shè)備投資30萬元，總投資50萬元。四、生產(chǎn)設(shè)備所需設(shè)備主要包括搪瓷反應(yīng)釜、冷凍機、離心分離機、空壓機、真空泵等。五、效益分析按目前市場價格計算，產(chǎn)品的生產(chǎn)成本為100元/千克，售價為800元/千克。按年產(chǎn)10噸計算，每年毛利潤可達700萬元。

主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實要求，因此亟需實現(xiàn)晶圓級二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準二維半導(dǎo)體材料的晶圓級單晶制備，率先實現(xiàn)了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設(shè)計搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場效應(yīng)晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關(guān)比（>105）和較高的開態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。