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研究發(fā)現(xiàn)具有層狀結(jié)構(gòu)的SnSe的二維界面對(duì)聲子具有強(qiáng)烈的散射作用 (圖1左)，使得SnSe沿著層間方向具有很低的熱導(dǎo)率，在773K溫度下可達(dá)最小理論值 ~ 0.18 W/mK。尋找低熱導(dǎo)率材料和降低熱導(dǎo)率是熱電領(lǐng)域長(zhǎng)期以來(lái)提高熱電優(yōu)值ZT的有效途徑。在聚焦SnSe層間低熱導(dǎo)率的基礎(chǔ)上，如能在此方向上實(shí)現(xiàn)高的電傳輸性能，則可實(shí)現(xiàn)高的熱電性能。通過(guò)簡(jiǎn)化由 Wiedemann-Franz和Pisarenko關(guān)系決定的載流子濃度對(duì)ZT值的束縛后，ZT值關(guān)系可簡(jiǎn)化為: ，可見(jiàn)提高層間電傳輸性能需同時(shí)優(yōu)化載流子遷移率 (m) 和有效質(zhì)量 (m)。 由于SnSe材料在800K溫度點(diǎn)存在一個(gè)從Pnma到Cmcm的相變，經(jīng)過(guò)同步輻射和變溫TEM實(shí)驗(yàn)測(cè)試發(fā)現(xiàn)該相變從600K便開(kāi)始持續(xù)發(fā)生。利用該持續(xù)相變特性，通過(guò)調(diào)整電子摻雜濃度可將輕導(dǎo)帶和重導(dǎo)帶之間經(jīng)歷一個(gè)簡(jiǎn)并收斂 (增加有效質(zhì)量和減小遷移率) 和退簡(jiǎn)并收斂 (減小有效質(zhì)量和增加遷移率) 的過(guò)程。利用這一過(guò)程，恰好優(yōu)化了遷移率和有效質(zhì)量的乘積 (mm) (圖1中)，使得SnSe在整個(gè)溫度范圍內(nèi)都保持較高的電傳輸性能。通過(guò)對(duì)比電子和空穴摻雜的n型和p型SnSe材料發(fā)現(xiàn)，通過(guò)電子摻雜后Sn和Se的p軌道在導(dǎo)帶底會(huì)產(chǎn)生電子離域交疊雜化（而在價(jià)帶頂則不存在這一現(xiàn)象），使得n型SnSe的電荷密度增大到足以填滿層間空隙，實(shí)現(xiàn)了層間電子的隧穿? 本征的SnSe的層狀結(jié)構(gòu)就像一堵墻，可以同時(shí)阻礙聲子和載流子 (電子和空穴) 的傳輸。但通過(guò)重電子摻雜后，導(dǎo)帶底的電子離域雜化現(xiàn)象增大了電荷密度，在墻內(nèi)和墻之間只為電子量身定制了一條傳輸?shù)乃淼溃鐖D2所示。在大電荷密度的基礎(chǔ)上，加之連續(xù)相變引起的能帶結(jié)構(gòu)變化和晶體對(duì)稱性的提高三個(gè)主要因素使得SnSe在層間方向表現(xiàn)出優(yōu)異的電傳輸性能，當(dāng)溫度高于700K時(shí)，在SnSe的層間方向產(chǎn)生了比層內(nèi)更優(yōu)異的“三維電荷”傳輸效應(yīng)。這種 “二維聲子/三維電荷” 傳輸特點(diǎn)大幅提高了n型SnSe的熱電性能。

本發(fā)明公開(kāi)了一種二維納米 SnSe2 晶體材料的制備方法，采用 化學(xué)氣相沉積法用單質(zhì)硒和鹵化錫在襯底上沉積所需厚度的 SnSe2 晶 體；其中，沉積設(shè)備為水平管式爐，順序設(shè)有上游低溫區(qū)、中心溫區(qū) 以及下游低溫區(qū)，所述單質(zhì)硒和鹵化錫分別獨(dú)立但緊靠放置于上游低 溫區(qū)，所述襯底放置于下游低溫區(qū)；利用不同溫區(qū)的溫度差，單質(zhì)硒 蒸汽和鹵化錫蒸汽形成于上游低溫區(qū)；兩者反應(yīng)生成 SnSe2，并通過(guò) 沉積載氣帶入下游溫區(qū)，在襯底上沉

衛(wèi)星在軌運(yùn)行和返回過(guò)程中需經(jīng)歷極端高低溫環(huán)境，構(gòu)件尺寸的穩(wěn)定是保證衛(wèi)星在軌高精度、返回高安全、任務(wù)高可靠的關(guān)鍵。針對(duì)衛(wèi)星搭載的某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體材料之間熱膨脹系數(shù)不匹配極易導(dǎo)致的載荷在軌及返回過(guò)程中載荷接收精度不穩(wěn)定、信息傳輸不連續(xù)等問(wèn)題。我校陳駿教授團(tuán)隊(duì)以原創(chuàng)的負(fù)熱膨脹技術(shù)研發(fā)了具有輕質(zhì)、熱膨脹系數(shù)低、力學(xué)性能優(yōu)異、尺寸穩(wěn)定性好的高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料，并研制了系列關(guān)鍵連接內(nèi)置件、環(huán)件等高性能低膨脹構(gòu)件，首次將負(fù)熱膨脹技術(shù)應(yīng)用到我國(guó)的衛(wèi)星上，填補(bǔ)了高性能低膨脹金屬構(gòu)件在工程應(yīng)用領(lǐng)域的空白。該技術(shù)使得某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體之間熱膨脹匹配性增強(qiáng)、界面應(yīng)力大幅度減小，保證了衛(wèi)星在軌與返回過(guò)程中信號(hào)高精度傳輸與接收，助力衛(wèi)星成功返回。 圖1 實(shí)踐十九號(hào)衛(wèi)星成功返回（圖片來(lái)源國(guó)家航天局） 圖2 高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料及構(gòu)件應(yīng)用于全球首顆可重復(fù)使用返回式技術(shù)試驗(yàn)衛(wèi)星（圖片來(lái)源央視新聞?lì)l道）

納米氮化硼材料兼具氮化硼和納米材料的雙重優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于航空航天、高端電子散熱材料、吸附劑、水凈化、化妝品等領(lǐng)域。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種能夠?qū)崿F(xiàn)形貌和尺寸均一且具有超大比表面積多孔氮化硼納米纖維的規(guī)模化制備技術(shù)，目前市場(chǎng)尚未實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。該技術(shù)合成工藝簡(jiǎn)單可控、成本低、過(guò)程綠色環(huán)保，處于國(guó)際領(lǐng)先地位。 1 產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域 圖2 高性能氮化硼納米纖維粉體 圖3 氮化硼納米纖維粉體微觀形貌

青島海粟是一家專門從事色譜材料，自有技術(shù)循環(huán)生產(chǎn)的企業(yè)。主要有層析硅膠、高效硅膠、硅基色譜填料、貴重金屬清除劑、色譜耗材等高性能的提純分離材料，廣泛應(yīng)用于制藥、化學(xué)合成、精細(xì)化工、科研分析制備等領(lǐng)域。 在科技國(guó)家高速發(fā)展的背景下，我們不能單純依靠國(guó)外幾十年前的技術(shù)水平，必須要?jiǎng)?chuàng)新突破，找到我們自己的道路。公司首先依靠產(chǎn)品的穩(wěn)定性，再對(duì)產(chǎn)品特性堅(jiān)持不斷的探索，對(duì)工藝環(huán)節(jié)流程認(rèn)真優(yōu)化，可提供常規(guī)和定制等不同的系列產(chǎn)品，滿足多樣化的市場(chǎng)需求。幫助客戶在分析和制備中減少項(xiàng)目問(wèn)題和提高運(yùn)行效率，共同向上發(fā)展。 公司自創(chuàng)立以來(lái)，始終堅(jiān)持“尊重、謙和、正直”的做人做事理念，致力于更用心的產(chǎn)品和服務(wù)，尊重員工和客戶的各項(xiàng)建議反饋，希望彼此協(xié)作激勵(lì)，獲得更多的認(rèn)可和信任，使公司未來(lái)發(fā)展的可持續(xù)性更好，也會(huì)協(xié)同各方積極為社會(huì)的發(fā)展做出更多的貢獻(xiàn)。

碳纖維增強(qiáng)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料耐腐蝕、耐高溫、耐磨損、韌性高，能夠廣泛用于能源、交通、化工等領(lǐng)域的關(guān)鍵部件，比如摩擦制動(dòng)材料、耐化學(xué)腐蝕葉片等。

        研發(fā)團(tuán)隊(duì)針對(duì)NASICON型結(jié)構(gòu)鈉離子電池正極材料面臨的瓶頸問(wèn)題，通過(guò)新穎的合成方法和材料晶體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)理念，成功開(kāi)發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的長(zhǎng)壽命、高功率和低成本的鈉離子電池及其超穩(wěn)定的正極材料。材料合成方法簡(jiǎn)單，反應(yīng)條件溫和，不需要特殊設(shè)備，目前已完成實(shí)驗(yàn)室中試，具備了公斤級(jí)的制備能力。成果具有高的振實(shí)密度，可實(shí)現(xiàn)高體積能量密度，具有非常優(yōu)秀的實(shí)用化潛力。         意向開(kāi)展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開(kāi)發(fā)資金支持