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項目概況 針對目前密封存在有密封液蒸發(fā)快、穩(wěn)定性差和不耐高溫和腐蝕等缺點(diǎn)，本項目選擇飽和磁化強(qiáng)度較高而抗氧化能力較高的Fe3O4作為磁流體的微粒磁性材料，使其溶于二辛酯基液形成性能穩(wěn)定、蒸發(fā)慢和耐高溫耐腐蝕的納米磁流體。利用非接觸式密封潤滑技術(shù)，把優(yōu)化配方的磁液體應(yīng)用于高性能旋轉(zhuǎn)軸密封器件中。在特殊設(shè)計密封閉合磁路系統(tǒng)中，使轉(zhuǎn)軸與極靴極齒頂端的齒形間隙中產(chǎn)生強(qiáng)弱相間的非均勻 “O”型密封環(huán)，采用梯形極靴，多級并用，增加高導(dǎo)磁套筒來減小軸向泄漏，既達(dá)到密封目的，又起到潤滑作用。本項目處于國內(nèi)先進(jìn)水平，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)。 主要特點(diǎn) 1. Fe3O4磁性微粒的制備采用了改性溶膠凝聚法相的工藝技術(shù)，這種工藝技術(shù)可使磁性微粒的粒度可調(diào)，抗氧化能力強(qiáng)和穩(wěn)定性好。 2．利用非接觸式密封潤滑技術(shù)，使優(yōu)化配方的磁液體應(yīng)用于高性能旋轉(zhuǎn)軸密封器件中。 3．不同的旋轉(zhuǎn)軸設(shè)計不同的磁路結(jié)構(gòu)，能防止軸向泄露和提高耐壓能力。 4．旋轉(zhuǎn)軸密封件的泄漏率為10-11 cm3/s，每級的耐壓能力均大于或等于0.2 atm。 技術(shù)指標(biāo)     應(yīng)用磁流體密封旋轉(zhuǎn)軸比普通的機(jī)械密封軸相比，平均壽命提高9倍，平均節(jié)約原材料總成本350%。與普通旋轉(zhuǎn)軸相比，耐壓能力高，密封性能好，壽命高，原材料及部件成本顯著降低，而且穩(wěn)定性好。市場前景 通過現(xiàn)場的工業(yè)化證明，該產(chǎn)品和他們原來使用的普通密封軸相比，密封效果的明顯提高，壽命長，性能穩(wěn)定，最重要的是原材料總成本降低了610元，使用安全方便，在生產(chǎn)過程中無污染，無三廢排放。該項目可應(yīng)用于密封性能要求高，工作環(huán)境惡劣(如堿性液、污水等)的高性能機(jī)械旋轉(zhuǎn)軸，該磁流體密封旋轉(zhuǎn)軸滿足了工業(yè)生產(chǎn)的需求，具有較好的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益。目前已為國內(nèi)多個企業(yè)所采用。

本發(fā)明公開了一種用于旋轉(zhuǎn)器件型光譜橢偏儀系統(tǒng)參數(shù)的校準(zhǔn)方法，該方法可以在一次測量中獲取旋轉(zhuǎn)器件型光譜橢偏儀中全光譜范圍的系統(tǒng)參數(shù)，其方法是將任意厚度的標(biāo)準(zhǔn)樣件作為待測樣件，使用待校準(zhǔn)光譜橢偏儀進(jìn)行測量，對測量獲得的光強(qiáng)諧波信號進(jìn)行傅里葉分析，通過傅里葉系數(shù)序列計算獲取第一個波長點(diǎn)的系統(tǒng)參數(shù)，以其作為初值，采用非線性回歸算法，通過理論光譜擬合測量光譜，獲得第一個波長點(diǎn)的系統(tǒng)參數(shù)。并依次以校準(zhǔn)獲得的第 i 個波長點(diǎn)的系統(tǒng)參數(shù)作為初值，擬合獲得第 i+1 個波長點(diǎn)的系統(tǒng)參數(shù)，進(jìn)而獲得全光譜范圍的系統(tǒng)參數(shù)。

本發(fā)明公開了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓(xùn)練 與在線運(yùn)行兩部分，在離線狀態(tài)下，對目標(biāo)閃存器件進(jìn)行先驗(yàn)性實(shí)驗(yàn)， 實(shí)驗(yàn)測試內(nèi)容包括對閃存器件內(nèi)部物理塊的存儲單元進(jìn)行大量重復(fù)的 擦除、寫入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測試周期內(nèi)的外部 特征量；然后進(jìn)行數(shù)據(jù)集訓(xùn)練，建立閃存內(nèi)部存儲單元物理狀態(tài)與外 部特征量之間的關(guān)聯(lián)；在線運(yùn)行狀態(tài)下，對正在在線運(yùn)行的閃存物理 狀態(tài)進(jìn)行識別，并預(yù)估錯誤率，并計算軟信息。本發(fā)明所提

本項目主要開展納微結(jié)構(gòu)體系光子帶隙的設(shè)計、納微結(jié)構(gòu)體系的光學(xué)非線性效應(yīng)、光波傳播動力學(xué)以及光控光操作應(yīng)用等方面的研究，發(fā)展在介觀尺度下調(diào)控光子傳輸行為的新效應(yīng)、新原理與新技術(shù)。已在Physical Review Letters、Optics Letters、Applied Physics Letters和Optics Express等國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文30余篇。其中有關(guān)鐵鋯雙摻鈮酸鋰晶體的相關(guān)成果被《Science Archived》收錄，有關(guān)非傳統(tǒng)偏壓配置條件下各種非線性光子學(xué)晶格的制備

本發(fā)明公開了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓(xùn)練 與在線運(yùn)行兩部分，在離線狀態(tài)下，對目標(biāo)閃存器件進(jìn)行先驗(yàn)性實(shí)驗(yàn)， 實(shí)驗(yàn)測試內(nèi)容包括對閃存器件內(nèi)部物理塊的存儲單元進(jìn)行大量重復(fù)的 擦除、寫入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測試周期內(nèi)的外部 特征量；然后進(jìn)行數(shù)據(jù)集訓(xùn)練，建立閃存內(nèi)部存儲單元物理狀態(tài)與外 部特征量之間的關(guān)聯(lián)；在線運(yùn)行狀態(tài)下，對正在在線運(yùn)行的閃存物理 狀態(tài)進(jìn)行識別，并預(yù)估錯誤率，并計算軟信息。本發(fā)明所提出的方法 不僅不依賴于閃存內(nèi)部的特殊命令，而且可以方便地集成進(jìn)自主閃存 控制器中，與

AlGaN/GaN HMET射頻器件有一原生的電子信道，為一常開器件，不利于射頻功率放大器電路設(shè)計與安全性。如果器件能夠?qū)崿F(xiàn)常關(guān)特性，則射頻功率放大器電路可因此簡化。然而，目前常見實(shí)現(xiàn)器件常關(guān)特性工藝需要對半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，而刻蝕工藝會對器件引入缺陷，降低器件特性，因此市面上的常關(guān)型AlGaN/GaN HMET射頻器件非常少見。

本成果通過技術(shù)鑒定，獲得省、市、部科技進(jìn)步獎及專利；大規(guī)模應(yīng)用于廣州地鐵、鐵路中彈條螺旋道釘擋板等工務(wù)配件操作中，可提高工務(wù)配件防腐蝕性能與疲勞性能；大幅度延長使用壽命減少維修成本。

基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)是近十幾年來微波毫米波學(xué)界發(fā)展起來的一種新型高性能平面集成導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，它具有極低的電磁泄露和互擾，其品質(zhì)因數(shù)和功率容量遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)平面?zhèn)鬏斁€，國內(nèi)外數(shù)百所大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)開展了大量研究，使之成為微波毫米波領(lǐng)域最受關(guān)注的研究分支之一。 學(xué)科洪偉教授課題組是國際上這一學(xué)術(shù)分支的主要倡導(dǎo)者和貢獻(xiàn)者之一，在IEEE系列刊物上發(fā)表學(xué)術(shù)論文120余篇，在美、英、德、日、韓、波、葡等國家召開的國際會議上作大會報告、特邀報告20余次，論文被40多個國家的學(xué)者正面他引5000余次，獲授權(quán)國家發(fā)明專利50余項。 該研究成果在國內(nèi)外都產(chǎn)生了比較大的影響，獲2016年度國家自然科學(xué)二等獎。

成果介紹基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)是近十幾年發(fā)展起來的一類新型平面集成高性能導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，2011年被國際微波雜志列為“改變未來無源與控制器件的十大非凡發(fā)明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011）。本項目組是國際上這一領(lǐng)域的主要貢獻(xiàn)者之一，在國家自然科學(xué)基金委創(chuàng)新群體基金和國家973項目等的資助下，對基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的傳輸特性、諧振特性、損耗機(jī)理、模式轉(zhuǎn)換機(jī)理、極化轉(zhuǎn)換機(jī)理等科學(xué)問題及其在多個分支的創(chuàng)新應(yīng)用開展了系統(tǒng)深入的研究，建立了精確有效的設(shè)計方法，構(gòu)建了基礎(chǔ)設(shè)計公式，提出并命名了半模基片集成波導(dǎo)等新型導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，提出了一系列基片集成類無源元件新結(jié)構(gòu)等。技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及參數(shù)1、在國際上最早提出并發(fā)展了適合于周期性基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的頻域有限差分和直線法全波分析模型，揭示了其傳輸機(jī)理，并在此基礎(chǔ)上構(gòu)建了一組閉式設(shè)計公式。這組公式已被廣泛用于基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)元器件的設(shè)計。相關(guān)代表作單篇正面他引均超過150次。2、提出并命名了半模基片集成波導(dǎo)、折疊半模基片集成波導(dǎo)等新型導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，系統(tǒng)研究了其導(dǎo)波特性、損耗機(jī)理和模式轉(zhuǎn)換機(jī)理等，構(gòu)建了設(shè)計公式，并在此基礎(chǔ)上發(fā)展了一系列新型微波毫米波高性能元器件，其中代表作單篇正面他引均超過100次。3、提出了多種基片集成波導(dǎo)無源新結(jié)構(gòu)，深入研究了其諧振特性、耦合特性和損耗機(jī)理，并在此基礎(chǔ)上發(fā)展了一系列高性能新型元器件及單基片集成系統(tǒng)。相關(guān)代表作合計正面他引350余次。4、在基片集成波導(dǎo)天線輻射機(jī)理研究的基礎(chǔ)上，突破了經(jīng)典Elliott設(shè)計公式的局限性，建立了相應(yīng)的分析模型和設(shè)計方法，發(fā)展了一系列新穎的高性能基片集成類天線及陣列，相關(guān)代表作由于其基礎(chǔ)性和創(chuàng)新性被合計正面他引300余次。市場前景項目研究成果已獲54項授權(quán)國家發(fā)明專利，其中部分專利已進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)讓并應(yīng)用于企業(yè)產(chǎn)品中。

該項目以基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的工作機(jī)理與創(chuàng)新應(yīng)用為主線，對這類結(jié)構(gòu)及器件的傳輸特性、損耗機(jī)理等基礎(chǔ)科學(xué)問題進(jìn)行了深入研究，提出了半模基片集成波導(dǎo)等多種新型平面導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，發(fā)展了相應(yīng)的設(shè)計方法，并發(fā)明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實(shí)際應(yīng)用。