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12代CPU性能全面提升，性能實(shí)力派，助力高效辦公最高搭載10納米工藝第十二代英特爾®酷睿™ i7-12700處理器，最大全核心睿頻頻率可達(dá)4.9GHz，擁有12MB二級緩存，輕松應(yīng)對各種辦公需求，流暢處理文檔表格，代碼編程，視頻剪輯，平面設(shè)計(jì)等日常工作，高效完成各類復(fù)雜應(yīng)用。 機(jī)箱：10L小體積機(jī)箱設(shè)計(jì)，給辦公桌“減負(fù)” 主板：B660芯片商用級主板，安全高效 硬盤：SSD+HDD組合，兼顧速度和容量需求 接口：前置5個(gè)USB+1個(gè)Type-C接口，方便連接外設(shè) 芯片：第十二代智能英特爾® 酷睿™處理器 顯卡：高性能2G/4G 顯存獨(dú)立顯卡，疾速圖像處理 擴(kuò)展：PS/2、RJ-45、VGA、HDMI、DP、串口等應(yīng)有具有 穩(wěn)定：110萬小時(shí)無故障認(rèn)證，貼心放心安心的保障

全三維粒子模擬軟件CHIPIC是國家*63計(jì)劃*03主題支持項(xiàng)目“***粒子模擬軟件研發(fā)”的主要研究內(nèi)容，其研究目的是在堅(jiān)實(shí)理論基礎(chǔ)指導(dǎo)下，深入開展強(qiáng)波粒相互作用理論及HPM和HPMM相關(guān)理論研究，建立強(qiáng)流相對論互作用的理論體系，為高功率微波器件理論研究提供一款實(shí)用的粒子模擬軟件。 因?yàn)榱Ｗ幽M軟件在軍事領(lǐng)域有重大應(yīng)用價(jià)值，國外的一些先進(jìn)粒子模擬軟件對我國是禁運(yùn)的（如美國的MAGIC），從而一些內(nèi)部技術(shù)對我國也是封閉的。本軟件是完全依靠國內(nèi)的自身?xiàng)l件研制完成的，是具有完全知識產(chǎn)權(quán)的軟件。由本軟件運(yùn)算的準(zhǔn)確性（與國外軟件比較驗(yàn)證）可以證明本成果使用的技術(shù)線路是完全可與國外軟件媲美的。 該項(xiàng)目完成了三維電磁粒子模擬理論與算法、軟件設(shè)計(jì)、軟件測試等研究內(nèi)容，突破了高效并行計(jì)算、大尺度結(jié)構(gòu)建模、三維PIC/MCC混合算法等關(guān)鍵技術(shù)，設(shè)計(jì)了友好的圖形化輸入界面及多窗口輸出界面，形成了功能完整的CHIPIC3D模擬軟件。并最終應(yīng)用于對高功率微波源、真空電子學(xué)太赫茲源、脈沖功率真空器件等進(jìn)行三維粒子模擬。 該項(xiàng)目主要技術(shù)指標(biāo)如下：1.CHIPIC3D全三維電磁粒子模擬軟件在直角及圓柱坐標(biāo)系下實(shí)現(xiàn)了三維FDTD及粒子算法，能對各種對稱、非對稱結(jié)構(gòu)的高功率微波源及太赫茲波源器件進(jìn)行三維粒子模擬，模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)吻合。2.采用基于消息交換與共享內(nèi)存相結(jié)合的并行計(jì)算方法，使加速比達(dá)到30以上;3.采用分段建模并行計(jì)算的方法，能對30米以上大尺度精細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維粒子建模及模擬；4.將蒙特卡洛及Vaughan模型算法應(yīng)用于三維粒子模擬軟件，使其能模擬介質(zhì)表面二次電子倍增、氣體放電及介質(zhì)表面擊穿等復(fù)雜物理問題；5.采取面向?qū)ο蟮姆椒ǎ芴峁┯押玫膱D形化的輸入界面及多窗口輸出界面。 目前該軟件已在中國工程物理研究院流體物理研究所、中國工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所、北京應(yīng)用物理與計(jì)算數(shù)學(xué)研究所、國營第七七二廠、四川大學(xué)電子信息學(xué)院、西南交通大學(xué)等單位應(yīng)用。從軍事應(yīng)用角度來看，該軟件將縮短我國高功率微波源的研究周期，從而加快我國軍隊(duì)相關(guān)武器裝備的研究進(jìn)程；從經(jīng)濟(jì)效益角度來看，該軟件避免了大量的重復(fù)加工及重復(fù)試驗(yàn)，節(jié)約了大量的人力物力，從而為用戶單位帶來巨大的經(jīng)濟(jì)效益。

本發(fā)明闡述了一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法。具體步驟為：先通過DMF、DMSO、環(huán)己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加熱方法制備出足量的CsPbBr3單晶并壓成靶材，再采用脈沖激光沉積薄膜制備技術(shù)：調(diào)整激光能量和基底溫度，通過激光脈沖數(shù)控制薄膜厚度，真空沉積制備CsPbBr3薄膜。本發(fā)明利用脈沖激光沉積技術(shù)制備CsPbBr3薄膜，可實(shí)現(xiàn)均勻大面積薄膜的便捷制備，易于有效控制薄膜厚度并且節(jié)約材料，有利于該材料在太陽能電池的工業(yè)化生產(chǎn)與應(yīng)用。

本發(fā)明公開了一種3D?MIMO多小區(qū)下行自適應(yīng)傳輸方法，各基站采用均勻平面天線陣，各用戶設(shè)置一個(gè)優(yōu)先級。初始狀態(tài)時(shí)所有用戶優(yōu)先級設(shè)為1，隨后每一調(diào)度時(shí)隙，各小區(qū)利用用戶優(yōu)先級和已知統(tǒng)計(jì)信道信息選出本小區(qū)服務(wù)用戶集合并計(jì)算各用戶波束成形向量及發(fā)送功率，接著各小區(qū)對服務(wù)用戶利用大尺度衰落因子劃分與相鄰小區(qū)的邊緣用戶，對各邊緣用戶與相鄰小區(qū)進(jìn)行干擾協(xié)調(diào)。最后，將此調(diào)度時(shí)隙內(nèi)的服務(wù)用戶優(yōu)先級設(shè)為1，其余用戶優(yōu)先級加1直至達(dá)到最高優(yōu)先級，各小區(qū)僅對其服務(wù)用戶集合中的用戶進(jìn)行預(yù)編碼傳輸。本發(fā)明具有所需信息量小、計(jì)算復(fù)雜度低的優(yōu)點(diǎn)，可靈活設(shè)置門限滿足不同的用戶服務(wù)質(zhì)量，有效提升邊緣用戶服務(wù)質(zhì)量和用戶公平性。

本發(fā)明涉及電接觸復(fù)合材料的制備，旨在提供一種Ag/La1-xSrxCoO3電接觸復(fù)合材料的制備方法。該方法包括：采用溶膠-凝膠法制備La1-xSrxCoO3體系導(dǎo)電陶瓷微納粉體；將上述La1-xSrxCoO3微納粉體與銀粉在V型混粉器中混合均勻，La1-xSrxCoO3粉體占混合粉體總質(zhì)量的8％～20％；將混合均勻后的粉體通過等靜壓壓制成坯體，然后依次經(jīng)過燒結(jié)、復(fù)壓、復(fù)燒工藝，最后熱擠壓成型獲得Ag/La1-xSrxCoO3電接觸復(fù)合材料。本發(fā)明通過溶膠-凝膠法制得Ag/La1-xSrxCoO3電接觸復(fù)合材料中的增強(qiáng)相La1-xSrxCoO3為納米級粉末，其高比表面活性可改善電弧作用下電接觸材料表面微熔池中的熔體粘度，綜合提高電接觸材料的電導(dǎo)率、機(jī)械強(qiáng)度、耐磨性、抗電弧燒蝕等性能，同時(shí)不存在加工、成型困難的問題。

該項(xiàng)目主要技術(shù)指標(biāo)如下：1.CHIPIC3D全三維電磁粒子模擬軟件在直角及圓柱坐標(biāo)系下實(shí)現(xiàn)了三維FDTD及粒子算法，能對各種對稱、非對稱結(jié)構(gòu)的高功率微波源及太赫茲波源器件進(jìn)行三維粒子模擬，模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)吻合。2.采用基于消息交換與共享內(nèi)存相結(jié)合的并行計(jì)算方法，使加速比達(dá)到30以上;3.采用分段建模并行計(jì)算的方法，能對30米以上大尺度精細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維粒子建模及模擬；4.將蒙特卡洛及Vaughan模型算法應(yīng)用于三維粒子模擬軟件，使其能模擬介質(zhì)表面二次電子倍增、氣體放電及介質(zhì)表面擊穿等復(fù)雜物理問題；5.采取面向?qū)ο蟮姆椒ǎ芴峁┯押玫膱D形化的輸入界面及多窗口輸出界面。