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功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、汽車(chē)電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場(chǎng)份額。本團(tuán)隊(duì)在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開(kāi)展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團(tuán)隊(duì)在功率DMOS領(lǐng)域累計(jì)授權(quán)發(fā)明專利超過(guò)50項(xiàng)，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號(hào)近百種。

已有樣品/nCMOS 研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過(guò)采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對(duì)InP 進(jìn)行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過(guò)程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了

已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過(guò)高級(jí)刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。

單層半導(dǎo)體性過(guò)渡族金屬硫?qū)倩衔铮∕X2:MoS2, WS2等）是繼石墨烯之后備受關(guān)注的二維層狀材料。該類材料具有優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)、強(qiáng)的光物相互作用、高效的催化特性等優(yōu)點(diǎn)，在光電子學(xué)器件、傳感器件、電催化產(chǎn)氫等領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景。單層MX2材料的批量制備和高品質(zhì)轉(zhuǎn)移是關(guān)鍵的科學(xué)問(wèn)題。現(xiàn)有方法仍面臨著諸多重大挑戰(zhàn)，例如， 難以實(shí)現(xiàn)晶圓尺寸的層數(shù)均勻性、單晶疇區(qū)小、生長(zhǎng)速度緩慢、生長(zhǎng)襯底價(jià)格昂貴、轉(zhuǎn)移過(guò)程復(fù)雜、容易引入污染物等。 北京大學(xué)研發(fā)課題組是國(guó)內(nèi)較早開(kāi)展相關(guān)研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產(chǎn)氫應(yīng)用方面取得了一系列重要進(jìn)展：基于范德華外延的機(jī)理，他們?cè)诰Ц衿ヅ涞脑颇富咨鲜状潍@得了厘米尺度均勻的單層MoS2(Nano Lett. 13, 3870 (2013))；在藍(lán)寶石上獲得了大疇區(qū)單層WS2(ACS Nano 7, 8963(2013))；發(fā)展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實(shí)現(xiàn)了疇區(qū)尺寸可調(diào)單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術(shù)建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態(tài)、電子結(jié)構(gòu)和電催化析氫之間的構(gòu)效關(guān)系。

利用大面積高質(zhì)量的單層MoS2薄膜，對(duì)其施加了流體靜壓力并進(jìn)行光譜測(cè)量。結(jié)果表明單層MoS2在壓應(yīng)力的作用下，其熒光峰先以49.4 meV/GPa的壓力藍(lán)移，后以15.3 meV/GPa的壓力紅移，這對(duì)應(yīng)著直接-間接能帶結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，轉(zhuǎn)變點(diǎn)壓力為1.9 GPa。