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保證預(yù)應(yīng)力工程百年耐久性的灌漿設(shè)備和封錨儀器
保證預(yù)應(yīng)力工程百年耐久性的灌漿設(shè)備和封錨儀器是針對瀝青基灌漿材料具有高溫流動性和高粘稠度的特點，研發(fā)的適合預(yù)應(yīng)力工程現(xiàn)場施工用的瀝青基灌漿設(shè)備。在功能上包括：灌漿材料的全程溫度控制系統(tǒng)、灌漿材料加熱、儲存結(jié)構(gòu)、灌漿材料的泵送結(jié)構(gòu)、灌漿材料的輸送結(jié)構(gòu)。 技術(shù)特點： 1）灌漿設(shè)備在瀝青針對瀝青基灌漿材料的高粘稠度實現(xiàn)遠距離、大揚程的輸送。2）這種新型的預(yù)應(yīng)力封錨配套儀器主要由加熱部分和擠壓部分組成。在擠壓部分中，能夠自由伸縮的小型液壓裝置是其技術(shù)創(chuàng)新點，在熱縮管中的熱熔膠受熱溢出后，小型液壓 設(shè)備推動兩個端部的擠壓板，對熱縮管進行擠壓，達到封錨的目的。 主要技術(shù)指標(biāo)： 溫度達到120℃±5℃范圍內(nèi)。 應(yīng)用范圍： 本項目所研究的保證預(yù)應(yīng)力工程百年耐久性的封錨儀器和灌漿設(shè)備，主要應(yīng)用于后張法預(yù)應(yīng)力混凝土孔道瀝青基灌漿材料灌漿及梁端封錨施工中。
北京交通大學(xué)
2021-04-13
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制作高性能、低成本電池器件的目標(biāo)而采用簡式構(gòu)型器件新思路
實現(xiàn)制作高性能、低成本電池器件的目標(biāo)而采用簡式構(gòu)型器件新思路的系列研究，論文第一作者為程春課題組博士生黃毓嵐。 課題組總結(jié)了傳統(tǒng)鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）在降低缺陷密度和優(yōu)化能級方面的常用方法，以簡化其結(jié)構(gòu)。此外，課題組對不同的無電子傳輸層或者無空穴傳輸層PSCs的發(fā)展進行了分類和討論，包括它們的工作原理、實現(xiàn)技術(shù)、尚存的挑戰(zhàn)和未來的展望。
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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功率MOS器件設(shè)計和制備技術(shù)
功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團隊在功率DMOS領(lǐng)域累計授權(quán)發(fā)明專利超過50項，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號近百種。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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毫米波新基片結(jié)構(gòu)器件
2016國家自然科學(xué)獎二等獎，基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)是近十幾年來微波毫米波學(xué)界發(fā)展起來的一種新型高性能平面導(dǎo)波結(jié)構(gòu)。基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)具有極低的電磁泄露和互擾，其品質(zhì)因素和功率容量遠高于傳統(tǒng)平面?zhèn)鬏斁€。國內(nèi)外數(shù)百所大學(xué)和研究機構(gòu)都對其開展了大量研究，它也成為微波毫米波領(lǐng)域最受關(guān)注的研究分支之一。 項目組作為國際上該領(lǐng)域的主要貢獻者之一，以基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的工作機理與創(chuàng)新應(yīng)用為主線，對這類結(jié)構(gòu)及器件的傳輸特性、損耗機理等基礎(chǔ)科學(xué)問題進行了深入研究，提出了半模基片集成波導(dǎo)等多種新型平面導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，發(fā)展了相應(yīng)的設(shè)計方法，并發(fā)明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實際應(yīng)用。
東南大學(xué)
2021-04-11
全固態(tài)太赫茲前端關(guān)鍵器件
針對太赫茲高分辨雷達和通信系統(tǒng)應(yīng)用需求，研究了常溫固態(tài)太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的總體方案和實現(xiàn)技術(shù)，研究了太赫茲平面肖特基勢壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓撲結(jié)構(gòu)，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優(yōu)化方法，解決了固態(tài)太赫茲關(guān)鍵技術(shù)的工藝難題，突破太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的關(guān)鍵技術(shù)，打破國外技術(shù)封鎖，提高自主創(chuàng)新能力，形成自主知識產(chǎn)權(quán)，相關(guān)技術(shù)水平達到國際先進，為我國太赫茲技術(shù)的發(fā)展和太赫茲系統(tǒng)的應(yīng)用奠定技術(shù)基礎(chǔ)，提供技術(shù)支撐。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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微電子器件高效冷卻技術(shù)
小試階段/n通過發(fā)展被動式和主動式冷卻技術(shù)能實現(xiàn)典型移動裝備和電子器件的空間冷卻需求，具體包括熱壓/風(fēng)壓自然換熱冷卻、相變熱管換熱冷卻等被動式技術(shù)，半導(dǎo)體熱電制冷冷卻、噴射冷卻和合成射流冷卻等主動式冷卻技術(shù),獲省自然科學(xué)一等獎。成果市場前景：有散熱需求，就有應(yīng)用前景。
武漢大學(xué)
2021-01-12
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電子器件的高效散熱技術(shù)
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，電子器件的熱流密度越來越高，散熱已成為其技術(shù)發(fā)展的主要障礙之一。本項目采用直接液體浸沒的沸騰換熱方式，開發(fā)了高效沸騰換熱微結(jié)構(gòu)面，可極大幅度提高散熱性能，在電子器件溫度低于其正常操作上限溫度85oC的條件下，散熱熱流密度可達150W/cm2以上。沸騰強化換熱技術(shù)往往在微重力條件下由于氣泡難以脫離導(dǎo)致性能惡化而無法應(yīng)用。近期在微重力條件的實驗表明該技術(shù)即使在微重力條件下，依然能充分利用熱毛細現(xiàn)象進行強化換熱，顯著提高換熱性能。因此，該技術(shù)可應(yīng)用于地面和空間的電子器件高效散熱。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
節(jié)水灌溉器件的快速開發(fā)技術(shù)
滴灌是節(jié)水效率最高并能實現(xiàn)水肥自動灌溉的精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)灌溉技術(shù)，在蔬菜、花卉、棉花、果樹等種植中廣泛應(yīng)用。滴灌系統(tǒng)的灌水器在使用時容易發(fā)生堵塞一直是國際上的難題。本技術(shù)針對這一難題，提出了灌水器基于迷宮流道流動特性的抗堵設(shè)計和一體化開發(fā)方法，開發(fā)了具有自主版權(quán)的專用設(shè)計軟件。應(yīng)用該軟件與快速成形技術(shù)開發(fā)出系列化的新型灌水器，使開發(fā)周期顯著縮短，單循環(huán)開發(fā)時間由原來的3～5個月縮短到3～5天，而開發(fā)成本由5萬元左右降低到2千元以下。相關(guān)研究成果獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
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新型存儲器件及集成研究
已有樣品/n面向存儲器領(lǐng)域國際發(fā)展前沿和國家重大需求，長期緊密合作，系統(tǒng)深入研究了新型存儲器機理、器件材料與結(jié)構(gòu)體系、性能調(diào)控規(guī)律、可靠性表征和集成技術(shù)。取得了局域氧化還原主導(dǎo)的阻變模型、阻變存儲器三維集成、電荷俘獲存儲器材料和結(jié)構(gòu)體系優(yōu)化及可靠性表征等系列原創(chuàng)性科技成果，獲得了國內(nèi)外同行的廣泛引用和高度評價。獲得了具有自主產(chǎn)權(quán)的新型存儲器件及集成解決方案，主要發(fā)明專利和技術(shù)研究成果轉(zhuǎn)移到國內(nèi)知名集成電路制造企業(yè)。
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團隊創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對InP 進行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12