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一種基于 LED 混光呈色模型的光譜功率分布提取方法及系統(tǒng)，包括進(jìn)行 LED 智能光源控制信號(hào)空 間全局采樣，利用預(yù)設(shè)的 LED 發(fā)光控制方式根據(jù)全局采樣樣本集中各信號(hào)值驅(qū)動(dòng) LED 光源發(fā)光，組成 發(fā)光樣本集；分別測(cè)量所得各發(fā)光樣本對(duì)應(yīng)光譜功率分及照度，生成發(fā)光數(shù)據(jù)集；根據(jù)預(yù)設(shè)的照度閾值 進(jìn)行篩選，得到最終發(fā)光數(shù)據(jù)集，并從全局采樣樣本集中選取對(duì)應(yīng)信號(hào)樣本，組成最終信號(hào)空間采樣樣 本集；構(gòu)建 BP 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，并在此基礎(chǔ)上建立相應(yīng)的 LED 混光

LED 具有體積小、壽命長(zhǎng)、高亮度、低發(fā)熱的特點(diǎn)，用這種新 型節(jié)能光源代替已有的人工光源進(jìn)行植物的高效生產(chǎn)，在農(nóng)業(yè)中具有廣闊的應(yīng) 用前景和較高的實(shí)用價(jià)值，僅植物工廠化育苗產(chǎn)業(yè)一項(xiàng)就為 LED 光源提供了巨 大的消費(fèi)市場(chǎng)，據(jù)相關(guān)專家的測(cè)算，幼苗僅出口一項(xiàng)就達(dá)到近百億株之巨量， 國(guó)內(nèi)年消費(fèi)量則更大。本項(xiàng)目以植物光合作用的吸收光譜為對(duì)象，通過(guò)基質(zhì)組 成和對(duì) ns2 摻雜離子的設(shè)計(jì)調(diào)控?zé)晒夤庾V，研制出了激發(fā)光譜與近紫外芯片、 發(fā)射光譜與植物光合作用的吸收光譜的匹配，新型藍(lán)紅雙色 LED 植物生長(zhǎng)燈。 光譜輻射范圍從 400-650nm,并通過(guò)調(diào)節(jié)摻雜離子比例，實(shí)現(xiàn)藍(lán)、紅光相對(duì)強(qiáng)度 的可調(diào)節(jié)性。滿足不同植物、不同生長(zhǎng)階段的需求。 

可以量產(chǎn)/n本項(xiàng)目采用高分子相分離技術(shù)，以熱塑性高分子材料為載體，對(duì)珠光顏料進(jìn)行表面修飾處理，制備功能珠光母粒，主要用于免噴涂家電共擠PVC異型材、免噴涂注塑ABS、HIPS等高檔家電及包裝產(chǎn)品。免噴涂技術(shù)是家電、包裝產(chǎn)品表面裝飾的一次技術(shù)革命，實(shí)現(xiàn)了環(huán)保、節(jié)能、降耗，工藝技術(shù)先進(jìn)。生產(chǎn)成本2.8萬(wàn)元/噸，售價(jià)4.0萬(wàn)元/噸，具有很好的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。主要技術(shù)指標(biāo)：拉伸強(qiáng)度≥ 50 Mpa，斷裂伸長(zhǎng)率≥40 Mpa，彎曲強(qiáng)度≥65 Mpa，彎曲模量≥2100 Mpa，簡(jiǎn)支梁缺口沖擊強(qiáng)度≥ 6.0KJ

近年來(lái),半導(dǎo)體光源正以新型固體光源的角色逐步進(jìn)入照明領(lǐng)域。由于半導(dǎo)體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長(zhǎng)、響應(yīng)速度快、耐振動(dòng)、易維護(hù)等顯著優(yōu)點(diǎn),所以在國(guó)際上被公認(rèn)為最有可能進(jìn)入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價(jià)格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導(dǎo)體光源在照明領(lǐng)域中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。業(yè)界普遍認(rèn)為,半導(dǎo)體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢(shì)所趨。而半導(dǎo)體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡(jiǎn)稱LED）被認(rèn)為是最有可能進(jìn)入普通照明領(lǐng)域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學(xué)原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點(diǎn),因此被譽(yù)為21 世紀(jì)新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強(qiáng)度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點(diǎn)，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應(yīng)用的主要因素。 目前國(guó)內(nèi)大多致力于LED外部封裝結(jié)構(gòu)的研究，而公司里多采用進(jìn)口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)行外部封裝結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)。而即便是散熱好，壽命長(zhǎng)，取光效率比較好的封裝結(jié)構(gòu)，國(guó)內(nèi)所能達(dá)到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結(jié)構(gòu)的不合理性，浪費(fèi)了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國(guó)外LED不僅在外部封裝結(jié)構(gòu)，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國(guó)內(nèi)水平，所以基本壟斷國(guó)內(nèi)LED的市場(chǎng)，尤其對(duì)于功率型白光LED的壟斷相當(dāng)嚴(yán)重。而這些高亮度半導(dǎo)體LED芯片生產(chǎn)技術(shù)掌握在以美國(guó)Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進(jìn)入通用照明市場(chǎng),其光效需要達(dá)到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時(shí)還要求在LED 的封裝及燈具的設(shè)計(jì)制作過(guò)程中盡可能提高出光效率?，F(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時(shí)候，有相當(dāng)一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹脂）的界面反射。本產(chǎn)品是通過(guò)特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%?？梢杂行У脑黾覮ED的使用壽命，達(dá)到2萬(wàn)小時(shí)以上，而且可以使發(fā)光效率達(dá)到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長(zhǎng)壽命和高出光效率的白光LED，必將引領(lǐng)整個(gè)照明市場(chǎng)，必將產(chǎn)生豐厚的利潤(rùn)，具有非常好的發(fā)展前景。

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