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已有樣品/nCMOS 研究團隊創新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對InP 進行表面鈍化處理并結合低溫原子層高k 介質沉積技術，有效抑制了在介質沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了

可以量產/n該項目帶寬寬，可以覆蓋Ku以下所有頻段，并向Ka頻段發展；線性度高，模擬通信不失真；動態范圍大，激光輸出功率高，相對強度噪聲低。可靠性高，全金屬化耦合焊接，提高了可靠性和壽命。市場預期：該項目產品主要應用領域是通信，目前國內市場需求大于300億人民幣。隨著國家寬帶戰略的實施和物聯網的發展，未來5-10年將以大于30%/年的速度遞增。到2020年將大于1000億元人民幣。

內容介紹： 本項目圍繞探測器用CdZnTe晶體的制備與開發應用，釆用改進的垂直 布里奇曼技術，通過合理設計成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量，探 索了優化的晶體生長和退火改性工藝，生長出滿足探測器要求的高性能 CdZnTe晶體。圍繞對X射線和y射線等不同能量射線檢測及應用的要求， 解決了探測器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難 題，建立了探測器用CdZnTe晶片的篩選機制和生產線

本發明公開了一種微環波導器件，包括微環諧振腔、直波導、第一支架、第二支架和襯底；其中，第一支架用于支撐直波導，第二支架用于支撐微環諧振腔，以使微環諧振腔與直波導懸空；微環諧振腔與直波導相互耦合；外部注入的光場通過直波導耦合進入微環諧振腔中，滿足微環諧振條件的光場在微環諧振腔中激發出聲場，通過懸空的微環諧振腔將產生的聲場限制在微環諧振腔中進行傳輸，進而產生前向布里淵效應；本發明提供的這種懸空的微環波導器件具有布里

微納米光纖，具有一系列獨特的優點：大的消逝場；高的非線性，極低的損耗；容易彎曲成環等不同的幾何形狀。我校在本應用領域主要研究選擇合適的光纖材料和介質棒材料，探討微納光纖在生物、通信、傳感和激光等領域的應用：優化微納光纖探針的設計，制備低成本的超短的極低損耗的微納光纖探針用于低功率粒子捕獲；制備基于單環諧振器的傳感器；制備基于多環諧振器的應用型器件如高靈敏度微傳感器或者可調諧器件等，探討其它新型的應用。理論上主要研究微納光纖諧振器的線性和非線性特性，對

1：電子式壓力控制器 內容：專用于按壓力信號對制冷系統實施的各種控制。（1）電子式數字顯示，數字設定（2）微電腦控制器（3）可以對壓縮機進行運行，保護及調節方面的控制，如：壓縮機正常啟、?？刂疲叩蛪毫ΡＷo，油路控制，壓縮機制冷能力的程度控制（4）適用于各種制冷劑，如R22，R134A，R404A，R407C，R507，R717，…，等（5）針對

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領域。由于半導體照明具有高效、節能、環保、使用壽命長、響應速度快、耐振動、易維護等顯著優點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領域的新型固態冷光源。隨著其價格的不斷降低,發光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領域中展現了廣泛的應用前景。業界普遍認為,半導體燈取代傳統的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領域的一種綠色照明光源，按固體發光物理學原理,LED發光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發光效率高、響應時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩定可靠及成本低等優點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優點，但是發光效率和使用壽命仍是制約其普及應用的主要因素。 目前國內大多致力于LED外部封裝結構的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現有基礎上進行外部封裝結構和設計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結構，國內所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結構的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結構，而且在芯片方向都明顯優于國內水平，所以基本壟斷國內LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產技術掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數大公司手中。 現在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設計制作過程中盡可能提高出光效率?，F有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環氧樹脂）的界面反射。本產品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%?？梢杂行У脑黾覮ED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領整個照明市場，必將產生豐厚的利潤，具有非常好的發展前景。

已有樣品/n這項封裝技術是利用芯片本身的襯底和封裝材料作為封裝基板，簡化發光二極 管的工藝路徑，降低全工藝成本，提供最小的發光二極管封裝體積，全角度發光特 性，降低器件封裝熱阻，實現對發光二極管電學和光學性能更好的控制，并具有簡 單、成本低等優點。與傳統工藝封裝相比成本降低 30%左右，發光效率與傳統封裝 相當。 隨著LED技術的進步，外延與芯片工藝在發光二極管成本中所占的比例相對降 低，而封裝步驟由于耗費材料和工藝步驟較多且技術含量較低，其成本難以降低。 作為現有封裝結構與晶圓級封裝結構的中間階段

可以量產/n在垂直結構LED芯片的工藝流程中，其剝離下來的藍寶石襯底可以回收后重復利用多次，藍寶石襯底單芯片和2英寸整片剝離成品率大于95%。目前，垂直結構LED發光效率可以達到121.57m/W@350mA隨著技術的不段進步，近幾年最受人們關注的是固態通用照明領域的高亮度大功率LED應用，然而這種應用卻受到藍寶石異質襯底所帶來的一系列技術問題的限制。除去了藍寶石襯底的垂直結構LED芯片具有優良的光電熱方面的性能，能滿足固態通用照明對其性能的要求，采用垂直結構LED方案是固態通用照明技術發展的 必然

本發明公開了一種 LED 深海照明燈。其構成部件主要包括：壓緊帽、光源、光學聚光組件、殼體、散熱塊、單芯插座、單芯插頭和電纜接頭。散熱塊位于殼體的內腔上部，光源為單個 LED 芯片或 LED芯片陣列，光源安裝在散熱塊上，散熱塊與殼體緊密結合，使 LED 芯片的散熱通道流暢。光學聚光組件由凸透鏡和反光杯組成，將位于反光杯焦平面的光源的發射光匯聚成平行光，提高了出射光的光程和亮度?！八{光光源+熒光粉玻璃＝白光”的方式，提高了白光的均勻性，改善色差性能。殼體的制備材料為高強度鋼，光學聚光組件凸透鏡的制備材