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本發明公開了一種適用于 4.2K-4.5K 溫區的高分辨率超導溫度計，包括感應線圈、隔離元件、超導體、互感線圈、超導量子干涉儀以及熱阻開關，其中感應線圈為平面無骨架線圈的形式，并通過隔離元件與超導體予以分隔處理，互感線圈由初級線圈和次級線圈共同組成，并且該初級線圈用于與感應線圈構成第一回路,次級線圈則用于與超導量子干涉儀相連并構成第二回路，并且在第一回路和第二回路中各自串聯有熱阻開關。通過本發明，可根據回路中電流的變化值反推溫度的變化，其在 4.2K-4.5K 溫區間的測量分辨率可達 0.5μK。&

簡介：本發明公開了一種高耐磨性的WC?Mo?Co復合涂層，屬于材料表面強化技術領域。該復合涂層成分設計為：在Co基粉末中添加質量分數10～20％的WC顆粒，同時聯合添加5～10％的Mo。Mo的添加可促使WC/Co基涂層凝固時析出更多高硬度一次碳化物和共晶碳化物，與未添加Mo的WC/Co基涂層相比，可顯著提高耐磨性能。本發明的激光熔覆WC?Mo?Co復合涂層可廣泛應用于對表面耐磨性有較高要求的零部件綠色制造及再制造修復。

產品詳細介紹 4K畫質，清晰視界  采用超高清視頻編碼技術，錄制視頻分辨率最高支持3840*2160，畫面細節清晰呈現，帶來 更加出眾的影像視感。 嵌入式設計，高效穩定  4K錄播主機采用軟硬件結合的純嵌入式設計，穩定性高，功耗低?；贏RM+FPGA+ASIC 系統架構，免受病毒侵擾，安全性高，維護成本低。 多種格式，兼容性高  4K主機采用的H.265視頻編碼格式，可同時兼容H.264，更加適合各種網絡環境。 技術更高，畫質更好  同等條件下，4K主機采用的H.265畫質更加細膩。而且，在同等畫質下，相比H.264， H.265傳輸只需要50%左右的寬帶，存儲空間節省50%以上。

采用高性能一千二百萬像素1/1.7英寸CMOS圖像傳感器，低照度效果好，圖像清晰度高 可輸出1200萬(4000×3000)@20fps 支持H.265編碼，壓縮比高，超低碼流 支持走廊模式，寬動態，3D降噪，強光抑制，背光補償，數字水印，適用不同監控環境 支持ROI，SVC，SMART H.264/H.265，靈活編碼，適用不同帶寬和存儲環境 支持虛焦偵測，區域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，人員聚集，快速移動，非法停車，音頻異常偵測，人臉檢測，外部報警，客流量統計，熱度圖 支持報警2進1出，音頻1進1出，485，BNC，128G SD卡，內置MIC 支持AC24V/DC12V/POE供電方式，方便工程安裝 支持IP67，IK10防護等級 支持物體跟蹤 類別 參數 參數值 外觀 紅外半球 傳感器類型 1/1.7英寸CMOS 最大分辨率 1200萬 掃描方式 逐行掃描 電子快門 1s~1/100000s 最低照度 0.01Lux(彩色模式);0.001Lux(黑白模式);0Lux(紅外燈開啟) 信噪比 ＞56dB 最大補光距離 50米 補光燈數量 三燈 強光抑制 支持 聚焦功能 自動 鏡頭類型 電動變焦 鏡頭接口 φ14 鏡頭焦距 4.0mm-12.0mm 視場角 水平：112？~ 35？；垂直：77？~ 26？ 光圈控制 自動 智能功能 支持動態檢測;遮擋檢測;虛焦偵測;區域入侵;絆線入侵;物品遺留;物品搬移;場景變更;徘徊檢測;人員聚集;快速移動;非法停車;音頻異常偵測;人臉偵測;客流量統計;熱度圖 人臉檢測 支持 H.265 支持

XM-402K動脈粥硬化帶血栓模型 ? XM-402K動脈粥硬化帶血栓模型置于基板上，可拆分為2部件，示心房和心室、瓣膜等結構，顯示血管內凝血以及血栓在動脈斑塊不同病理階段，顯示動脈狹窄對人體的危害。 尺寸：自然大，28×25×24cm 材質：PVC材料

TriCaster Mini X校園便攜節目制作系統，具有視頻切換、媒體播放、虛擬場景、圖文疊加、錄制、流媒體等功能，能夠滿足視頻直播、實時導播、同步錄制推流，遠程互聯等。讓任何水平的制作人員都可以隨時隨地創建和分享視頻，無論他們使用的是智能手機，還是廣播級4K攝像機，同時還隨時隨地的把視頻發布到校園的任意一個角落甚至是跨地域，真正展示了軟件定義的視頻制作的強大之處，實現了現場制作的自由。 ▎經濟實用，易于獲取 無需對基礎設施進行大量投資，即可為任何需要通過視頻分享內容的人提供專業的現場視頻制作的可能性。 ▎靈活通用，輕松搭建 使用常見的民用級HDMI 設備，也可在幾分鐘內直接連接到 Mini X，無需購買任何新設備即可創建專業水平的制作。 ▎擴展性強，面向未來 用戶可以利用多種方式來擴大制作規模以滿足任何需求。 ▎現場制作的專家 ▎更好地分享您的節目內容

本發明公開了一種用于乙醇胺(MEA)吸收解吸CO2的硫酸根協同磷鎢酸雙促進偏鈦酸催化劑及制備方法和應用，該方法的特征在于采用成本低廉的鈦酸乙酯，經攪拌靜置沉淀過濾后，烘干得到偏鈦酸固體。得到的偏鈦酸先用磷鎢酸修飾，然后再用硫酸鹽浸漬。該方法制得的硫酸根協同磷鎢酸雙促進偏鈦酸催化劑不僅能夠有效催化解吸CO<subgt;2</subgt;，而且能夠使解吸能耗降至較低的水平，在很大程度上解決了CO<subgt;2</subgt;解吸過程能耗高的問題。

石墨烯是材料科學領域的一顆迅速崛起的明星，開啟了二維材料的大門。作為納米光電子器件廣泛使用的理想電極材料，石墨烯除了具有優異的彈性和剛度外，還具有最高的載流子遷移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而，石墨烯作為一種典型的半金屬材料，它的零帶隙極大地限制了其在半導體工業的應用。自石墨烯被發現以來，它的零帶隙一直是世界范圍內最具挑戰性的難題之一。  多年來，人們一直致力于解決這一關鍵問題，最主要的打開石墨烯帶隙方法可以概括為下面兩種。第一種是通過摻雜、吸附、襯底相互作用、外加電場、應變、建立二維異質結等方法直接打開石墨烯的帶隙。不幸的是，在打開石墨烯帶隙的同時，保持其具有超高載流子遷移率的線性電子色散的多種嘗試，至今仍未成功。第二種方法是開辟新的路徑，尋找新的具有超高載流子遷移率（線性色散）的二維材料，如二硫化鉬、硅烯、鍺烯和磷烯等，它們構成了新的二維材料家族。遺憾的是，迄今還沒有發現任何具有類似石墨烯線性電子色散和超高載流子遷移率的二維半導體。 北京大學物理學院史俊杰教授及其研究團隊注意到：鈣鈦礦材料具有多樣的組成和結構，如ABX3(具有三個不同原子位置的三維結構)、A'2[An-1BnX3n+1] (二維Ruddlesden-Popper型結構)、A'[An-1BnX3n+1] (二維Dion-Jacobson型結構)、A'2An-1BnX3n+3(二維111型結構)和AnBnX3n+2(二維110型結構)等，為材料設計提供了一個理想和龐大的平臺。此外，鈣鈦礦結構中陽（陰）離子價態的劈裂和置換，陽（陰）離子的混合等，為組分工程提供了更多的可能性，從而極大地調節了所設計的鈣鈦礦材料的電子結構（帶隙和電子色散）及物理、化學性質，為尋找具有新奇性質的材料開辟了一條新的道路。圖注：左圖為二維Ca3Sn2S7鈣鈦礦結構示意圖，中圖為它的三維線性色散能帶圖（帶隙0.5 eV），右圖為它的光吸收系數，并與光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系數作對比。 最近，他們在硫化物鈣鈦礦的研究中，意外發現了一種新奇的穩定且環境友好的二維鈣鈦礦半導體Ca3Sn2S7材料，它具有類似石墨烯的線性Dirac錐電子色散，直接的本征準粒子帶隙0.5 eV，超小載流子有效質量0.04m0，室溫下載流子遷移率高達6.7×104 cm2V-1s-1，光吸收系數高達105 cm-1（超越鈣鈦礦光伏明星材料MAPbI3）, 從一個全新的角度實現了打開石墨烯帶隙的夢想。該研究將會為二維鈣鈦礦材料的設計和研發提供新的思路，并進一步促進半導體產業的發展。

一種 g-C3N4/NiCo2S4 復合材料、制備方法及其應用。具體是將 g-C3N4 和 NiCo2S4 混合得到，該混合可以是固相混合，也可以是液相 混合，本發明得到的 g-C3N4/NiCo2S4 復合材料能極大的增加了提高材 料的穩定性，將復合電極作為超級電容器工作電極材料進行測試，在 大電流密度條件下仍能具有較高的比電容量、較好的倍率性能和循環 穩定性。