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一種用于吻合器檢測(cè)的圖像采集裝置，屬于醫(yī)療器械檢測(cè)設(shè)備，用于對(duì)吻合器進(jìn)行漏針檢測(cè)，解決現(xiàn)有基于機(jī)器視覺的吻合器漏針檢測(cè)裝置所存在的檢測(cè)種類單一、成像效果受影響的問題。本發(fā)明包括水平基座、支架、視覺系統(tǒng)、步進(jìn)電機(jī)、滾珠絲杠、滑臺(tái)和吻合器夾具，吻合器夾具由固定底座和夾持臺(tái)構(gòu)成，夾持臺(tái)具有多個(gè)二階臺(tái)階圓孔，各二階臺(tái)階圓孔形狀尺寸分別與待檢測(cè)的管型吻合器相同；夾持臺(tái)頂面開有凹槽，凹槽的寬度與待檢測(cè)的條型吻合器的寬度相同。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)精確運(yùn)動(dòng)控制，不僅可以保證吻合器樣品拍攝表面的平整，克服因動(dòng)力傳動(dòng)所引起的

一種固件可重構(gòu)的手機(jī)數(shù)據(jù)采集控制器，利用微控制器芯片的 在線固件燒寫功能，提供智能手機(jī)對(duì)其進(jìn)行固件燒寫操作的接口，并 對(duì)數(shù)據(jù)采集控制器的固件存儲(chǔ) Flash 存儲(chǔ)單元空間進(jìn)行分塊，能夠在一 個(gè)微控制器中安裝多個(gè)采集控制固件。由手機(jī)來啟動(dòng)微控制器對(duì)應(yīng)的 采集控制固件。當(dāng)微控制器中未安裝對(duì)應(yīng)的采集控制固件時(shí)，則由手 機(jī)自動(dòng)從網(wǎng)上查找、下載相應(yīng)的采集控制固件，并安裝到數(shù)據(jù)采集控 制器的空閑塊區(qū)中。這既可以避免更換手機(jī)測(cè)量功能時(shí)對(duì)數(shù)據(jù)采集控 制器采集控制固件的重新燒寫，又可以避免將固件程序設(shè)計(jì)得十分復(fù) 雜和

本實(shí)用新型提供一種離合器踏板下移量實(shí)時(shí)測(cè)量裝置，包括監(jiān)測(cè)組件和踏板關(guān)聯(lián)組件，其特征在于: 所述的監(jiān)測(cè)組件包括方盒、設(shè)置于方盒內(nèi)的滑輪組、在方盒內(nèi)豎向設(shè)置的隔板、貼合于隔板正面的刻度 尺和通過細(xì)繩牽引的指針，所述的方盒前面板由透明材質(zhì)制成，所述的滑輪組包括三個(gè)定滑輪，所述的 細(xì)繩依次繞過三個(gè)定滑輪后位于隔板后的末端連接重物，另一端繞過滑輪 a 后從方盒側(cè)壁開設(shè)的小孔中 穿出;所述的踏板關(guān)聯(lián)組件包括用于包覆離合器踏板的套盒，所述的套盒側(cè)邊設(shè)有掛鉤，用于綁定從監(jiān) 測(cè)組件穿出的細(xì)繩。本實(shí)

5G新基建是國家的重要發(fā)展戰(zhàn)略，寬溫高可靠的25Gb/s DFB(分布反饋)激光器芯片是5G光傳輸核心光芯片，也是當(dāng)前5G建設(shè)的卡脖子問題之一。自主可控的5G光模塊DFB激光器芯片對(duì)解決光通信“空芯化”問題，推進(jìn)“中國芯”國家重大戰(zhàn)略實(shí)施，保障我國通信基礎(chǔ)設(shè)施安全具有重要的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。因DFB激光器的微分增益隨溫度上升迅速下降，常規(guī)的DFB激光器面臨嚴(yán)重的高溫高帶寬瓶頸。面對(duì)5G應(yīng)用要求的-40~85℃的寬溫應(yīng)用場(chǎng)景，常規(guī)DFB激光器芯片往往是超頻運(yùn)行，嚴(yán)重影響可靠性。因此，研制全國產(chǎn)寬溫25Gb/s DFB激光器芯片，同時(shí)兼顧低成本高可靠需求對(duì)推進(jìn)“中國芯”國家重大戰(zhàn)略實(shí)施具有重要意義。 本成果創(chuàng)新性地提出一種溝中溝脊波導(dǎo)DFB激光器結(jié)構(gòu)，相比較常規(guī)DFB激光器，在脊兩側(cè)對(duì)稱的刻蝕兩個(gè)溝槽。此結(jié)構(gòu)可抑制注入載流子的橫向擴(kuò)散，提高對(duì)光場(chǎng)的束縛，提高芯片帶寬，滿足芯片高速工作需要。芯片的高溫輸出光功率大于10mW，單模抑制比大于40dB，實(shí)測(cè)寬溫25Gb/s眼圖及誤碼率均達(dá)到商用需求。同時(shí)，相比較常規(guī)芯片，其制作過程只需多加一步簡(jiǎn)單的刻蝕，無需二次外延，成本低，做了2000小時(shí)的老化試驗(yàn)，其功率變化小于0.5%，具有高可靠性。 圖1（a）常規(guī)DFB激光器芯片截面圖（b）新型溝中溝脊波導(dǎo)DFB激光器芯片截面圖（c）新型溝中溝脊波導(dǎo)DFB激光器芯片概圖（d）（e）（f）分別為常規(guī)芯片、溝脊距為2μm、溝脊距為6μm SEM圖 圖2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規(guī)芯片響應(yīng)曲線對(duì)比（d）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規(guī)芯片響應(yīng)帶寬對(duì)比，帶寬可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼圖（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背傳輸及10km傳輸誤碼率曲線 圖3（a）（b）25℃和85℃下常規(guī)芯片與溝中溝脊芯片2000小時(shí)老化實(shí)驗(yàn)結(jié)果，功率變化小于0.5%

紅外傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、醫(yī)療和環(huán)境等領(lǐng)域，其研發(fā)與生產(chǎn)水平關(guān)系到國家安全、國民經(jīng)濟(jì)和環(huán)保事業(yè)的發(fā)展。目前國內(nèi)對(duì)于熱釋電紅外傳感器的開發(fā)相對(duì)落后，其核心敏感材料的制備更是少之又少。以日本、美國為主的少數(shù)國家掌握著熱釋電材料制備及器件開發(fā)的成熟技術(shù)。因此，國內(nèi)開發(fā)高性能熱釋電紅外傳感核心敏感材料顯得格外重要。 熱釋電效應(yīng)是指極化隨溫度改變的現(xiàn)象。當(dāng)溫度改變時(shí)，極化發(fā)生變化，原先的自由電荷不能再完全屏蔽束縛電荷，于是表面出現(xiàn)自由電荷，它們?cè)诟浇臻g形成電場(chǎng)，對(duì)帶電微粒有吸引或排斥作用。如果與外電路聯(lián)接，則可在電路中觀測(cè)到電流。熱釋電紅外傳感器是一種利用熱釋電效應(yīng)的溫度敏感性傳感器，其獨(dú)特的濾光片可以使人體發(fā)出的9～10μm的紅外光通過，不需要接觸人體就能檢測(cè)出人體輻射能量的不同及變化，并把它轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)輸出。通過將信號(hào)放大，就可以驅(qū)動(dòng)各種控制電路，可廣泛應(yīng)用在智能家居、智能控制、防盜報(bào)警等多種場(chǎng)景下。本成果獨(dú)立開發(fā)高性能熱釋電紅外敏感材料及傳感器，如下圖所示：

技術(shù)簡(jiǎn)介：本發(fā)明專利涉及一種油氣水三相超重力分離器，包括外殼、一個(gè)或多個(gè)氣液分離器和一個(gè)或多個(gè)油水分離器，外殼用上隔板和下隔板形成集水腔、油水腔和集油腔，氣液分離器從外殼頂部插入，經(jīng)過集油腔，其排液口與油水腔相通，油水分離器上端通過油水分離器排油口與上隔板固定連接，下端通過油水分離器排水口螺母與下隔板固定連接，油水分離器排油口與集油腔相通，油水分離器排水口與集水腔相通，集油腔與集水腔通過回流管連通。本發(fā)明專利集氣液分離和液液分離于一體，結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，不僅可用于油田采出液的油氣水分離，特別是

本發(fā)明公開了一種可調(diào)薄膜體聲波諧振器及其制備方法，該制 備方法包括步驟 S1：在潔凈的 Si 襯底上制備阻擋層；S2：在阻擋層上 制備布拉格反射柵，布拉格反射柵由不同聲波阻抗薄膜構(gòu)成；S3：在 布拉格反射柵上依次制備粘附層和底電極；S4：在底電極上制備多層 異質(zhì)結(jié)構(gòu)，并作為體聲波諧振器的壓電層；多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)由 BST 薄膜、 BZT 薄膜或 BZN 薄膜構(gòu)成；S5：將多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理后形成 晶化薄膜；S6：在

本發(fā)明公開了兩種非隔離型單磁芯三端口直流變換器，這兩種 變換器均包括輸入源端口，電池端口，負(fù)載端口，第一開關(guān)管、第二 開關(guān)管、第三開關(guān)管，第一二極管、第二二極管、第三二極管，濾波 電容和濾波電感，具有五種工作模式，其中四種工作模式具備三類工 作型式。本發(fā)明變換器連接輸入電壓源、負(fù)載與電池，端口之間的能 量轉(zhuǎn)換為單級(jí)，能量的統(tǒng)一管理功能齊全，具有較高的效率；同一個(gè) 工作模式下能夠用不同的工作方式完成，因而端口電壓限制少，工作 范圍廣泛，工作方式靈活。

本發(fā)明公開了一種回旋加速器剝離靶驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于， 包括：雙通道碳膜結(jié)構(gòu)和弧形導(dǎo)軌；所述弧形導(dǎo)軌設(shè)置在回旋加速器 的磁極的周圍，用于使雙通道碳膜結(jié)構(gòu)在其上進(jìn)行滑動(dòng)；所述雙通道 碳膜結(jié)構(gòu)包括剝離薄膜單元，所述剝離薄膜單元用于對(duì)所述回旋加速 器的粒子源產(chǎn)生的負(fù)氫離子剝離電子形成質(zhì)子。本發(fā)明實(shí)施例可以避 免對(duì)磁極的破壞，降低了對(duì)剝離薄膜更換的頻率，降低破壞真空的頻 率，節(jié)約成本和時(shí)間。 

針對(duì)目前國內(nèi)外的商業(yè)靜電槍不能體現(xiàn)真實(shí)人體的分布特性的局限，本研究成果根據(jù)真實(shí)人體－手－金屬放電的特性，提出了更符合人體學(xué)的靜電放電發(fā)生器的設(shè)計(jì)方法，在國際國內(nèi)都屬首創(chuàng)。 本研究成果首先采用帶寬為3GHz以上的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，測(cè)試真實(shí)場(chǎng)景的人體放電回路的阻抗特性；然后根據(jù)人體阻抗特性的測(cè)試結(jié)果，采用具有分布特性的等效電路模型進(jìn)行參數(shù)擬合，獲取建議模型的參數(shù)值；根據(jù)建議的電路模型和參數(shù)值，構(gòu)建真實(shí)的新型靜電發(fā)生器，能夠體現(xiàn)真實(shí)人體的靜電放電特性。