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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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一種基于給定閾值的數(shù)控成品電路板性能退化測(cè)評(píng)方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于給定閾值的數(shù)控成品電路板性能退化測(cè)評(píng)方法，包括：(a)選取測(cè)評(píng)樣板執(zhí)行加速性能退化試驗(yàn)，并測(cè)量表面絕緣電阻值；(b)執(zhí)行試驗(yàn)數(shù)據(jù)擬合，建立測(cè)試樣板的加速性能退化模型；(c)基于失效閾值并結(jié)合加速性能退化模型，計(jì)算得出測(cè)評(píng)樣板的偽失效壽命；(d)選取測(cè)評(píng)樣板的壽命分布模型，并利用偽失效壽命擬合檢驗(yàn)來(lái)計(jì)算壽命分布模型的參數(shù)；(e)確定測(cè)試樣板的壽命分布概率密度函數(shù)，計(jì)算其平均壽命，由此完成對(duì)電路板的性能退化測(cè)評(píng)過(guò)程。通過(guò)本發(fā)明，能夠克服現(xiàn)有可靠性測(cè)評(píng)技術(shù)中失效數(shù)據(jù)的不足，同時(shí)節(jié)約可靠
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種發(fā)電機(jī)組一次調(diào)頻性能的綜合評(píng)價(jià)方法
本發(fā)明提供一種發(fā)電機(jī)組一次調(diào)頻性能的綜合評(píng)價(jià)方法，包括 以下步驟：確定評(píng)價(jià)發(fā)電機(jī)組一次調(diào)頻性能指標(biāo)，規(guī)范化處理發(fā)電機(jī) 組一次調(diào)頻性能指標(biāo)，用主客觀權(quán)重結(jié)合法確定發(fā)電機(jī)組一次調(diào)頻性 能指標(biāo)的權(quán)重，基于物元可拓法評(píng)價(jià)發(fā)電機(jī)組一次調(diào)頻性能的等級(jí)。 本發(fā)明引入動(dòng)態(tài)的一次調(diào)頻性能指標(biāo)，且結(jié)合了主觀權(quán)重和客觀權(quán)重 的優(yōu)點(diǎn)求取一次調(diào)頻性能指標(biāo)的權(quán)重，基于物元可拓法對(duì)發(fā)電機(jī)組一 次調(diào)頻性能進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)，評(píng)價(jià)結(jié)果客觀、合理、全面，為電力系統(tǒng)調(diào)度部門的考核工作奠定基礎(chǔ)。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種等離子切割電源的輸出過(guò)流保護(hù)控制電路及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種等離子切割電源的輸出過(guò)流保護(hù)控制電路及 方法，輸出過(guò)流保護(hù)控制電路包括：輸入主功率模塊、輸出濾波電感、 高頻模塊、輸出檢測(cè)模塊和控制模塊；輸出濾波電感的輸入端連接至 輸入主功率模塊的第一輸出端，高頻模塊的輸入端連接至輸入主功率 模塊的第二輸出端，輸出檢測(cè)模塊的第一輸入端連接至輸出濾波電感 的輸出端，輸出檢測(cè)模塊的第二輸入端連接至高頻模塊的輸出端，輸 出檢測(cè)模塊的第三輸出端連接至控制模塊的第一輸入端，輸出檢測(cè)模 塊的第四輸出端連接至控制模塊的第二輸入端，控制模塊的輸出端連 接至輸入主功
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于 WAMS 時(shí)間斷面信息和拓?fù)湫畔?em>的故障診斷方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 WAMS 時(shí)間斷面信息和拓?fù)湫畔⒌墓收?診斷方法。該方法包括： (1)通過(guò) WAMS 獲取互聯(lián)電網(wǎng)中各量測(cè)點(diǎn)的三 相電壓和電流的幅值和相角數(shù)據(jù)；(2)使用獲取的三相電壓和電流的幅 值數(shù)據(jù)按照故障診斷啟動(dòng)判據(jù)進(jìn)行計(jì)算；(3)對(duì)滿足故障啟動(dòng)判據(jù)的量 測(cè)點(diǎn)三相電壓和電流的幅值數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)特征量提取，形成實(shí)時(shí)模式 向量；(4)將量測(cè)點(diǎn) i 提取的實(shí)時(shí)模式向量與預(yù)設(shè)的已知故障類型的基 準(zhǔn)模式向量集合相匹配，根據(jù)匹配結(jié)果給出初步故障結(jié)果；(5)根據(jù)時(shí) 間信息和電網(wǎng)拓?fù)湫畔?duì)滿足啟動(dòng)判據(jù)的量
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種云環(huán)境中虛擬機(jī)鏡像的更新方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開(kāi)了一種虛擬機(jī)鏡像的高效更新以及驗(yàn)證機(jī)制。與現(xiàn) 有的虛擬機(jī)鏡像離線更新機(jī)制不同，本技術(shù)方案通過(guò)對(duì)重寫(xiě)后的無(wú)法 實(shí)施離線更新腳本進(jìn)行分割，得到離線更新腳本以及在線更新腳本， 分階段執(zhí)行不同的腳本使得更新的執(zhí)行粒度更加細(xì)化，可以更加高效 的完成之前技術(shù)方案中無(wú)法實(shí)施離線更新的狀況。除此之外，提出一 種基于鏡像劃分進(jìn)行更新可靠性驗(yàn)證機(jī)制，通過(guò)將已更新的鏡像通過(guò) 分類聚合，驗(yàn)證更新后的鏡像可靠性，以最高效的方式完成更
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種極紫外光照射下的光學(xué)表面污染與清潔模擬裝置
本發(fā)明公開(kāi)了一種極紫外光照射下的光學(xué)表面污染與清潔模擬裝置，包括：氫原子發(fā)生器接口、電子槍、電子槍室、電子槍接口、曝光腔、冷卻毛細(xì)管、試樣臺(tái)、試樣臺(tái)接口、氣體引入設(shè)備、渦輪分子泵、前級(jí)泵、RGA、RGA 接口、插板閥、放氣閥、電阻規(guī)以及隔斷閥，氫原子發(fā)生器接口、電子槍接口、試樣臺(tái)接口以及 RGA 接口均為開(kāi)啟，且固接在曝光腔上，電子槍接口與試樣臺(tái)接口對(duì)稱設(shè)置在曝光腔的兩側(cè)，使得電子槍與試樣臺(tái)處于一條水平線上，氫原子發(fā)生器接口設(shè)置于腔體上方，且與電子槍接口的軸線垂直，RGA 接口設(shè)置于實(shí)驗(yàn)裝置的側(cè)方。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種面向多數(shù)據(jù)類型訪問(wèn)應(yīng)用的分布式文件系統(tǒng)
本發(fā)明公開(kāi)了一種面向多數(shù)據(jù)類型訪問(wèn)應(yīng)用的分布式文件系統(tǒng)， 所述分布式文件系統(tǒng)的主結(jié)點(diǎn)中包含有多類元數(shù)據(jù)，其中：每類元數(shù) 據(jù)包含有元數(shù)據(jù)哈希表和相應(yīng)的元數(shù)據(jù)控制結(jié)構(gòu)體，每類元數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng) 相應(yīng)的數(shù)據(jù)類型，所述數(shù)據(jù)類型是根據(jù)數(shù)據(jù)訪問(wèn)特性進(jìn)行分類的；每 類元數(shù)據(jù)控制結(jié)構(gòu)體用于針對(duì)相應(yīng)的數(shù)據(jù)類型進(jìn)行分類管理；所述系 統(tǒng)在接收到應(yīng)用程序訪問(wèn)請(qǐng)求時(shí)，根據(jù)應(yīng)用程序訪問(wèn)請(qǐng)求所需訪問(wèn)文 件的類型確定相應(yīng)類別的元數(shù)據(jù)控制結(jié)構(gòu)體，將相應(yīng)類別的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種應(yīng)用于監(jiān)控視頻隱私保護(hù)的壓縮域失真漂移補(bǔ)償方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種應(yīng)用于監(jiān)控視頻隱私保護(hù)的失真漂移補(bǔ)償方 法，包括：I 幀補(bǔ)償塊定位，以判定出 I 幀中哪些塊是需要進(jìn)行補(bǔ)償?shù)?塊，P 幀定補(bǔ)償塊定位，以判定出 P 幀中哪些塊是需要進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膲K， 獲取像素域補(bǔ)償信號(hào)和壓縮域補(bǔ)償信號(hào)，對(duì)其進(jìn)行熵編碼并使之作為 補(bǔ)償塊的殘差數(shù)據(jù)，以使得非隱私區(qū)域畫(huà)面清晰無(wú)失真。本發(fā)明能夠 保證去除失真的同時(shí)不改變 I 幀塊幀內(nèi)預(yù)測(cè)模式和 P 幀塊運(yùn)動(dòng)向量， 無(wú)需對(duì)視頻重新編碼，就可以去除
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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硅基微納結(jié)構(gòu)調(diào)控太陽(yáng)光譜提升光伏器件效率的研究
擁有人工微結(jié)構(gòu)科學(xué)與技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新中心、固體微結(jié)構(gòu)物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體節(jié)能器件及材料國(guó)家地方聯(lián)合工程中心以及江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等科研平臺(tái)，在硅基納米結(jié)構(gòu)材料與性能調(diào)控，硅基光子學(xué)器件和新型能源器件等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域具有很強(qiáng)的影響力。近年來(lái)，在硅基太陽(yáng)能電池片研發(fā)及其新型結(jié)構(gòu)材料在電池片上應(yīng)用等方面開(kāi)展了全方位的研究，承擔(dān)完成了國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃課題和國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等相關(guān)課題的研究。提出了漸變帶隙的納米硅量子點(diǎn)電池結(jié)構(gòu)，利用漸變帶隙進(jìn)一步拓寬電池的響應(yīng)光譜范圍，發(fā)展了包
南京大學(xué)
2021-04-14
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磷化銦納米柱徑向同質(zhì)結(jié)陣列結(jié)構(gòu)的制備及高效光電轉(zhuǎn)換器件
1. 痛點(diǎn)問(wèn)題
目前硅基太陽(yáng)能電池占據(jù)著太陽(yáng)能電池的主導(dǎo)地位，其中單晶硅電池轉(zhuǎn)換效率已可以達(dá)到25%左右，但它們需要比較多的單晶硅材料，生產(chǎn)成本高。而對(duì)于多晶硅，由于缺陷較多，轉(zhuǎn)換效率比較低。III-V族材料轉(zhuǎn)換效率高，但是材料和生產(chǎn)成本居高不下，難以推廣使用。雖然可以利用納米柱陣列來(lái)提高光吸收能力及減少材料成本，但是由于納米柱結(jié)構(gòu)具有很大的表面積，載流子較大的表面復(fù)合嚴(yán)重影響著器件的性能，而且需要昂貴的設(shè)備生長(zhǎng)徑向異質(zhì)結(jié)和控制摻雜濃度。
2. 解決方案
本項(xiàng)目提出一種磷化銦納米柱徑向同質(zhì)結(jié)陣列結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單制備方法，目前已完成高效太陽(yáng)能電池驗(yàn)證和原型器件的制備，另還有可見(jiàn)光探測(cè)器等在研。
本方法是在磷化銦納米柱制備過(guò)程中，利用刻蝕氣體中加入氫氣，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)了磷化銦納米柱陣列和徑向同質(zhì)結(jié)的制備，通過(guò)控制刻蝕時(shí)間及氫氣含量，精確控制磷化銦表面摻雜濃度及深度，相比于其他生長(zhǎng)徑向同質(zhì)結(jié)的方法，本方法設(shè)備簡(jiǎn)單，制備效率高。在降低成本方面，納米柱結(jié)構(gòu)相比于平面結(jié)構(gòu)具有更好的陷光效應(yīng)，只需使用少量的材料便可以實(shí)現(xiàn)高效光吸收。
合作需求
本項(xiàng)目下一步發(fā)展需求主要集中在與太陽(yáng)能電池相關(guān)企業(yè)的技術(shù)和產(chǎn)品合作，優(yōu)化和固定產(chǎn)品制作工藝流程，降低生產(chǎn)成本。其次是資本投資、政府政策等方面的扶持。需要的外部資源主要是產(chǎn)業(yè)的工程化和市場(chǎng)資源。
清華大學(xué)
2022-03-09