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紫外探測技術是繼激光探測技術和紅外探測技術之后發展起來的又一軍民兩用光電探測技術。幾十年來，紫外探測技術已經逐漸應用于光譜分析、軍事、空間天文、環境監測、工業生產、醫用生物學等諸多領域，對現代科研、國防和人民生活都產生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內急迫需要響應波段拓展到紫外的硅基成像器件。先進光譜儀器是集光、機、電和計算機于一體，技術密集的高科技產品。它是現代科技必不可少的精密檢測和分析手段，是現代天文學、航空航天、分子生物學、現代醫學、環境和生態等新科技建立和發展的基礎。國家對發展先進光譜儀器和研制光譜儀器用的探測器件非常重視，“十一五”國家科技支撐計劃專門設立了科學儀器設備研制與開發專項“先進大型光譜儀器的關鍵部件——高分辨分光器件和探測器件的研制”，技術人有幸成為承擔該課題的主要研究人員，負責高分辨探測器件的研制工作。 硅基成像器件如CCD和CMOS是最廣泛應用的光電探測器，而且先進的光譜儀器都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因為CCD和CMOS具有靈敏度高、低噪聲等優點。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），一般的硅基成像器件如CCD、CMOS等都在紫外波段響應很弱，這種很弱的紫外響應限制了硅基成像器件在先進光譜儀器及其他紫外波段探測方面的使用。 因此，本技術的研究成果硅基成像器件的紫外響應增強薄膜是經濟建設和社會發展迫切需要。 增強硅基成像器件的紫外響應，目前有兩種方法：一是改變硅基探測器的結構，如背照式CCD；另外一種是在現有的成像器件光敏窗口加鍍一層下變頻膜，把紫外光先轉化為可見光，然后再接收。國外自1980年起就開始增強硅基探測器紫外響應的下變頻薄膜研究，按使用材料的屬性，可以把變頻膜分為有機變頻膜和無機變頻膜兩種。有機變頻膜技術相對成熟，也有相關的專利出現。哈勃太空望遠鏡CCD、星球相機（WFPC）CCD和Photometrics等公司提供的響應波段延伸到紫外的CCD都是鍍的有機變頻膜。目前紫外增強有機變頻膜可使普通CCD的響應波段延伸到200nm，Roper Scientific公司開發的Metachrome II薄膜在120-430nm波段都具有良好的下變頻效果。有機變頻膜技術盡管成熟，但該類薄膜有著致命的缺點，那就是有機物分子在紫外輻射下降解速度很快。在照明度為1μW/cm2的光照下，有機分子以高達每小時3%的速率成指數降解。在這一方面，而無機變頻膜具有不可比擬的優點。無機變頻膜材料可以在它使用期限的前2%時間里，減少90%的降解量，因此，無機變頻膜具有非常優越的穩定性。在無機變頻膜方面，國外研究也剛起步，最早的報道見于2003年[1]，目前尚無成熟的增強硅基成像器件的紫外無機變頻膜技術。國內在有機和無機變頻膜方面，都沒有已見報道的研究工作。  為了提高探測器對紫外輻射的敏感性，我們采取了在硅基成像器件光敏窗口上鍍變頻膜的辦法，成功地使CCD及CMOS的響應波段拓展到150nm。該產品可廣泛應用在光譜分析、軍事、空間天文、環境監測、工業生產、醫用生物學等諸多領域，對推動國家的科研和產業在這些領域的發展有極大幫助。

已有樣品/n高分辨率數字相機是機器視覺與工業檢測中影像獲取的主要手段。 隨著成像技術的發展， CMOS成像技術由于其高分辨率、 低成本、 全數字化等優點， 獲得越來越廣泛的應用。 采用高性能CMOS探測器及FPGA等技術研制的高分辨率CMOS數字相機，能廣泛應用于工業檢測、 交通、 大樓等監視系統中。

本發明公開了一種可擴展的套管型微流控芯片的制備方法，包括以下步驟：S1：將與通道尺寸匹配的預置物放入PDMS預聚物中，加熱聚合PDMS，裁成PDMS塊；S2：將預置物移除，留出放置通道的管槽，管槽具有兩個管口；S3：使用倒角打磨后的點膠針筒，在PDMS塊垂直于管槽的方向上開通孔；S4：將PDMS塊開孔的兩面分別與基底和頂層鍵合，其中頂層預置有加樣孔；S5：從管槽的一個管口插入內徑均勻的毛細玻璃管，從管槽的另一個管口插入預拉尖的毛細玻璃管，完成單級套管型微流控芯片的制作；S6：復用所述毛細玻璃管，重復步驟S5，形成多級套管結構。本發明有效降低了套管型微流控芯片制作的操作難度和經濟成本。

研發階段/n主要研究支持神經網絡芯片的設計自動化工具及FPGA驗證系統，設計自動化工 具本身針對ASIC和FPGA都適用。 項目主要研究：（1）研究基于模型層的設計空間探索方法;（2）研究可重構 神經網絡硬件單元抽象和歸約方法；（3）開發面向嵌入式、功耗約束下的FPGA神 經網絡芯片系統，突破神經網絡芯片設計小型化遇到的關鍵難題。本項目提出的自 動綜合工具至少支持CNN 等兩類不同神經網絡拓撲，支持Caffe配置文件prototex 拓撲描述語言，生成的FPGA芯片，性能比CPU快1個數量級，能效比

已有樣品/n微電子所先導中心韋亞一研究員團隊與中芯國際研究團隊圍繞14 納米CMOS 量產工藝中光源掩模協同優化技術開展聯合攻關并取得顯著進展，完成了后段制程中多層關鍵層的光源優化工作，包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X 等。優化后光源通過晶圓數據驗證評估，較原有光源在各項關鍵指標上有顯著提升，保證了先進節點中光刻工藝的穩定性。

本發明公開了一種 CMOS 基準電流和基準電壓產生電路。構建 了兩個工作于飽和區的 MOS 管，使流過這兩個 MOS 管的電流相等且 由其柵源電壓的絕對值之差得到，并利用該電流產生基準電流或基準 電壓。在這兩個 MOS 管的導電類型相同時，通過調整其尺寸，將其柵 源電壓的絕對值之差轉化為其閾值電壓的絕對值之差；在這兩個 MOS 管的導電類型相反時，通過調整其尺寸，使輸出的基準電壓對溫度的 導數為 0。本發明能有效消除

TDA（芯片熱設計自動化）軟件是清華航院曹炳陽教授團隊全自主研發的國際首個芯片跨尺度熱仿真與設計系統。TDA軟件可實現芯片從納米至宏觀尺寸的熱設計與仿真，支持芯片微納結構內部熱輸運過程的模擬研究，直接提高芯片熱仿真精度與結溫預測準確度，進而提高芯片性能、壽命和可靠性。

成果與項目的背景及主要用途：該項目是天津市科技發展計劃項目，2005 年 8 月 2 日通過了科委組織的專家驗收。 項目組采用自頂向下的設計方法，完成了 CMOS 圖像傳感器 1024×768 像素 陣列的版圖設計，通過了仿真驗證，結果達到了設計要求。在 Chartered 公司 0.35um 工藝線上成功試制了關鍵模塊和小規模完整的 CMOS 圖像傳感器樣片。 樣片工作正常，能夠正確的拍攝運動物體，各項指標均滿足設計要求。 背景：CMOS 圖像傳感器是當前已廣泛用于民用、工業、科技和國防領域的 各類圖像攝取系統，近年來民用電子產品領域發展迅猛，如照相手機、PC 機、 像機等。 該成果主要用于圖像攝取系統的核心部件—CMOS 圖像傳感器設計中。 技術原理與工藝流程簡介：CMOS 圖像傳感器利用成熟的 CMOS 工藝制作光 敏像素單元，因此可以把光電接收器和信號處理電路集成在單個芯片上。主要設 計內容包括：像素陣列、消噪放大電路、模數轉換器、時序控制電路和測試系統 設計。 采用自頂向下的設計方法，首先根據功能要求對系統進行架構設計，將系統 分為時序控制電路部分（數字電路實現）和從像素陣列到 AD 轉換的信號處理部 分（模擬電路實現）。版圖設計完成后，導出 GDSII 文件，在新加坡 Chartered 公 司 0.35um 工藝線進行流片，然后進行封裝。根據芯片工作對外界的要求設計 PCB 電路板，搭建測試系統，對芯片功能和各項電學指標進行測試分析。 技術水平及專利與獲獎情況：技術水平屬國內先進。 應用前景分析及效益預測：該項目取得了 CMOS 圖像傳感器的核心設計技 術，可用于各種CMOS圖像傳感器設計中，中國CMOS圖像傳感器市場需求龐大， 年復合成長率達到 60%，因此有著廣闊的應用前景。 目前國外同類產品的銷售價格遠遠高于芯片的開發成本，因此存在很大的利 潤空間，將產生很好的經濟效益。，功能上可完全兼容、并替代進，通過合作根 據市場需求，隨時調整產品種類和指標，使經濟效益最大化。 應用領域：CMOS 圖像傳感器廣泛應用于消費類、工業和科技等各個領域。 民用領域：拍照手機、數碼相機、可視門鏡、攝像機、汽車防盜等；工業領域： 生產監控、安全監控等。 4 嵌入式實時人眼視線追蹤系統 5 智能視頻監控 6 立體影像處理 7 超高頻讀寫器芯片（有資料） 8 基于多傳感器的 AR 場景定位 

本實用新型提供了一種具有翻轉芯片功能的芯片吸取裝置，包括 Z 向高度調節與支撐機構、翻轉驅動機構、芯片吸取機構，Z 向高度調節與支撐機構將芯片吸取機構移動到適宜高度，翻轉驅動機構驅動芯片吸取機構旋轉，芯片吸取機構包括直線導向運動部件和芯片吸取元件，直線導向運動部件內設有直線軸承和彈簧，直線導向軸從上往下穿過直線軸承和彈簧，其端部連接芯片吸取元件，由于彈簧的緩沖作用，芯片吸取元件將芯片吸住后跟隨芯片上升一定的高度，再在翻轉驅動機構的作用下旋轉到達芯片供給位置。本實用新型一方面避免了非接觸式吸取的不可靠