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本發(fā)明公開一種核苷酸合成酶 CAD 在治療動(dòng)脈粥樣硬化中的功能和應(yīng)用，屬于基因的功能與應(yīng)用 領(lǐng)域。本發(fā)明以 ApoE-/-小鼠及 CAD-/-ApoE-/-小鼠為實(shí)驗(yàn)對(duì)象，通過高脂飲食誘導(dǎo)獲得動(dòng)脈粥樣硬化模型， 結(jié)果表明與

基于CMOS工藝，設(shè)計(jì)了大量射頻、毫米波收發(fā)機(jī)和頻率源芯片； CMOS 90nm 60GHz 接收機(jī)芯片，集成片上天線，傳輸效率優(yōu)于IBM芯片90%； CMOS 90nm 21dBm 60GHz功率放大器，性能優(yōu)于Hittite商用GaAs芯片； CMOS 60GHz 移相器芯片，為開發(fā)毫米波相控陣芯片奠定良好基礎(chǔ)；

本實(shí)用新型公開了用于集成電路的靜電放電觸發(fā)電路，通過在電路中設(shè)置由 NOMS  晶體管和 PMOS  晶體管組成的反相器、 BigFET  晶體管、低閾值電壓 NMOS  晶體管使電路實(shí)現(xiàn)釋放靜電放電電流（ ESD ）的功能，且在電路中采用 NMOS  晶體管代替?zhèn)鹘y(tǒng)的電容器，在能夠有效的釋放靜電放電（ ESD ）電流的同時(shí)，避免使用比較大的電阻和電容而帶來的浪費(fèi)芯片面積的問題。同時(shí)采用低閾值 MOS  管，使 BigFET  柵上的電荷快速泄放干凈，沒有漏電產(chǎn)生。

本項(xiàng)目研究集 成了柑桔、㈱猴桃、番茄冷鏈物流保鮮關(guān)鍵技術(shù)5套；制訂技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)程5項(xiàng); 冷鏈物流全程智能化監(jiān)控系統(tǒng)1套。在重慶柑橘主產(chǎn)區(qū)奉節(jié)、萬州、江津、開 縣等產(chǎn)區(qū)建立了多個(gè)示范點(diǎn)；建成節(jié)能保鮮示范庫3座，冷鏈物流示范線2條， 商品處理生產(chǎn)線2條。指導(dǎo)中、晩熟柑桔貯藏2. 2萬噸，輻射推廣柑桔貯藏13. 6 萬噸；奧林達(dá)夏橙、鮑威爾臍橙、塔羅科血橙等晩熟柑桔冷鏈貯運(yùn)保鮮效果達(dá) 到90天，腐爛率5%左右，果實(shí)品質(zhì)好、貨架期可達(dá)30天；每噸晩熟柑桔物流保 鮮后增值800-1000元。狒猴桃冷鏈物流保鮮技術(shù)指導(dǎo)生產(chǎn)應(yīng)用11萬噸，保鮮 期可達(dá)150-180天，果實(shí)腐爛率低于10%,每噸果實(shí)可增值1000-1500元。

隨著支配半導(dǎo)體技術(shù)數(shù)十年的摩爾定律日益接近其發(fā)展極限，多種功能器件集成被認(rèn)為是超越摩爾定律延續(xù)集成電路發(fā)展進(jìn)程的重要途徑之一，這就需要能夠滿足多種功能器件高密度集成的制造技術(shù)。多元兼容集成制造技術(shù)就是為此而開發(fā)的，該技術(shù)通過在更大范圍內(nèi)優(yōu)選結(jié)構(gòu)/功能材料組合，開發(fā)異質(zhì)集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創(chuàng)新設(shè)計(jì)和制造的騰挪空間。經(jīng)過多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復(fù)合材料的MEMS異質(zhì)異構(gòu)制造技術(shù)體系，并在多種類型功能器件研發(fā)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，初步展現(xiàn)了其基礎(chǔ)性支撐作用，相關(guān)技術(shù)獲得2016年度上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。 微系統(tǒng)集成發(fā)展趨勢(shì) 多元兼容集成制造技術(shù)  獲獎(jiǎng)情況 上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2016年團(tuán)隊(duì)獲獎(jiǎng) 國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2008年 上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2007年 超薄超快高熱流密度微通道散熱器 上海交通大學(xué)團(tuán)隊(duì)在長期研究經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)積累基礎(chǔ)上，創(chuàng)造性地提出了不同高熱導(dǎo)率材料組合構(gòu)造的復(fù)合結(jié)構(gòu)微通道散熱器設(shè)計(jì)方案，并基于多元兼容集成制造技術(shù)完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當(dāng)?shù)某∩崞骼鋮s能力達(dá)到800W/cm2以上，在保留傳統(tǒng)微通道散熱器良好系統(tǒng)兼容性和適用性的基礎(chǔ)上達(dá)到了相當(dāng)高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統(tǒng)超高熱流密度散熱問題提供了一個(gè)深具可行性的解決方案。 高溫薄膜溫度傳感器研究  發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室等極端惡劣環(huán)境下（高溫、強(qiáng)振動(dòng)、強(qiáng)腐蝕等）的工作參數(shù)現(xiàn)場監(jiān)測對(duì)傳感器技術(shù)是嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，國內(nèi)外研究廣泛。交大團(tuán)隊(duì)基于特種材料微納集成制造技術(shù)的長期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應(yīng)力調(diào)控、曲面圖形化和高溫敏感介質(zhì)等技術(shù)上取得了一定突破，成功開發(fā)了多種可與現(xiàn)場結(jié)構(gòu)共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環(huán)境擾動(dòng)小、響應(yīng)快、靈敏度高、可分布式安置等優(yōu)點(diǎn)，該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)掌握了溫度、應(yīng)力/應(yīng)變、熱流等多種高溫狀態(tài)參數(shù)測量技術(shù)，適用溫度在800-1300℃之間。 薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測試結(jié)構(gòu) 高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術(shù) 薄膜溫度傳感器在發(fā)動(dòng)機(jī)不同部位測溫需求 無線溫度傳感器測溫系統(tǒng) 高性能轉(zhuǎn)接板 基于轉(zhuǎn)接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統(tǒng)的硅轉(zhuǎn)接板性價(jià)比不高，阻礙了廣泛應(yīng)用。上海交大團(tuán)隊(duì)基于非硅微加工技術(shù)的長期積累，突破了硅轉(zhuǎn)接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉(zhuǎn)接板。此外，還開發(fā)了復(fù)合材料非硅轉(zhuǎn)接板，TCV陶瓷轉(zhuǎn)接板，TGV玻璃轉(zhuǎn)接板等各種三維封裝基板，實(shí)驗(yàn)室能夠針對(duì)不同類型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開發(fā)不同功能的專用轉(zhuǎn)接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個(gè)性化解決方案。 TSV-3D 高密度封裝概念圖  金屬-聚合物-納米復(fù)合材料非硅基轉(zhuǎn)接板實(shí)物圖片

智能交通系統(tǒng)已經(jīng)成為交通運(yùn)輸發(fā)展的重要支撐。2000 年左右我國正式從國家層面開展相關(guān)研究及示范工程，智能交通系統(tǒng)的發(fā)展已經(jīng)成為各級(jí)交通相關(guān)部門的共識(shí)。 清華大學(xué)自 1996 年開展智能交通系統(tǒng)的研究及系統(tǒng)設(shè)計(jì)、開發(fā)工作，內(nèi)容涵蓋交通信 號(hào)控制系統(tǒng)、交通信息平臺(tái)、指揮調(diào)度系統(tǒng)、應(yīng)急交通指揮等方面，形成了一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的理論與技術(shù)應(yīng)用成果，其中包括智能交通系統(tǒng)規(guī)劃與系統(tǒng)設(shè)計(jì)成套理論與技術(shù)、 智能交通控制系統(tǒng)、交通信息平臺(tái)軟件、交通安全輔助決策支持系統(tǒng)、交通信息社會(huì)化服務(wù) 系統(tǒng)等，獲得軟件著作權(quán) 8 項(xiàng)、發(fā)明專利 5 項(xiàng)。本技術(shù)可以為智能交通系統(tǒng)的發(fā)展提供良好的支撐，通過系統(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)施可以有效節(jié)省投資資金，同時(shí)可提高城市交通運(yùn)行效率，提高平均通行速度 5~10%，降低事故發(fā)生率 5~10%。 4 合作方式

在光通信傳輸過程中，發(fā)射端將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，然后調(diào)制到激光器發(fā)出激光束，通過光纖傳遞，在接收端接收到光信號(hào)后再將其轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，經(jīng)調(diào)制解調(diào)后變?yōu)樾畔ⅲ怆娦酒鸬降淖饔镁褪牵瑢?shí)現(xiàn)電信號(hào)和光信號(hào)之間的相互轉(zhuǎn)換，是光電技術(shù)產(chǎn)品的核心，處于光通信領(lǐng)域的金字塔尖。

項(xiàng)目成果/簡介:隨著支配半導(dǎo)體技術(shù)數(shù)十年的摩爾定律日益接近其發(fā)展極限，多種功能器件集成被認(rèn)為是超越摩爾定律延續(xù)集成電路發(fā)展進(jìn)程的重要途徑之一，這就需要能夠滿足多種功能器件高密度集成的制造技術(shù)。多元兼容集成制造技術(shù)就是為此而開發(fā)的，該技術(shù)通過在更大范圍內(nèi)優(yōu)選結(jié)構(gòu)/功能材料組合，開發(fā)異質(zhì)集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創(chuàng)新設(shè)計(jì)和制造的騰挪空間。經(jīng)過多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復(fù)合材料的MEMS異質(zhì)異構(gòu)制造技術(shù)體系，并在多種類型功能器件研發(fā)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，初步展現(xiàn)了其基礎(chǔ)性支撐作用，相關(guān)技術(shù)獲得2016年度上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。微系統(tǒng)集成發(fā)展趨勢(shì)多元兼容集成制造技術(shù) 獲獎(jiǎng)情況上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2016年團(tuán)隊(duì)獲獎(jiǎng)國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2008年上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2007年超薄超快高熱流密度微通道散熱器上海交通大學(xué)團(tuán)隊(duì)在長期研究經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)積累基礎(chǔ)上，創(chuàng)造性地提出了不同高熱導(dǎo)率材料組合構(gòu)造的復(fù)合結(jié)構(gòu)微通道散熱器設(shè)計(jì)方案，并基于多元兼容集成制造技術(shù)完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當(dāng)?shù)某∩崞骼鋮s能力達(dá)到800W/cm2以上，在保留傳統(tǒng)微通道散熱器良好系統(tǒng)兼容性和適用性的基礎(chǔ)上達(dá)到了相當(dāng)高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統(tǒng)超高熱流密度散熱問題提供了一個(gè)深具可行性的解決方案。高溫薄膜溫度傳感器研究 發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室等極端惡劣環(huán)境下（高溫、強(qiáng)振動(dòng)、強(qiáng)腐蝕等）的工作參數(shù)現(xiàn)場監(jiān)測對(duì)傳感器技術(shù)是嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，國內(nèi)外研究廣泛。交大團(tuán)隊(duì)基于特種材料微納集成制造技術(shù)的長期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應(yīng)力調(diào)控、曲面圖形化和高溫敏感介質(zhì)等技術(shù)上取得了一定突破，成功開發(fā)了多種可與現(xiàn)場結(jié)構(gòu)共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環(huán)境擾動(dòng)小、響應(yīng)快、靈敏度高、可分布式安置等優(yōu)點(diǎn)，該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)掌握了溫度、應(yīng)力/應(yīng)變、熱流等多種高溫狀態(tài)參數(shù)測量技術(shù)，適用溫度在800-1300℃之間。薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測試結(jié)構(gòu)高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術(shù)薄膜溫度傳感器在發(fā)動(dòng)機(jī)不同部位測溫需求無線溫度傳感器測溫系統(tǒng)高性能轉(zhuǎn)接板基于轉(zhuǎn)接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統(tǒng)的硅轉(zhuǎn)接板性價(jià)比不高，阻礙了廣泛應(yīng)用。上海交大團(tuán)隊(duì)基于非硅微加工技術(shù)的長期積累，突破了硅轉(zhuǎn)接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉(zhuǎn)接板。此外，還開發(fā)了復(fù)合材料非硅轉(zhuǎn)接板，TCV陶瓷轉(zhuǎn)接板，TGV玻璃轉(zhuǎn)接板等各種三維封裝基板，實(shí)驗(yàn)室能夠針對(duì)不同類型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開發(fā)不同功能的專用轉(zhuǎn)接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個(gè)性化解決方案。TSV-3D 高密度封裝概念圖 金屬-聚合物-納米復(fù)合材料非硅基轉(zhuǎn)接板實(shí)物圖片知識(shí)產(chǎn)權(quán)類型:發(fā)明專利 、 軟件著作權(quán) 、 集成電路布圖設(shè)計(jì)技術(shù)先進(jìn)程度:達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平成果獲得方式:獨(dú)立研究獲得政府支持情況:國家級(jí)

本項(xiàng)成果包括對(duì)同一個(gè)鉆孔內(nèi)壁的圍巖損傷情況分次進(jìn)行監(jiān)測的光學(xué)鉆孔窺視儀、聲發(fā)射裝置和鉆孔應(yīng)力計(jì)。其特征在于：對(duì)預(yù)先在煤礦巷道幫上所鉆取的同一個(gè)鉆孔內(nèi)壁的圍巖損傷情況分次進(jìn)行監(jiān)測的光學(xué)鉆孔窺視儀、聲發(fā)射裝置和鉆孔應(yīng)力計(jì)，匯總所有監(jiān)測結(jié)果，從表面變形和內(nèi)部損傷研究對(duì)圍巖損傷失穩(wěn)狀況進(jìn)行全方位辨析。

本實(shí)用新型公開了一種便于焊接布局的集成電路。包括處理信息電路、具有二極管和電容的采集信息電路和功能接口，采集信息電路中各個(gè)電容平行布置，且同一極性電極設(shè)置朝向相同，各個(gè)電容和二極管的負(fù)極設(shè)置朝向相同，各個(gè)電容和二極管的正極設(shè)置朝向相同；所述功能接口和采集信息電路分別布置在處理信息電路兩側(cè)；處理信息電路包括微處理器TMS320F2812和RISC處理器S3C44BOX，所述微處理器和所述RISC處理器之間通過各自的引腳相互連接。本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了焊接布局的方便，增強(qiáng)了電路板的工作穩(wěn)定性，同時(shí)提高了其綜合工作性能。