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一種基于 555 斯密特觸發(fā)器的聲控鼓風機電路
本實用新型提供一種基于 555 斯密特觸發(fā)器的聲控鼓風機電路，包括依次連接的音頻采集電路、放 大電路和驅動電路。本實用新型對微小的音頻信號進行采集，放大和處理，使得音頻信號經過觸發(fā)器之 后成為高電平方波信號，觸發(fā)鼓風機電機工作，達到送風的目的。本實用新型電路結構簡單、經濟實用， 可以通過簡易的電路信號處理裝置，將音頻信號轉化成為一種觸發(fā)信號。
武漢大學
2021-04-14
輸出電容低ESR開關變換器雙緣PFM調制電壓型控制方法及其裝置
本成果來自國家科技計劃項目，現已結題，并獲得國家發(fā)明專利授權（ZL201310022469.0），知識產權屬于西南交通大學。該成果公開了一種輸出電容低ESR開關變換器雙緣PFM調制電壓型控制方法及其裝置，檢測流過輸出電容的電流ic以及輸出電壓Vo，將兩者相加得到信號Vos，電壓控制信號Vc與Vos經過時間運算器生成可變時間，結合預設的恒定時間，再經過控制時序生成器產生由恒定時間和可變時間組成的控制時序，控制開關變換器開關管的導通與關斷。本成果具有輸出電壓低紋波且無低頻振蕩、穩(wěn)定范圍廣、瞬態(tài)響應速度快、穩(wěn)壓精度高的優(yōu)點。
西南交通大學
2016-06-27
一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方 法，適合鍶、鈰、鈀等元素摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備。 本方法采用陽極氧化法制備納米棒陣列模板，采用溶膠凝膠法在模板 上形成摻雜鈷酸鑭納米棒，并采用晶種的方式將納米棒與電極基板接 觸。該方法可以完好的保留納米棒的形貌，并能在室溫下對一氧化碳 有較好的響應。采用該方法制備的室溫一氧化碳傳感器結構簡單，性 能優(yōu)異。
華中科技大學
2021-04-14
一種賤金屬內電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種賤金屬內電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內電極依次層壓生成，其中所述 內電極材質為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發(fā)明 具有以下有益效果：（1）本發(fā)明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發(fā)明采用賤金屬 Ni 為內電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統的固相燒 結方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區(qū)域、分別位于半導體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區(qū)域的隧穿電介 質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導體區(qū)域包括多個存儲單元的
華中科技大學
2021-04-14
一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子控制器
本發(fā)明公開了一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子 控制器，包括：2N 個繞組橋臂及一個共用橋臂，其中，N 為多軸磁懸 浮軸承自由度數，2N 個繞組橋臂分為 N 個 A 組繞組橋臂以及 N 個 B 組繞組橋臂，每一個繞組橋臂設置一個可控開關，共用橋臂設置 2 個 可控開關，通過改變可控開關的導通時間控制通過每個繞組的電流， 實現對多軸磁懸浮軸承中電磁力的控制。本發(fā)明的各繞組勵磁電流在 公共接點處相互抵消，改變了以往結構共用橋臂電流為各繞組橋臂之 和，顯著減小了流過共用橋臂可控開關的電流，降低了開
華中科技大學
2021-04-14
類環(huán)狀流微膜蒸發(fā)板翅式冷凝蒸發(fā)技術 新型高效冷凝蒸發(fā)器
該項目是在國家自然科學基金委的大力支持下，由西安交通大學吳裕遠教授主持的課題組經過15年的艱苦努力，突破傳統機理，銳意科技創(chuàng)新，所取得的最新成果，榮獲2001年國家技術發(fā)明獎二等獎。該項目是西安交通大學，擁有完全的自主知識產權,非常適宜在制氧、石油、化工、乙烯等換熱器領域推廣應用。
西安交通大學
2021-01-12
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一種基于超聲波振動式結晶器的不銹鋼生產方法
（專利號：ZL 201410284167.5） 簡介：本發(fā)明公開了一種基于超聲波振動式結晶器的不銹鋼生產方法，屬于鋼鐵冶金技術領域。本發(fā)明的步驟為：步驟一、高爐煉鐵；步驟二、轉爐冶煉并進行精煉；步驟三、超聲波連鑄，經過步驟二精煉之后的鋼水在連鑄過程中采用水平連鑄結晶器，在水平連鑄結晶器上產生超聲波振動。本發(fā)明中無需依靠結晶器的機械振動，而僅僅依靠超聲波振動力使初生坯殼與結晶器內壁自動“脫模”，從而消除或減少不銹鋼鑄坯表面缺陷的產生；結晶器
安徽工業(yè)大學
2021-01-12
基于酞菁納米線具有紅外響應的有機憶阻器及陽離子調節(jié)特性
憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)。惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現，有望實現非易失性隨機存儲器。并且，基于憶阻的隨機存儲器的集成度、功耗、讀寫速度都要比傳統的隨機存儲器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實現人工神經網絡突觸的最好方式。由于憶阻的非線性性質，可以產生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應用。目前，有機憶阻器普遍具有穩(wěn)定性差、工作機理模糊不清、紅外響應差的不足。所以，研究人員希望能夠開發(fā)出具有高穩(wěn)定性且紅外響應好的有機憶阻器。
南方科技大學
2021-04-13
基于運算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路及其讀出方法
本發(fā)明公開了一種基于運算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路，所述阻性傳感器陣列為共用行線和列線的阻性傳感器陣列；該讀出電路包括：標準電阻行，其包括一行N個標準電阻，增設于所述阻性傳感器陣列中，從而得到一個新的共用行線和列線的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個運算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線一一對應，每個運算放大器的反相輸入端、輸出端連接于一點后與其所對應行線連接；控制器，其具有至少(M+1)個IO端口以及至少N個ADC采樣端口，其中的(M+1)個IO端口與所述（M+1）個運算放大器的同相輸入端
東南大學
2021-04-14