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產品詳細介紹     6 路標清視頻信號,6 路立體聲模擬音頻信號。    規格參數： 輸入通道: 6路CVBS標清、2個6路立體聲音頻 CVBS輸入標準: PAL/NTSC CVBS采集輸出格式: 畫面大小: 176x144至720x576像素 每秒幀數: 1-30幀/秒 色彩格式: UYVY/YUY2/I420/RGB24/RGB32 音頻參數: 聲道數: 12聲道 采樣頻率: 8/16/22.05/32/44.1/48/96 KHz 采樣精度: 24 bit 信噪比: >= 90 db 視頻處理功能: RGB/YUV轉換,5-Tap畫面縮放,運動自適應去隔行 板載內存: 128MB;DDR2/32bit/166Hz 插槽接口: Low-Profile PCI-Express x1 主體外觀尺寸: 123mmx69mm功能特性： 畫質好:采用10bit采樣精度的4倍過采樣AD轉化器,5線自適應梳狀濾波器等技術,保障了畫面細節豐富,信噪比高,并大大減少了色邊 音質好:采用96KHz采樣率,24bit采樣精度A/D轉換器,實測信噪比在90db等,保障了畫面細節豐富,信噪比高,并大大減少了色邊 產品描述： n         小尺寸具備更高性能 符合Low Profile高度、Half Length板長標準，可以很方便地安裝在2U和標準機箱內，這樣一款體積小巧靈活的采集卡可同時采集6路CVBS視頻和6路不平衡立體聲音頻，具備強勁性能。 n         高品質元件具有超強穩定性 所有芯片和電容元件使用進口高質量元件，采用6層板設計，信號品質優于同類產品，輕松通過超長時間全負荷工作，可連續工作24h x7不間斷。 n         最高質量模擬信號采集 同時采集6路復合視頻和6路不平衡立體聲音頻，每通道可達D1/30 fps，無失幀現象，兼容PAL，NTSC視頻標準，并且可以自動識別輸入信號的視頻標準，無需手工調整。 n         PCI-E接口輕松達到高帶寬 采用PCI-E接口，允許和每個設備建立獨立的數據傳輸通道，無需向系統請求帶寬，輕松達到高帶寬。 n         畫面任意縮放和剪裁 通過自帶的AMCAP工具可對輸入信號任意縮放和剪裁，滿足您的個性化需求，帶來更具個性化的體驗。 n         高品質音視頻體驗 采用10bit采樣精度的4倍過采樣AD轉化器,5線自適應梳狀濾波器等技術,保證畫面具有高銳利度，畫面細節豐富，并大大減少了色邊；采用96KHz采樣率,24bit采樣精度A/D轉換器,實測信噪比在90db等, 高采樣率和高采樣精度保證采樣失真最小化，高信噪比保證聲音足夠純凈。 n         流媒體直播 經過壓縮的視頻再壓縮成流媒體格式會極大地降低質量，而且會耗費更多CPU，純凈的無壓縮視頻源能夠提高互聯網流媒體視頻質量。支持領先的流媒體軟件，無需二次開發，將視頻采集成最高質量格式后再壓縮成適合網絡發布的任何特定格式，搭建屬于自己的IPTV！ n         兼容更多軟件 采用標準開發接口，基于 DirectShow Filter 的音視頻采集接口，基于 DirectSound 的音頻采集接口，基于 IKsPropertySet 的擴展接口，兼容更多軟件，如：Windows Media Encoder、Adobe Flash Media Live Encoder、Real Producer Plus、VideoLAN for Windows。 n         靈活的多通道采集 具備SimuStream 功能，可兼容多個應用程序同時采集，不降低幀率。同一時間可將統一信號源處理為多種格式、多種比特率、多種分辨率的流媒體，減少硬件總成本，適用于IPTV，支持多種終端用戶收看。  

產品詳細介紹產品名稱:  V6系列Flotect防爆流量開關產品型號:  V6可以測量氣體或液體特點：防爆防漏設計管徑范圍：1/2"-2"溫度：-20~105°C；高溫型最大205°C操作壓力：69~138bar輸出SPDT，DPDT可選開關體：可選黃銅或不銹鋼重量：0.9-2.7Kg 認證：UL，CSA，CE，ATEX設定調節: 出廠設定好。對于小流量型號，可現場設定，見下表選型表：型號 下半部材質 連接尺寸 “T”形頭材質  V6EPB-B-S-1-B Brass 1/2" Brass  V6EPB-B-S-2-B Brass 3/4" Brass  V6EPB-B-S-3-B Brass 1" Brass  V6EPB-B-S-4-B Brass 1-1/4" Brass  V6EPB-B-S-5-B Brass 1-1/2" Brass  V6EPB-B-S-6-B Brass 2" Brass  V6EPB-B-S-1-MI Brass 1/2" Iron  V6EPB-B-S-2-MI Brass 3/4" Iron  V6EPB-B-S-3-MI Brass 1" Iron  V6EPB-B-S-4-MI Brass 1-1/4" Iron  V6EPB-B-S-5-MI Brass 1-1/2" Iron  V6EPB-B-S-6-MI Brass 2" Iron  V6EPB-S-S-1-MI Stainless Steel 1/2" Iron  V6EPB-S-S-2-MI Stainless Steel 3/4" Iron  V6EPB-S-S-3-MI Stainless Steel 1" Iron  V6EPB-S-S-4-MI Stainless Steel 1-1/4" Iron  V6EPB-S-S-5-MI Stainless Steel 1-1/2" Iron  V6EPB-S-S-6-MI Stainless Steel 2" Iron  V6EPB-S-S-1-FS Stainless Steel 1/2" Forged Steel  V6EPB-S-S-2-FS Stainless Steel 3/4" Forged Steel  V6EPB-S-S-3-FS Stainless Steel 1" Forged Steel  V6EPB-S-S-4-FS Stainless Steel 1-1/4" Forged Steel  V6EPB-S-S-5-FS Stainless Steel 1-1/2" Forged Steel  V6EPB-S-S-6-FS Stainless Steel 2" Forged Steel  V6EPB-S-S-1-S Stainless Steel 1/2" Stainless Steel  V6EPB-S-S-2-S Stainless Steel 3/4" Stainless Steel  V6EPB-S-S-3-S Stainless Steel 1" Stainless Steel  V6EPB-S-S-4-S Stainless Steel 1-1/4" Stainless Steel  V6EPB-S-S-5-S Stainless Steel 1-1/2" Stainless Steel  V6EPB-S-S-6-S Stainless Steel 2" Stainless Steel  V6EPB-B-S-6-0 Brass No Tee None  V6EPB-S-S-6-0 SS No Tee None  V6EPB-B-S-LF Brass 1/2" LF, Brass  V6EPB-S-S-LF SS 1/2" LF, SS 

基本配置： 模具工位：6個 沖壓頻率：55次/分 加工精度：±0.10mm 加工板厚：≤10mm 夾鉗： 厚板沖專用夾鉗 導軌： 采用臺灣TBI加寬重載導軌 絲杠： 采用臺灣TBI精密滾珠絲杠 電機： 采用國內高精度伺服電機及驅動器 控制系統 KLD-V-8.0

未來裝配式建筑構件若實現工業化、標準化和智能化制造，關鍵環節是要求構件成型模具拆裝靈活，便捷高效，可重復使用，并具通用性。高性能磁性固定器件就是為簡化預制混凝土構件模具安裝而設計開發的一種新型無損模具固定裝置，旨在解決傳統螺栓錨定對生產平臺的破壞性、難拆卸、通用性差的技術難題。

為了追求極限性能，越來越多的電子系統需要在低溫條件下工作。例如，在量子計算機、高性能傳感器、深空觀測以及一些經典信息處理系統中，通常使用工作溫度為2K甚至是mk溫區的低溫器件，從而在噪聲、速度和靈敏度等方面實現接近量子極限的性能。對于這一類低溫系統，信號讀取與處理通常采用兩種方式：第一種是采用超導數字電路SFQ（單磁通量子技術）來實現高性能計算和處理；第二種是將信號傳送至幾十K的溫區，再采用低溫CMOS技術對進行信號處理。然而，不論采用何種技術路徑，數字電路的功耗都必須控制在極小范圍之內，從而保持極低溫的工作環境，維持低溫器件的高性能。隨著應用需求的提高和低溫陣列器件規模的擴大，低溫電子系統性能受到信號處理和傳輸技術的制約，急切需要新的方案進行解決。 圖1. (a) 采用超導納米線結構實現的12門控或邏輯門；(b) 超導納米線數字編碼器芯片照片。針對此問題，南京大學吳培亨院士領導的超導電子學研究所團隊，趙清源教授和康琳教授課題組設計出新型多門控超導納米線邏輯器件(superconducting nanowire cryotron, nTron)，并利用此器件搭建經典二進制數字編碼器；在1.6K的溫度下，成功實現數字信息編碼，總功耗小于1微瓦(10-6瓦)。同時，他們還利用此編碼器對超導納米線單光子探測器陣列實現數字化讀出，為低溫陣列探測器的信號讀出和處理提供第三種解決方案。圖2. 超導納米線邏輯芯片實現對單光子探測器陣列的數字化讀取。半導體數字電路，經歷了從電子管、晶體管、混合集成電路至大規模集成電路的發展過程。每一代技術的升級變革，其核心推力都是基礎邏輯器件的更新換代。前沿技術領域對超導電子器件的應用需求，也正將超導電子技術推向數字化的發展時代。南京大學吳培亨院士團隊基于超導納米線技術，開展了新型超導邏輯器件(nTron)的研究工作。nTron為單層平面器件，利用局部超導相變，實現高速低功耗的開關邏輯。

在利用太陽能分解水制取氫氣的催化劑研究上取得新進展。該研究工作借鑒自然界光合作用，在多個光敏中心多個催化中心產氫器件構筑的基礎上，進一步將其植入到金屬有機框架材料中，模擬自然界酶催化環境中質子和電子的傳輸與轉移，在有效規避分子基催化劑穩定性差的同時，極大地提高了光催化產氫性能，為人工模擬光催化劑的設計和構筑提供了新的思路。? 人工模擬光合作用，利用太陽能在催化劑作用下分解水制取氫氣，是實現將太陽能轉化為清潔的化學能，解決人類社會面臨的能源危機和環境污染問題的理想途徑。在早期，我校化學學院蘇成勇教授和石建英副教授研究團隊發展了空間上相互獨立、功能上相互等價，集合8個光敏金屬有機釕中心和6個催化Pd2+中心于一體的金屬-有機分子籠產氫器件[Pd6(RuL3)8]28+(MOC-16)，在單一分子籠內構筑出多個相互獨立的能量傳遞和電子轉移通道，獲得了高達380 μmol h-1的初始產氫速率和635的TON(48h) [Nature Communications, 2016, 7: 13169]。雖然金屬有機分子籠提高了分子基催化劑的產氫性能，但光照條件下的穩定性仍然是制約其進一步應用的決定因素。       最近，我校化學學院蘇成勇教授和石建英副教授研究團隊又基于配位組裝策略實現了Au25(SG)18納米簇在金屬有機ZIF-8主體框架內部和外表面的可控組裝[Advanced Materials, 2018, 30,1704576]。采用相似策略，他們將MOC-16植入到ZIF-8主體內，進一步將ZIF-8轉化為Znx(MeIm)x(CO3)x (CZIF)，獲得了MOC-16@CZIF催化劑。

已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎上，通過高級刻蝕技術形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結合，最終形成全隔離硅基環柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結構。

已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質結材料體系，通過采用導電機制融合和能帶分區調控的先進技術路線改變傳統氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數之間的經典調控規律，采用無損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測試結果達到1700V反向耐壓，正向開啟電壓達到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場提供了一種新選擇。

已有樣品/n通過石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數量，集中化/離散化陽離子基阻變器件中導電通路的分布來調控其穩定性,此工作是該領域首次在相同結構阻變器件中實現電流-保持特性的雙向調控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調控方法，也能夠移植應用到離子電池，離子傳感等研究領域。

項目簡介本成果提出新型微結構光纖器件，提出基于非對稱耦合理論的實現模式轉換、波分 復用等功能器件。已申請發明專利 6 項，其中已授權發明專利 3 項（ZL200810021652.8、 ZL200810021651.3、ZL200910032535.6）。 性能指標 （1）模式轉換效率可達 80%以上，帶寬在 100 nm 以上。 （2）實現 1310、1550 nm 波長復用、解復用，消光比低于-25 dB。 適用范圍、市場前景 適用范圍：高速光通信關鍵器件，組成高速、大容量光 通信