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本實用新型提供了一種具有翻轉(zhuǎn)芯片功能的芯片吸取裝置，包括 Z 向高度調(diào)節(jié)與支撐機構(gòu)、翻轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)、芯片吸取機構(gòu)，Z 向高度調(diào)節(jié)與支撐機構(gòu)將芯片吸取機構(gòu)移動到適宜高度，翻轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動芯片吸取機構(gòu)旋轉(zhuǎn)，芯片吸取機構(gòu)包括直線導(dǎo)向運動部件和芯片吸取元件，直線導(dǎo)向運動部件內(nèi)設(shè)有直線軸承和彈簧，直線導(dǎo)向軸從上往下穿過直線軸承和彈簧，其端部連接芯片吸取元件，由于彈簧的緩沖作用，芯片吸取元件將芯片吸住后跟隨芯片上升一定的高度，再在翻轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)的作用下旋轉(zhuǎn)到達(dá)芯片供給位置。本實用新型一方面避免了非接觸式吸取的不可靠

        技術(shù)成熟度：技術(shù)突破         研發(fā)團(tuán)隊以設(shè)計制備寬光譜超材料吸收器和像元級集成紅外探測器為研究主線，在超薄寬帶高吸收原理與策略、材料/器件設(shè)計與制備方面取得了突破性進(jìn)展。圍繞器件吸收率低、噪聲等效溫差（NETD）大、集成兼容性差的難題，提出了無損與損耗型介質(zhì)結(jié)合、多模諧振耦合光吸收的思路，獲得超薄寬帶高吸收率材料；提出將超薄寬帶高吸收率材料與非制冷紅外探測器像元級集成新思路，獲得了寬譜、NETD小、多色探測的非制冷紅外探測器，NETD降低3倍，研究成果已在中國兵器北方夜視廣微科技應(yīng)用轉(zhuǎn)化。         意向開展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開發(fā)資金支持

準(zhǔn)備了高效紅、綠、藍(lán)量子點和納米材料，無機量子點材料在發(fā)光、顯示、太陽能 電池、生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景。如下圖為藍(lán)光量子點材料的圖譜。 利用制備的 ZnO 納米陣列首次得到了色純度較高的有機復(fù)合/無機紫外 LED，實現(xiàn)了室溫下 ZnO 納米棒在 380nm 附近的電致發(fā)光。并利用所制備的 ZnO、TiO 量子點和納米材料，實現(xiàn)在太陽能電池領(lǐng)域的應(yīng)用，提高了有機太陽能電池的效率。

實現(xiàn)了基于線性光學(xué)系統(tǒng)的量子有限狀態(tài)自動機的研究。該量子自動機使用3個空間狀態(tài)，即可解決判定輸入整數(shù)是否為某一質(zhì)數(shù)P的整數(shù)倍的問題，而使用經(jīng)典的自動機解決同樣問題至少需要P個空間狀態(tài)。該工作首次在實驗上實現(xiàn)了量子自動機的運行并驗證了其相比于經(jīng)典自動機的空間資源高效性，在該領(lǐng)域具有開創(chuàng)性的作用。

準(zhǔn)備了高效紅、綠、藍(lán)量子點和納米材料，無機量子點材料在發(fā)光、顯示、太陽能電池、生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景。如下圖為藍(lán)光量子點材料的圖譜。  納米材料的透射電子顯微鏡圖譜，其中右下角的插圖分別為各自在紫外燈照射下的數(shù)碼照片 利用制備的ZnO納米陣列首次得到了色純度較高的有機復(fù)合/無機紫外LED，實現(xiàn)了室溫下ZnO納米棒在380nm附近的電致發(fā)光。并利用所制備的ZnO、TiO量子點和納米材料，實現(xiàn)在太陽能電池領(lǐng)域的應(yīng)用，提高了有機太陽能電池的效率。

提出一種基于超構(gòu)表面透鏡雙焦點輻射的量子點單光子源結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)對位于雙焦點上的量子點和其鏡像的輻射光子能實現(xiàn)方向可控的準(zhǔn)直出射，并能同時實現(xiàn)左右旋偏振態(tài)的按需調(diào)控。為提高光子的收集效率，在結(jié)構(gòu)背部設(shè)置有一面反射鏡，反射光子可以等效為量子點鏡像發(fā)射的光子。實驗制備該量子光源的最大挑戰(zhàn)在于如何精確地把量子點和其鏡像集成在超構(gòu)表面透鏡的雙焦點上。王雪華教授團(tuán)隊通過發(fā)展超構(gòu)表面制備技術(shù)和前期研究“三高”量子糾纏光子源【Nature Nanotechnology 14，586（2019）】所發(fā)展的定位精度達(dá)10納米的熒光成像精確定位技術(shù)，實現(xiàn)了量子點和其鏡像與超構(gòu)表面透鏡雙焦點的精確重合，演示了到目前為此所報道的最小發(fā)散角（3.17度）的準(zhǔn)直出射，并實現(xiàn)了左、右旋偏振態(tài)分離可調(diào)且偏振度達(dá)88%的按需調(diào)控單光子源。該研究工作提供了基于超構(gòu)表面調(diào)控量子光源的新方案，為推進(jìn)量子光源性能的按需調(diào)控和實用化向前邁出了非常重要的一步。

1. 痛點問題 激光雷達(dá)技術(shù)存在固有缺陷，造成安全隱患與高昂成本。激光雷達(dá)技術(shù)主要有以下三個缺點： 1）遠(yuǎn)距離探測會漏視目標(biāo)，點云圖觀看舒適度極低。激光雷達(dá)使用點掃描方式探測距離，探測距離越遠(yuǎn)像點間隔越大，像點之間有漏視問題。激光雷達(dá)采用點掃描方式形成點云圖，對人眼而言無法直接辨識目標(biāo)； 2）激光信號易受干擾，造成嚴(yán)重安全隱患；不同激光雷達(dá)之間會產(chǎn)生干擾，因為光譜資源有限，這是無法克服的問題； 3）結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高，工業(yè)生產(chǎn)難度大。激光雷達(dá)使用多線激光提高掃描速度，對生產(chǎn)工藝要求極高。機械轉(zhuǎn)動產(chǎn)生的磨損會直接影響激光雷達(dá)的壽命及電機控制的精度，需要定期調(diào)校和維護(hù)。 2. 解決方案 清華大學(xué)物理系的科研團(tuán)隊，經(jīng)過八年的研究，業(yè)內(nèi)首次實現(xiàn)了芯片級的量子關(guān)聯(lián)成像系統(tǒng)，相關(guān)算法和硬件系統(tǒng)獲得了國家發(fā)明專利。 量子關(guān)聯(lián)成像技術(shù)能為智能設(shè)備安裝“眼睛”，實現(xiàn)成像與3D測繪功能，核心專利是量子物理算法，以低成本實現(xiàn)高精度測繪與成像，有效彌補了激光雷達(dá)技術(shù)的重大應(yīng)用缺陷，為獲取高空間分辨率的3D測繪提供了全新的技術(shù)手段。 尋求有開發(fā)ASIC芯片、硅光芯片和電子器件產(chǎn)品經(jīng)驗的企業(yè)開展業(yè)務(wù)合作。

光收發(fā)芯片是光收發(fā)模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網(wǎng)絡(luò)物理層的主要基礎(chǔ)芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅(qū)動器三種。它們被用于光纖傳輸?shù)那岸耍瑏韺崿F(xiàn)高速傳輸信號的光電、電光轉(zhuǎn)換，這些功能被集成在光纖收發(fā)模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發(fā)操作系統(tǒng)及其之上的核心 API 軟件，支撐國家信息化建設(shè)，并致力于構(gòu)建區(qū)別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態(tài)體系 。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動器高速光收發(fā)芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動器，設(shè)計用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動器高速光收發(fā)芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動器，設(shè)計用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動器高速光收發(fā)芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發(fā)芯片,工作在高達(dá)14Gbps的數(shù)據(jù)速率、非常適合以太網(wǎng)和光纖通道應(yīng)用。在EP116的發(fā)射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數(shù)高速系統(tǒng)存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達(dá)10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調(diào)節(jié)觸發(fā)LOS報警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負(fù)載提供高達(dá)12mA的調(diào)制電流 　　偏置電流高達(dá)19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調(diào)節(jié)調(diào)制輸出的眼圖交叉點 　　工作溫度: -40度 到 90度