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對于在液相和液固相體系中進行的反應(yīng)以及反應(yīng)-沉淀和結(jié)晶等過程，反應(yīng)器中的混合狀況，尤其是分子尺度上的混合即微觀混合有重要影響。工業(yè)上廣泛用于這類過程的傳統(tǒng)裝置是攪拌槽反應(yīng)器(簡記為STR)。這種反應(yīng)器通常是在一個高度與直徑大致相等的容器中，依靠轉(zhuǎn)動的單層或多層攪拌槳帶動流體旋轉(zhuǎn)運動，使流團之間和液固相之間產(chǎn)生相對運動，從而發(fā)生混合。由于這種方式產(chǎn)生的流團間和液－固相間相對運動不夠劇烈，混合、尤其是微觀混合狀況不理想，因而液相和液固相中進行的上述過程效率不夠高；同時，旋轉(zhuǎn)引起的離心力使得攪拌槳輸入的機械能大部分消耗在流體與器壁碰撞上，能量利用率也不高。化學(xué)工程研究室伍沅研發(fā)了一種“浸沒循環(huán)撞擊流反應(yīng)器”，已獲得專利(ZL00 2 30326.4)。該反應(yīng)器具有下列重要特性和優(yōu)點： (1)全混流－無混合流串聯(lián)循環(huán)的特殊流動結(jié)構(gòu)； (2)撞擊流微觀混合強烈； (3)通過循環(huán)的安排，可以根據(jù)需要任意設(shè)置反應(yīng)時間，適應(yīng)大多數(shù)反應(yīng)體系的要求； (4)可以間歇、也可以連續(xù)操作； (5)可以提供換熱條件。 它在制取超細粉體等應(yīng)用中已顯示出優(yōu)越的性能；還具有動力消耗低的優(yōu)點。然而，該反應(yīng)器在工業(yè)應(yīng)用方面也存在一定的局限性。主要問題是反應(yīng)器側(cè)壁形狀有相當(dāng)大的一部分平面，受力情況比較苛刻。當(dāng)用于在加壓或真空下進行的過程時，器壁勢必做得很厚，大大增加設(shè)備重量、材料消耗和投資。本實用新型的目的是克服上述不足，通過改變結(jié)構(gòu)、提供一種既能保持浸沒循環(huán)撞擊流反應(yīng)器的優(yōu)點和性能，又便于設(shè)計和制造成能在受壓條件下工作的反應(yīng)技術(shù)裝備。它是浸沒循環(huán)撞擊流反應(yīng)器(ZL00230326.4)的改進型。由臥式改為立式圓筒形結(jié)構(gòu)，消除了所有平面壁，從而更容易制造加壓反應(yīng)器。其它性質(zhì)和功能與前者相同。 銷售專利售反應(yīng)器，也可轉(zhuǎn)讓專利權(quán)或入股聯(lián)合經(jīng)營企業(yè)。

研究小組首先利用激光分子束外延技術(shù)生長了具有原子級別平整度的反鐵磁Cr2O3薄膜，是電荷的絕緣體。采用非局域自旋輸運的技術(shù)，用熱方法在鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、產(chǎn)生自旋壓，在另外一個鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應(yīng)測量自旋流的輸運（圖A）。實驗數(shù)據(jù)顯示在低溫下自旋輸信號出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，對應(yīng)著自旋導(dǎo)的飽和，也就是零自旋阻效應(yīng)；即自旋超流基態(tài)的最重要基本性質(zhì)之一（圖B）。在此基礎(chǔ)上，該研究小組又系統(tǒng)研究了不同自旋輸運距離下自旋超流的輸運現(xiàn)象，證明了自旋在該自旋超流基態(tài)可以進行長距離的輸運，并且其隨輸運距離的關(guān)系與自旋超流態(tài)輸運理論預(yù)言一致（圖C）。該工作是是自旋超導(dǎo)態(tài)領(lǐng)域研究的一項重大突破，勢必推動自旋超導(dǎo)態(tài)的快速發(fā)展，為研究基于自旋玻色子的玻色愛因斯坦凝聚的基礎(chǔ)物理研究提供了實驗平臺，并為新型量子自旋器件，如自旋流約瑟夫森結(jié)等，奠定了實驗基礎(chǔ)。圖：自旋超流基態(tài)的重要實驗證據(jù)。（A）非局域自旋輸運測量示意圖。用熱方法在左邊鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右邊鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應(yīng)測量自旋流的輸運。（B）自低溫下自旋輸信號出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，反映出自旋超流基態(tài)的零自旋阻效應(yīng)。（C）自旋信號隨其隨輸運距離的關(guān)系與自旋超流態(tài)輸運理論預(yù)言一致。

該裝置工作原理不同于已有產(chǎn)品，具有推流和曝氣雙重作用，利用葉輪的高速旋轉(zhuǎn)，在葉輪前端形成一定負(fù)壓吸入空氣，形成汽水混合物后在葉輪的強大推力下噴出，采用旋轉(zhuǎn)蝸殼噴水裝置，渦殼在水流反作用力下可以做 360 度旋轉(zhuǎn)，極大地提高曝氣面積。該裝置的特點是：使用獨特的高效無堵塞推流曝氣葉輪，提高了效率；采用水力自旋轉(zhuǎn)蝸殼噴水裝置，提高了服務(wù)面積；結(jié)構(gòu)緊湊，安裝維護方便。

挑流-射流聯(lián)合消能系統(tǒng)利用下泄的高速水流沖擊溢流堰上葉輪轉(zhuǎn)動，通過變速器加速發(fā)電機旋轉(zhuǎn)發(fā)電，為置于水墊塘中的增壓泵供電，增壓泵的矩形出水口向上噴射出的面狀水流與溢流壩面挑射后下泄的面狀水流在空中碰撞消能，沖擊葉輪過程進行底坎消能，在完成底坎消能和對沖消能后，余能將在水墊塘得到進一下的消減。

目前，油氣輸送主要靠大口徑管道完成的，管道直徑多在500mm以上，甚至達到 1000mm。為防止管道內(nèi)壁的銹蝕、結(jié)蠟、雜質(zhì)的沉積以及降低流體在管道內(nèi)部輸送阻力，通 常需在管道內(nèi)壁涂上一層涂料。本發(fā)明主要涉及天然氣管道內(nèi)涂減阻涂料。當(dāng)前，用于管道減 阻內(nèi)涂的涂料多為溶劑型涂料，溶劑多為二甲苯、正丁醇等一種或幾種混合。溶劑型涂料雖然 施工性能較好，但也存在很多缺點：VOC含量過高污染環(huán)境，影響施工人員健康，有火災(zāi)隱 患，且溶劑的揮發(fā)還導(dǎo)致漆膜質(zhì)量下降。涂料的發(fā)展趨勢便是水性涂料、無溶劑涂料以及粉末 涂料代替溶劑型涂料。無溶劑涂料克服溶劑型涂料的缺點，但也存在自身缺點：一般粘度較 大，施工性能差，由于成膜樹脂分子量較小交聯(lián)密度高，涂層較脆。 為了克服無溶劑涂料的上述缺點，華東理工大學(xué)開發(fā)了一種表面光潔度高、耐磨性好、表 面能較低的天然氣管道用減阻內(nèi)涂涂料。該涂料有A、B雙組份組成，質(zhì)量穩(wěn)定，施工簡單。 所采用的技術(shù)方案之一是提供制備顆粒直徑小，團聚較少，與樹脂相溶性好的顏填料改性手 段。改性后的粉體團聚明顯減少，顆粒直徑較小，改性后的粉體與成膜樹脂相溶性也大大提 高，能在樹脂體系里有很好的分散效果。

本發(fā)明涉及膦酸鹽阻垢緩蝕劑的離子色譜分離分析方法，特別涉及等度分離非抑制電導(dǎo)檢測的膦酸鹽阻垢緩蝕劑的離子色譜分離分析方法。包括以下步驟：基線測繪、進樣和離子交換、洗脫、非抑制電導(dǎo)檢測分析；本發(fā)明對三種常用膦酸鹽阻垢緩蝕劑能進行良好的分離分析，保留時間、峰高、峰面積的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差均小于4％，工藝流程大為簡化，本方法可用于膦酸鹽阻垢緩蝕劑含量的檢測，為也可同時檢測實際樣品的純度。

項目簡介：本項目采用葡萄糖改性的單體聚合，制備含糖聚合物，與具有阻燃性能、防腐、殺菌等功效的試劑組合，制備出高效的多功能阻燃劑，與目前市場上的簡單無機阻燃劑相比，具有耐久性，高效性。本技術(shù)是在國外最新專利的基礎(chǔ)上，加以改進后開發(fā)的，正在申報發(fā)明專利。改性高分子可以使得復(fù)配的其他助劑均勻分散，牢固結(jié)合在木材的表面，更加有效地浸入木材的表層，達到更好的效果。可用于板材、片材及復(fù)合材料。主要原料： 改性葡萄糖、環(huán)氧氯丙烷、丙烯酸酯、助劑、催化劑主要設(shè)備：普通反應(yīng)釜及相關(guān)的配套設(shè)備小試技術(shù)，可技術(shù)轉(zhuǎn)移及合作中試開發(fā)聯(lián)系人： 河北工業(yè)大學(xué)化工學(xué)院 王家喜 13389075337

通過對杜鵑素的結(jié)構(gòu)修飾，我們發(fā)現(xiàn)了一類新型微管靶向化合物。體外處理培養(yǎng)細胞，可完全阻止細胞增殖和分裂，細胞形態(tài)變圓、變大，細胞周期阻滯在 G2/M 期，并誘發(fā)細胞凋亡，細胞內(nèi)微管排列變得紊亂。胞外微管動力學(xué)實驗證實該類化合物抑制微管的聚合。現(xiàn)有結(jié)果證實該類化合物較強的體外抗腫瘤活性。

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器件的神經(jīng)元電路，本發(fā)明中，突 觸陣列的憶阻器選用部分易失性雙極性電阻轉(zhuǎn)變器件，表達神經(jīng)元膜 電位的憶阻器選用易失性電阻轉(zhuǎn)變器件，構(gòu)建神經(jīng)元電路，并具有突 觸基本單元。該神經(jīng)元電路能夠?qū)崿F(xiàn)生物神經(jīng)元中的整合放電功能， 表達出局部分級電位，突觸具有部分易失性，可以表達活動時序相關(guān) 的可塑性，與生物學(xué)上神經(jīng)元與突觸在信息存儲、傳遞與處理方面有 極大相似性。本發(fā)明可以為硬件模擬大腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)提供基

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的聯(lián)想記憶電路，包括憶阻器、 第一電阻、第二電阻和運算比較器；第一電阻和憶阻器依次串聯(lián)在運 算比較器的第一輸入端，憶阻器的非串聯(lián)連接端作為聯(lián)想記憶電路的 第一輸入端；第一電阻和憶阻器的串聯(lián)連接端作為聯(lián)想記憶電路的第 二輸入端；第二電阻的一端連接至運算比較器的第一輸入端，第二電 阻的另一端接地；運算比較器的第二輸入端用于連接參考電壓，運算 比較器的輸出端作為聯(lián)想記憶電路的輸出端；聯(lián)想記憶電路的