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一、研究背景 熱浸鍍鋅是用于鋼鐵材料腐蝕防護最主要的方法之一。為了應對現(xiàn)代科技對鋼鐵耐腐蝕性日益增長的要求，歐美、日韓等一些發(fā)達國家先后研發(fā)出了一批具有高耐腐蝕性的熱浸鍍用Zn-Al系合金材料（見表1），尤其是Zn-Al-Mg合金具有優(yōu)異的耐腐蝕性，如日本新日鐵公司開發(fā)的SuperDyma合金鍍層，耐蝕性大約為普通純鋅鍍層的15倍以上，可與部分不銹鋼相媲美，但是成本遠低于不銹鋼產(chǎn)品，具有極大的市場價值。 我國是世界上最大的熱鍍鋅板生產(chǎn)國，而山東省的熱鍍鋅板產(chǎn)能位居全國第一，但絕大部分為普通鍍鋅板，以及少量的鍍鋁鋅硅板產(chǎn)品。因此，研究和開發(fā)高耐腐蝕性Zn-Al-Mg合金鍍層材料，對山東省鋼鐵材料產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級具有非常重要的經(jīng)濟和社會價值。 二、項目內(nèi)容 本項目系統(tǒng)研究了Ti, Sb元素對熱浸鍍Zn-11Al-3Mg合金組織與性能的影響。通過XRD對Zn-11Al-3Mg-Ti-Sb合金試樣進行了物相分析，通過SEM和EDS觀察和分析了合金試樣的組織結(jié)構(gòu)，通過洛氏硬度計測量分析了合金試樣的硬度性能，通過電化學阻抗分析和電化學極化分析，研究了不同含量Ti、Sb元素對合金耐腐蝕性能的影響，并在實驗室進行了鋼板熱浸鍍實驗。 三、項目產(chǎn)業(yè)化可行性分析 前已述及，本項目市場前景非常廣闊，目前日韓等國生產(chǎn)的熱浸鍍Zn-Al-Mg板材在國內(nèi)市場已有銷售，售價比國內(nèi)普通熱鍍鋅板貴一倍以上，產(chǎn)品增值極為顯著。本項目技術(shù)創(chuàng)新達到了國內(nèi)領(lǐng)先水平，已經(jīng)獲得國家發(fā)明專利授權(quán)（圖4），技術(shù)轉(zhuǎn)化條件趨近成熟，實驗室也進行了小批量的熱浸鍍實驗。我們希望與省內(nèi)具有較強實力的熱浸鍍板生產(chǎn)廠家進行合作，繼續(xù)完成相關(guān)性能的測試和中試試驗，早日實現(xiàn)該項目的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。 四、項目負責人及團隊簡介 項目負責人：周國榮，博士，副教授，目前主要從事金屬板材涂鍍材料的研究，承擔山東省重點研發(fā)計劃1項，完成山東省博士基金1項，同時參與了多項國家和省部級項目的研究，已發(fā)表SCI/EI收錄的研究論文20余篇，已獲國家發(fā)明專利授權(quán)3項，曾于2011年10月赴韓國國立慶尚大學訪學1年； 項目組成員包括教授1人、副教授2人、講師2人、碩士研究生2人，秉持嚴謹踏實、團結(jié)協(xié)作的精神，致力于實踐“學以致用、學有所用”的宗旨，期望發(fā)揮高校科研能力強之長，增補企業(yè)研發(fā)力量弱之短，努力實現(xiàn)產(chǎn)學研緊密結(jié)合，將實驗室的科研能力轉(zhuǎn)化為企業(yè)的產(chǎn)品競爭力，為祖國早日成為世界制造強國添磚加瓦！

本發(fā)明公開了一種高光譜圖像端元個數(shù)自動估計的端元提取方 法，首先使用 PPI 算法計算高光譜圖像中所有像元的 PPI 值，根據(jù)像 元的 PPI 值確定初始候選端元集，并對初始候選端元按 PPI 值由大到 小進行排序；然后依次剔除初始候選端元集中獨立性最弱的候選端元， 同時獲得隨端元個數(shù)遞減的候選端元集的重構(gòu)精度曲線和端元獨立性 曲線，通過尋找這兩條曲線變化的顯著性位置確定端元個數(shù)的取值范 圍；最后利用 SGA 算法獲取不同端元個數(shù)下的二次選擇候選端元集， 根據(jù)這些候選端元集所構(gòu)成的重構(gòu)精度曲線，確定最終的端元個數(shù)， 同時獲得最終的端元提取結(jié)果。本發(fā)明不需要事先給定端元的個數(shù)， 有利于端元提取的自動化處理，同時提取的端元準確性高。 

本發(fā)明公開了一種高流變軟土強夯置換時填料的運移軌跡探測實驗裝置，主要由模型試驗箱、夯擊加載系統(tǒng)、外部觀測系統(tǒng)、金屬探測系統(tǒng)和位移分析系統(tǒng)五個部分組成。其中，金屬探測系統(tǒng)內(nèi)嵌于模型箱裝置兩側(cè)擋板中，并通過擋板外壁開口槽與外接位移分析系統(tǒng)相連接，用于在整個實驗過程中對顆粒運移軌跡的信號探測。夯擊加載系統(tǒng)通過支架固定于模型箱正上部，通過刻度可人工精確定位強夯下夯錘縱橫向位置，同時手動調(diào)節(jié)落距，從而模擬實現(xiàn)自由落錘等復雜動作。本裝置制造簡單、測量結(jié)果準確可靠，通過電磁信號追蹤，可以獲取在強夯沖擊荷載作用下高流變軟土填料的運移軌跡，制造簡單、測量結(jié)果準確可靠。

本發(fā)明公開了一種利用數(shù)字基高比時間模型的高程定位精度提升方法,包括首先,利用數(shù)字基高比時間模型建立立體測圖的交會影像數(shù)與高程定位精度的關(guān)聯(lián)模型第二,根據(jù)交會影像數(shù)與高程定位精度的關(guān)聯(lián)模型構(gòu)建相機陣列系統(tǒng)第三,將相機陣列系統(tǒng)搭載在飛機平臺上對地面拍照,獲取影像序列第四,采用多基線影像編組方法對影像序列進行立體測圖,解求地面點三維坐標。

本發(fā)明提供一種用長效高親和香精微膠囊的柔順劑制備及應用，首先以非離子表面活性劑和雙親性高分子制備成復合分散劑，香精為芯材，醚化蜜胺樹脂為壁材，制備得到香精微膠囊；再以其為原料制備了一種長效高親和的芳香微膠囊柔順劑；提供了這種長效高親和的芳香微膠囊柔順劑的應用方法。本發(fā)明效果為采用一種簡便環(huán)保的制備方法得到香精微膠囊，可以適用于各種離子體系的柔順劑、洗衣液等，其香精含量可達20%-30%，固含量可達22-35%，相比市售其他香精微膠囊產(chǎn)品固含量可提高10%-15%，對香精包裹率可達60%-70%，且具有良好的穩(wěn)定性。同時，以這種香精微膠囊為原料制備的長效高親和的芳香微膠囊柔順劑對織物的上香效果良好，織物留香時間長，靜置留香可達6個月，揉搓后具有香氣爆發(fā)力。

一種寬輸入范圍高電源抑制比的帶隙基準電壓源，包括電壓預調(diào)節(jié)電路和帶隙基準核電路，電壓預調(diào)節(jié)電路產(chǎn)生一個低溫漂、高電源抑制比的預調(diào)節(jié)電壓Ｖｒｅｇ對帶隙基準核電路進行供電，帶隙基準核電路包括啟動電路、負溫度系數(shù)電流ＩＣＴＡＴ產(chǎn)生電路、正溫度系數(shù)電流ＩＰＴＡＴ產(chǎn)生電路和非線性電流ＩＮＬ產(chǎn)生電路，非線性電流ＩＮＬ產(chǎn)生電路用于補償負溫度系數(shù)電流ＩＣＴＡＴ產(chǎn)生電路中的高階溫度分量，通過疊加電流ＩＣＴＡＴ、ＩＰＴＡＴ、ＩＮＬ并由電流?電壓轉(zhuǎn)換電路得到近似零溫度系數(shù)的基準電壓Ｖｒｅｆ。

成果簡介： 有機酸行業(yè)有大量的固廢硫酸鈣，難以處理。本技術(shù)通過一套新型的轉(zhuǎn)晶的技術(shù)，并開發(fā)了一系列轉(zhuǎn)晶劑和改性劑，可以有效的將普通的二水合物硫酸鈣，轉(zhuǎn)化為硫酸鈣晶須（市場價4500元/噸），極大的提升了產(chǎn)品的附加值，所得晶須的堆積密度在0.18~0.21g/cm3，含水量小于0.5%，白度高，穩(wěn)定性好，且呈現(xiàn)出良好的力學性能，可以廣泛應用至造紙、橡膠、涂料

深部煤層地應力增大、瓦斯升級、地壓、地溫問題日趨突出，深部礦井瓦斯治理問題已經(jīng)成為制約煤礦安全高效生產(chǎn)的世界性難題。主要研究內(nèi)容如下：（1 ）深部井 巷揭穿 煤層井 巷 圍 巖應 力 分布特征 及 強 化 增透卸 壓 效應研究：揭示了深孔預裂爆破應力波在煤層內(nèi)的傳播、應力疊加、衰減等傳播過程及爆破產(chǎn)生的裂隙圈形成、發(fā)展和裂隙圈的擴展范圍，探索煤層深孔控制爆破強化增透卸壓效應。（2 ）新 型強 化 增透 爆破器材 、 工 藝和 成 套設 備研制：研制出了提高煤層透氣性的專用深孔 I 型和 II 型爆破藥管及成套設備，創(chuàng)造性的提出了一套適用于各類突出煤層的爆破孔設計與布置，控制孔的設計與布置，裝藥、封孔、爆破等技術(shù)規(guī)范與工藝。（3 ） 松 軟 煤 體加 固 技術(shù)：成功的研究出了金屬骨架注漿加固松軟煤體的方法和工藝，在井巷揭煤巷道輪廓線外圈筑起鋼管、混凝土和松軟煤體“三體合一”的保護圈。（4 ）深井井 巷 安全高效 揭 煤成 套 關(guān)鍵技術(shù)：成功的研究出了微震監(jiān)測、松軟煤層“爆破強化增透”、“松動卸壓煤體加固”、鉆孔“截流抽采”、“先抽后揭”安全高效揭煤成套關(guān)鍵技術(shù)。

高功率鋅鎳一次電池具有很多優(yōu)點：①與堿錳電池相比可大功率放電，適合數(shù)碼相機、攝像機、電動玩具等便攜式電子產(chǎn)品使用，如在數(shù)碼相機中照相的張數(shù)可比堿錳電池多3倍以上；②與鎳氫電池、鋰離子電池相比則不需要充電器進行充電，買來則可使用，很方便；③組裝工藝成熟，可利用現(xiàn)成的堿錳電池生產(chǎn)線組裝；④適用面廣，目前使用鋅錳電池、堿錳電池、鎳氫電池的地方就可使用鋅鎳一次電池；⑤綠色電池，對環(huán)境沒有污染。生產(chǎn)鋅鎳一次電池的關(guān)鍵就在于其正極材料羥基氧化鎳，羥基氧化鎳的研發(fā)國內(nèi)外都剛剛起

具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區(qū))，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性，完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。