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本發(fā)明公開了一種基于 g-氮化碳復(fù)合的二氧化鈦光觸媒活性炭的制備方法，包括：(a)將鈦酸酯和醇的溶液，向該溶液中加入 g-氮化碳顆粒，攪拌均勻后獲得混合溶液；(b)將混合溶液放置到高壓釜中執(zhí)行反應(yīng)，接著自然冷卻至室溫并收集反應(yīng)產(chǎn)物，由此制得負(fù)載有 g-氮化碳顆粒的二氧化鈦顆粒；(c)將該復(fù)合二氧化鈦顆粒分散在去離子水中并配置乳濁液，然后將椰殼活性炭浸泡在該乳濁液中，搖蕩烘干即得到具備可見光響應(yīng)特性的二氧化鈦光觸媒活性炭產(chǎn)品。通過本發(fā)明，可制得擁有可見光響應(yīng)特性、平均粒徑為 5～7 納米的二氧化鈦顆粒

本發(fā)明公開了一種用于可見光響應(yīng)的磁性二氧化鈦復(fù)合材料制備方法，該方法包括下述步驟：S11：將磁性粉體和二氧化鈦溶膠凝膠混合并攪拌形成表面吸附有溶膠凝膠的磁性前驅(qū)體；S12：將磁性前驅(qū)體從混合溶液中分離，干燥并煅燒后得到負(fù)載有二氧化鈦的磁性粉體；S13：將負(fù)載有二氧化鈦的磁性粉體和硝酸銀溶液混合并攪拌形成表面吸附有 Ag⁺的二氧化鈦磁性粉體；S14：將表面吸附有Ag⁺的二氧化鈦磁性粉體分離干燥后與含鹵素離子溶液

面向我國(guó)能源結(jié)構(gòu)調(diào)整的重大戰(zhàn)略需求，提出了利用二氧化碳高效開發(fā)頁(yè)巖氣的新理論與新方法，成功指導(dǎo)了我國(guó)首次陸相頁(yè)巖氣超臨界二氧化碳?jí)毫熏F(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了頁(yè)巖氣高效開發(fā)與二氧化碳地質(zhì)封存一體化的突破。

本發(fā)明公開了一種納米二氧化鈦-液晶-丙烯酸酯分散液的制備方 法，包括以下步驟：（1）將丙烯酸酯單體與液晶均勻混合，制得液晶 -丙烯酸酯溶液；加入去離子水，調(diào)節(jié) pH 值在 1 至 2 之間；然后加入 表面活性劑，均勻混合后形成乳濁液；（2）向其中添加二氧化鈦前驅(qū) 體，通過水解縮合反應(yīng)，生成納米二氧化鈦顆粒，均勻分散于混合液 中；（3）向其中加入硅烷偶聯(lián)劑，進(jìn)行硅烷偶聯(lián)改性，制得含表面改 性納米二氧化鈦的液晶-丙烯酸酯

近期，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、周弘教授等在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進(jìn)展，研制出一種新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)二極管。

本發(fā)明涉及一種低彈性模量高疲勞強(qiáng)度的醫(yī)用植入鈦合金及制備方法，所述合金的組份及重量百分比為：Nb：30wt％～33wt％；Zr：1wt％～6wt％；Mo：2wt％～4wt％；O：0.20wt％～0.40wt％，余量為Ti；合金制備的具體步驟是：采用真空非自耗電弧爐熔煉獲得成分均勻合金鑄錠，經(jīng)熱鍛成棒材后在850℃?950℃固溶處理，水冷至室溫；隨后冷軋變形加工，變形量為80％?90％；最后進(jìn)行時(shí)效熱處理，其加熱溫度為400℃?500℃，保溫時(shí)間為1h?12h。本發(fā)明經(jīng)冷軋和熱處理后，強(qiáng)度顯著高于目前應(yīng)用最廣的醫(yī)用植入鈦合金Ti?6Al?4V，疲勞強(qiáng)度與Ti?6Al?4V相當(dāng)，而彈性模量?jī)H為Ti?6Al?4V的52％，生物相容性和力學(xué)相容性更優(yōu)異，可應(yīng)用于制備生物醫(yī)用植入體。

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成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對(duì)于濺射制備電阻膜來(lái) 說(shuō)，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí) 會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級(jí)為千歐, 刻槽后數(shù)量級(jí)為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來(lái)提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來(lái)提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無(wú)線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無(wú)線網(wǎng)絡(luò) 5 移動(dòng)通信—LTE 技術(shù)

乳清蛋白來(lái)源于干酪生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品乳清，以其為原料，經(jīng)水化、熱改性等工藝制備聚合乳清蛋白，應(yīng)用主要為脂肪替代物、酸奶增稠劑以及微膠囊壁材。 自主研發(fā)規(guī)模聚合反應(yīng)器，設(shè)備操作簡(jiǎn)單、自動(dòng)循環(huán)、省時(shí)省力。 聚合乳清蛋白作為乳源性增稠劑制備中國(guó)式希臘酸奶，提高酸奶質(zhì)地、黏度，使結(jié)構(gòu)更加致密。生產(chǎn)工藝操作簡(jiǎn)單，提高產(chǎn)率，增加蛋白質(zhì)的含量，降低其他生產(chǎn)用增稠劑的用量，降低成本，減少傳統(tǒng)工藝中酸性乳清排放造成的環(huán)境污染。 1500L聚合乳清蛋白反應(yīng)裝置 高凝膠聚合乳清蛋白清潔標(biāo)簽發(fā)酵乳生產(chǎn) 高凝膠穩(wěn)定型聚合乳清蛋白清潔標(biāo)簽酸乳

本發(fā)明公開了一種高電子透過率的冷陰極X射線管柵極結(jié)構(gòu)及制作方法，包括柵極法蘭、銅網(wǎng)、金屬柵極片、柵極套筒、陰極底座和陰極發(fā)射材料；柵極法蘭設(shè)有法蘭中心通孔和法蘭凹槽；銅網(wǎng)嵌套在法蘭凹槽中，銅網(wǎng)的一側(cè)包覆有納米級(jí)厚度的碳膜；金屬柵極片設(shè)在銅網(wǎng)的下方，金屬柵極片與柵極法蘭相連接，套筒內(nèi)腔中設(shè)有陰極底座，陰極底座通過陶瓷墊片與柵極套筒可拆卸連接；陰極底座的高度能夠調(diào)整，陰極底座的頂部設(shè)有陰極發(fā)射材料。本發(fā)明采用覆蓋有碳膜的銅柵網(wǎng)作為柵極，采用碳納米管為陰極發(fā)射材料，改進(jìn)了因柵網(wǎng)網(wǎng)孔處電場(chǎng)下降帶來(lái)的發(fā)射效率降低的問題，并提升了陰極發(fā)射電子在柵極處的透過率，從而增大了陽(yáng)極電流。