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直徑為幾個(gè)微米到幾十納米的微納光纖具有大的消逝場，高的非線性，低的損耗，易于操作，成本低廉等一系列特點(diǎn)。利用微納光纖可以制備成具有多種功能的尺寸在1mm以內(nèi)的微小器件，并且具有與普通光纖一樣的輸入輸出端，插入損耗極低。本項(xiàng)目有兩種代表性的器件：1.微型流/氣體傳感器，體積小，所需被檢測物的量也極小，十分適合用于檢測有毒有害氣體液體，另外該種傳感器也可以用于檢測振動(dòng)等；2.全光纖的微型分布反饋式激光器，器件成本極其低，效率高，體積小于100umX1mm

生物醫(yī)藥的發(fā)展遇到計(jì)算性能達(dá)不到規(guī)模要求的瓶頸，該項(xiàng)目選擇以生物醫(yī)藥學(xué)相關(guān)算法的高性能并行計(jì)算為目標(biāo)，利用高性能并行計(jì)算系統(tǒng)，對(duì)生物醫(yī)藥進(jìn)行了深入的研究。利用現(xiàn)代生物及化學(xué)信息學(xué)手段開展了抗病毒藥物的設(shè)計(jì)工作，其中包括SARS，HIV以及廣譜藥物的研究。擁有自主開發(fā)的于模代數(shù)理論的快速大規(guī)模多重比對(duì)算法SMA。在計(jì)算機(jī)藥物設(shè)計(jì)方面，開發(fā)了DDS—SIM模塊中具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的算法，并擁有一套小分子和已有藥物化合物的結(jié)構(gòu)和生物特性的化學(xué)數(shù)據(jù)庫。 創(chuàng)新點(diǎn)： 1．利用高性能并

“基于國密標(biāo)準(zhǔn)的高性能IPSec VPN 服務(wù)器”依據(jù)國家密碼管理局制定的《IPSec VPN 技術(shù)規(guī)范》，在網(wǎng)關(guān)之間進(jìn)行IKE協(xié)商，從而建立起使用國密密碼套件保護(hù)的VPN安全通道。 用網(wǎng)絡(luò)帶寬，構(gòu)建高速傳輸?shù)腣PN安全網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。 達(dá)到的技術(shù)指標(biāo)： 1.支持國家密碼標(biāo)準(zhǔn)的加密算法SM1、SM2、SM3和SM4；2.千兆網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下最高加密傳輸速率可達(dá)450Mbps；

利用輻射技術(shù)研制電池的離子交換隔膜，最早從日本原子能研究所開始，出發(fā)點(diǎn)是代替Nafion的工藝，制備性價(jià)比更高的膜材料。電離輻射技術(shù)，特別是基于電子加速器的電子束輻射加工技術(shù)，不使用催化劑/引發(fā)劑，室溫操作，高效快速, 適合大量生產(chǎn)。目前輻射加工技術(shù)已廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)材料的生產(chǎn)，如電線、電纜、輪胎、發(fā)泡材料、熱收縮材料等行業(yè)。本項(xiàng)目是在早期輻射接枝技術(shù)制備離子交換膜的基礎(chǔ)上，在工藝體系中使用功能化離子液體代替含有陰陽離子一般離子交換功能基團(tuán)，成功制備出具有更高耐熱、化學(xué)穩(wěn)定性、良好導(dǎo)電性、極為優(yōu)異抗釩離子滲漏的兩性離子交換膜（HUST-IL膜），并且在釩液流電池中的實(shí)際電池測試實(shí)驗(yàn)中電池效率優(yōu)于Nafion系列膜。需要特別指出的是，本項(xiàng)目在制備工藝方面取得了重要突破，不需要一般陽離子交換膜中的磺化工藝，非常環(huán)保，并且在工藝上成功發(fā)展出替代傳統(tǒng)固液接枝反應(yīng)的工藝體系，避免了接枝反應(yīng)的復(fù)雜工藝和質(zhì)量控制問題；本項(xiàng)目的工藝技術(shù)，使電池隔膜的輻射制備工藝從傳統(tǒng)的輻射接枝轉(zhuǎn)變?yōu)檩椛浣宦?lián)工藝，通過鋪膜和固體膜輻照即可完成制備，與現(xiàn)有電線電纜片材的輻射交聯(lián)工藝通用，工藝簡單，極易量產(chǎn)和推廣。 【技術(shù)優(yōu)勢】 (1) 本項(xiàng)目所得到的HUST-IL隔膜產(chǎn)品，其釩離子滲透率比Nafion膜（Nafion115，117）降低約1200倍，導(dǎo)電率提高3倍以上，電池效率實(shí)現(xiàn)了對(duì)Nafion膜的超越； (2) 在制備工藝方面的重要突破：不需要一般陽離子交換膜中的磺化工藝，非常環(huán)保，并且在工藝上成功發(fā)展出替代傳統(tǒng)固液接枝反應(yīng)的工藝體系，避免了接枝反應(yīng)的復(fù)雜工藝和質(zhì)量控制問題； (3) 本項(xiàng)目電池隔膜的輻射制備工藝從傳統(tǒng)的輻射接枝轉(zhuǎn)變?yōu)檩椛浣宦?lián)工藝，通過鋪膜和固體膜輻照即可完成制備，與現(xiàn)有電線電纜片材的輻射交聯(lián)工藝通用，工藝簡單，極易量產(chǎn)和推廣。 【技術(shù)指標(biāo)】 HUST-IL隔膜產(chǎn)品：釩離子滲透率比Nafion膜（Nafion115，117）降低約1200倍，導(dǎo)電率提高3倍以上，電池效率實(shí)現(xiàn)了對(duì)Nafion膜的超越。

光柵尺寸在國際上居于領(lǐng)先地位，最大達(dá)到了 1400mm， 遠(yuǎn)超對(duì)手的 940mm；研制了一系列國內(nèi)首臺(tái)(套)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的米量級(jí)光柵研制工藝關(guān)鍵設(shè)備；在國際上首創(chuàng)了曝光拼接方法，實(shí)現(xiàn)了利用小口徑曝光系統(tǒng)，制作出了遠(yuǎn) 大于曝光系統(tǒng)口徑的光柵；掌握了脈沖壓縮光柵設(shè)計(jì)、工 藝容差分析和工藝過程控制技術(shù)，通過對(duì)曝光監(jiān)測、顯影監(jiān)測和刻蝕監(jiān)測來保證光柵制作工藝的穩(wěn)定性，保證了光柵制作質(zhì)量；首次對(duì)大口徑高閾值光柵采用了綜合清洗技術(shù)處理，提高了光柵的衍射效率和抗激光損傷閾值。 

相較于傳統(tǒng)聚合物發(fā)泡所用化學(xué)發(fā)泡劑和氟利昂類、烷烴類等物理發(fā)泡劑，采用超臨界CO 2 或N 2 作為發(fā)泡劑，不僅氣體原料來源豐富，價(jià)格便宜和環(huán)境友好，符合日益嚴(yán)格的環(huán)保要求，而且所得到的泡孔尺寸更小，孔密度更大且泡孔形態(tài)更容易控制，生產(chǎn)過程安全性也大大提高。 自主研發(fā)了超臨界CO 2 擠出和模壓發(fā)泡技術(shù)，包括超臨界流體恒流進(jìn)氣系統(tǒng)和裝備，以及適于超臨界CO 2 發(fā)泡過程的雙階、單階擠出發(fā)泡和模壓發(fā)泡系統(tǒng)和裝備，并可基于CO2 和聚合物的相互作用快速確定優(yōu)化的發(fā)泡工藝。采用超臨界CO2 擠出發(fā)泡技術(shù)制備了泡孔尺寸0.5～1 mm，發(fā)泡倍率5～20倍的聚酯PET、聚苯乙烯PS、聚丙烯PP、聚乳酸PLA和聚乙烯PE等發(fā)泡棒材。采用超臨界CO 2 模壓發(fā)泡技術(shù)制備了泡孔尺寸1～50 μm，發(fā)泡倍率5～20倍的發(fā)泡片材。另外采用Mucell超臨界流體注塑成型制備了泡孔尺寸1～100 μm、較實(shí)體材料減重5～30%而力學(xué)性能不損失的多種聚合物的微孔發(fā)泡材料，包括聚丙烯PP、聚苯乙烯PS、聚酯PET、聚醚砜PES、聚砜PSF以及復(fù)合材料等。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途：該項(xiàng)目是天津市科技發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目，通過了科委組織的專家驗(yàn)收。項(xiàng)目組采用自頂向下的設(shè)計(jì)方法，完成了 CMOS 圖像傳感器 1024×768 像素陣列的版圖設(shè)計(jì)，通過了仿真驗(yàn)證，結(jié)果達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。在 Chartered 公司0.35um 工藝線上成功試制了關(guān)鍵模塊和小規(guī)模完整的 CMOS 圖像傳感器樣片。樣片工作正常，能夠正確的拍攝運(yùn)動(dòng)物體，各項(xiàng)指標(biāo)均滿足設(shè)計(jì)要求。 背景：CMOS 圖像傳感器是當(dāng)前已廣泛用于民用、工業(yè)、科技和國防領(lǐng)域的各類圖像攝取系統(tǒng)，近年來民用電子產(chǎn)品領(lǐng)域發(fā)展迅猛，如照相手機(jī)、PC 機(jī)、像機(jī)等。該成果主要用于圖像攝取系統(tǒng)的核心部件—CMOS 圖像傳感器設(shè)計(jì)中。 技術(shù)原理與工藝流程簡介：CMOS 圖像傳感器利用成熟的 CMOS 工藝制作光敏像素單元，因此可以把光電接收器和信號(hào)處理電路集成在單個(gè)芯片上。 主要設(shè)計(jì)內(nèi)容包括：像素陣列、消噪放大電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、時(shí)序控制電路和測試系統(tǒng)設(shè)計(jì)。采用自頂向下的設(shè)計(jì)方法，首先根據(jù)功能要求對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行架構(gòu)設(shè)計(jì)，將系統(tǒng)分為時(shí)序控制電路部分（數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)）和從像素陣列到 AD 轉(zhuǎn)換的信號(hào)處理部分（模擬電路實(shí)現(xiàn)）。版圖設(shè)計(jì)完成后，導(dǎo)出 GDSII 文件，在新加坡 Chartered 公司 0.35um 工藝線進(jìn)行流片，然后進(jìn)行封裝。根據(jù)芯片工作對(duì)外界的要求設(shè)計(jì) PCB電路板，搭建測試系統(tǒng)，對(duì)芯片功能和各項(xiàng)電學(xué)指標(biāo)進(jìn)行測試分析。  技術(shù)水平及專利與獲獎(jiǎng)情況：技術(shù)水平屬國內(nèi)先進(jìn)。 應(yīng)用前景分析及效益預(yù)測：該項(xiàng)目取得了 CMOS 圖像傳感器的核心設(shè)計(jì)技術(shù)，可用于各種CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)中，中國CMOS圖像傳感器市場需求龐大，年復(fù)合成長率達(dá)到 60%，因此有著廣闊的應(yīng)用前景。目前國外同類產(chǎn)品的銷售價(jià)格遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于芯片的開發(fā)成本，因此存在很大的利潤空間，將產(chǎn)生很好的經(jīng)濟(jì)效益。功能上可完全兼容、并替代進(jìn)，通過合作根據(jù)市場需求，隨時(shí)調(diào)整產(chǎn)品種類和指標(biāo)，使經(jīng)濟(jì)效益最大化。 應(yīng)用領(lǐng)域：CMOS 圖像傳感器廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類、工業(yè)和科技等各個(gè)領(lǐng)域。 民用領(lǐng)域：拍照手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、可視門鏡、攝像機(jī)、汽車防盜等；工業(yè)領(lǐng)域：生產(chǎn)監(jiān)控、安全監(jiān)控等。

在突破高均勻混合納米金屬粉體及納米陶瓷粉體制備及其多層表面修飾技術(shù)的基礎(chǔ)上，開發(fā)的系列型納米金屬粉體與納米陶瓷粉復(fù)合的納米復(fù)合自修復(fù)產(chǎn)品。現(xiàn)已開發(fā)出汽油和柴油內(nèi)燃機(jī)、機(jī)械設(shè)備和機(jī)械密封三大系列潤滑油添加劑產(chǎn)品；納米自修復(fù)潤滑脂產(chǎn)品；納米自修復(fù)潤滑油和液壓油；水-乙二醇系列納米自修復(fù)抗燃液壓液。產(chǎn)品性能達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)，完全可替代進(jìn)口產(chǎn)品。對(duì)國民經(jīng)濟(jì)各行業(yè)的節(jié)能、環(huán)保和技術(shù)經(jīng)濟(jì)、社會(huì)效益的提高意義重大。部分產(chǎn)品已建立產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地，產(chǎn)值達(dá)10億元以上。

本發(fā)明公開一種具有較高醫(yī)用性能的新型鎂合金.通過以下方法制備得到:將各鎂合金成分球磨磨細(xì)混合;采用德國的SLM Solutions 500進(jìn)行選區(qū)激光融化法處理;選區(qū)激光融化法處理后的鎂合金產(chǎn)物依次經(jīng)過1～3小時(shí)的580～800℃不完全淬火,1.5～2.5小時(shí)的200～280℃回火;最終切割成品.本發(fā)明采用合金粉末成分:鉬,鉭,鉻,鈦均具有良好的抗腐蝕性極強(qiáng),能增強(qiáng)鎂合金的抗腐蝕性和提高其抗拉強(qiáng)度.

項(xiàng)目簡介 一種提高 700MPa 強(qiáng)度級(jí)高合金化 7000 系鋁合金抗腐蝕性能的方法，其特征是它由 預(yù)回復(fù)（ 250 ℃×24 h+300 ℃×6 h+350 ℃×6 h+400 ℃×6 h ）、 固 溶 （450℃×2h+460℃×2h+470℃×2h 保溫后室溫水淬）、預(yù)變形（2%的塑性變形）和時(shí)效 （121℃×24h）組成。 產(chǎn)品性能、指標(biāo) 本發(fā)明能在不降低合金強(qiáng)度的情況下，顯著提高合金的抗晶間腐蝕和抗剝落腐蝕性158 能。 合作方式