葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

用于材料動(dòng)態(tài)性能實(shí)驗(yàn)的氣動(dòng)子彈發(fā)射缸，屬材料性能測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。其目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、穩(wěn)定可靠、運(yùn)行效率高和實(shí)驗(yàn)成本低的用于材料動(dòng)態(tài)性能實(shí)驗(yàn)的氣動(dòng)子彈發(fā)射缸。其技術(shù)要點(diǎn)是：發(fā)射缸由中間透蓋(6)分隔為兩個(gè)發(fā)射氣腔室(14)，中間透蓋分隔的端面為圓盤狀，其上開設(shè)有由球閥控制的透孔，中間設(shè)有氣管；左端蓋(2)與中間透蓋的氣管端之間安裝有空心閥桿(5)，閥桿一端與中間透蓋的氣管端相鄰；另一端內(nèi)安裝有塞塊(51)，并置于固定在左端蓋上的后端蓋(1)內(nèi)開設(shè)的控制氣腔室(11)內(nèi)；發(fā)射氣腔室開設(shè)有氣體注入孔(12)；中間透蓋的氣管另一端置于右端蓋(7)內(nèi)開設(shè)的圓孔內(nèi)，并與固定在右端蓋上的法蘭(8)上的氣管抵接；彈管(9)螺紋連接在法蘭的氣管內(nèi)。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： 泡沫鋁材是一種新型的功能材料，一般孔隙率在 45％～98％之間，根據(jù)孔隙特點(diǎn)分為開孔與閉孔兩種，各國(guó)學(xué)者早在 40 年代后期就對(duì)泡沫金屬材料有所研究，但由于發(fā)泡工藝與孔的尺寸很難控制，一直未得到發(fā)展，直到 80 年代中期以后才取得長(zhǎng)足進(jìn)展，開發(fā)出了一些有工業(yè)價(jià)值的生產(chǎn)工藝。目前，日本與德國(guó)在研究、生產(chǎn)與應(yīng)用泡沫鋁材與其他金屬泡沫方面居世界領(lǐng)先地位。我國(guó)對(duì)泡沫鋁材的研究始于 80 年代后期，并取得了一系列的研究成果，但尚未取得突破性的成就，仍處于起步階段。 目前，泡沫鋁的應(yīng)用主要有：防火和吸音板、沖擊能量吸收材料、建筑板、半導(dǎo)體氣體擴(kuò)散盤、熱交換器、電磁屏蔽物等方面。還應(yīng)用于冶金、化工、航空航天、船舶、電子、汽車制造和建筑業(yè)等領(lǐng)域，應(yīng)用范圍還在不斷擴(kuò)大。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 本課題采取的是傳統(tǒng)的粉末冶金工藝，把鋁粉和造孔劑混合后，壓制成預(yù)制件，在熱水中將造孔劑溶解掉，然后在真空爐中對(duì)預(yù)制件進(jìn)行真空燒結(jié)，就得到了開孔泡沫鋁。本試驗(yàn)方法具有以下優(yōu)點(diǎn)： 1.采用的粉末冶金法可以制備復(fù)雜形狀的試樣，工藝簡(jiǎn)單容易實(shí)現(xiàn)。 2.通過(guò)改變工藝參數(shù)可以十分容易地控制孔隙率、孔形狀及孔的大小。這一點(diǎn)是其它方法難以做到的。 3.采用的造孔劑為尿素、碳酸氫銨，成本低、形狀可控且容易去除。 技術(shù)水平及專利與獲獎(jiǎng)情況： 1. B. Jiang, N.Q. Zhao, C.S. Shi, J.J. Li. Processing of open cell aluminum foams with tailored porous morphology. Scripta Mater 53(2005)781-785.(JCR 工程技術(shù)二區(qū)，2004 年影響因子 2.112,檢索號(hào)：952BD.同時(shí)被 Ei 檢索，檢索號(hào)：05289206237) 2. B. Jiang, N.Q. Zhao, C.S. Shi, X.W. Du, J.J Li, H.C.Man. A novel method for making open cell aluminum foams by powder sintering process. Mater lett 59(2005)3333-3336. (JCR 工程技術(shù) 三區(qū)，2004 年影響因子 1.186) 3. 姜斌，趙乃勤. 泡沫鋁的制備方法及應(yīng)用進(jìn)展.金屬熱處理. 30(2005)36-40.（Ei 檢索，檢索號(hào)：05279197817） 應(yīng)用前景分析及效益預(yù)測(cè)： 泡沫鋁以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)而具有許多優(yōu)異的性能，它不僅具有多孔材料所具有的輕質(zhì)特性，還具有金屬所具有的優(yōu)良的力學(xué)性能和熱、電等物理性能，如滲透、阻尼、能量吸收、高比表面積、電磁屏蔽等性能。目前，泡沫鋁材已經(jīng)廣泛應(yīng)用于防火裝飾材料、沖擊能量吸收材料、熱交換器等。由粉末冶金法制備的泡沫鋁工藝簡(jiǎn)單，成本低廉，可以制備復(fù)雜形狀的試樣。并且通過(guò)改變工藝參數(shù)可以容易地控制孔隙率、孔形狀及孔的大小，這一點(diǎn)是其它方法難以做到的。所以本方法有推廣應(yīng)用價(jià)值。 應(yīng)用領(lǐng)域： 泡沫鋁的應(yīng)用主要有：防火和吸音板、沖擊能量吸收材料、建筑板、半導(dǎo)體擴(kuò)散器盤、熱交換器、電磁屏蔽物等方面。還可廣泛應(yīng)用于冶金、化工、航空航天、船舶、電子、汽車制造和建筑業(yè)等領(lǐng)域。 合作方式及條件：合作開發(fā)

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 TDZT-04鐵電性能綜合測(cè)試儀    關(guān)鍵詞:鐵電材料參數(shù)測(cè)試儀,鐵電子材料測(cè)試儀,鐵電測(cè)試儀 一、產(chǎn)品介紹：  TDZT-04型鐵電性能綜合測(cè)試儀是適用于鐵電薄膜、鐵電體材料（既可塊體材料）的電性能測(cè)量，可測(cè)量鐵電薄膜電滯回線，可測(cè)出具有非對(duì)稱電滯回線鐵電薄膜的Pr值。 前言：鐵電材料具有良好的鐵電性、壓電性、熱釋電性以及非線性光學(xué)等特性, 是當(dāng)前技術(shù)材料中非常活躍的研究領(lǐng)域之一，其研究熱點(diǎn)正向?qū)嵱没l(fā)展。 背景：高性能的鐵電材料是一類具有廣泛應(yīng)用前景的功能材料,從目前的研究現(xiàn)狀來(lái)看,對(duì)于具有高性能的鐵電材料的研究和開發(fā)應(yīng)用仍然處于發(fā)展階段.研究者們選用不同的鐵電材料進(jìn)行研究,并不斷探索制備工藝,只是到目前為止對(duì)于鐵電材料的一些性能的研究還沒(méi)有達(dá)到令人滿意的地步.比如,用于制備鐵電復(fù)合材料的陶瓷粉體和聚合物的種類還很單一,對(duì)其復(fù)合界面的理論研究也剛剛開始,鐵電記憶器件抗疲勞特性的研究還有待發(fā)展。 一、產(chǎn)品介紹：  TDZT-04型是鐵電材料參數(shù)測(cè)試儀適用于鐵電薄膜、鐵電體材料（既可塊體材料）的電性能測(cè)量，可測(cè)量鐵電薄膜電滯回線，可測(cè)出具有非對(duì)稱電滯回線鐵電薄膜的Pr值。 主要技術(shù)指標(biāo)：1.輸出信號(hào)電壓：：薄膜：0～±10V 陶瓷、材料：0～±2000V2.輸出信號(hào)頻率：薄膜材料1-1000HZ，陶瓷：0-1Hz3.電容范圍：1000nf～ 100nf, 精度: ≤1%。4.電流范圍: 1nA～10A ,精度: ≤1%。5、測(cè)試樣品：0-20mm  5個(gè)6、高壓樣品池：2個(gè)，一個(gè)封閉式：8CM*6CM 一個(gè)開放式：8CM*5CM7、三維移動(dòng)薄膜測(cè)試平臺(tái)：直立式探針一套，角度式探針一套8、電流：1-10倍放大，信號(hào)：1-20倍。.數(shù)據(jù)結(jié)口：USB或BNC接口。9. 數(shù)據(jù)采集分析軟件： 能畫出鐵電薄膜的電滯回線，定量得到鐵電薄膜材料的飽和極化Ps、剩余極化Pr、矯頑場(chǎng)Ec、漏電流等參數(shù);可以進(jìn)行鐵電薄膜材料的鐵電疲勞性能、鐵電保持性能的測(cè)試，電阻測(cè)量，漏電流測(cè)量。 10.可以配合ZJ-3和ZJ-6型壓電測(cè)試儀操作

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問(wèn)題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過(guò)程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問(wèn)題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過(guò)各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過(guò)柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光與顯示器件的制備方法，具體地說(shuō)，是涉及一種基于紫外光激發(fā)的白光發(fā)射器件及其制備方法，屬光電集成技術(shù)領(lǐng)域。該制備方法包括如下步驟：清洗硅片、在清洗后的硅片上制備多孔硅、在多孔硅上沉積氮化鋁薄膜、用紫外光照射氮化鋁薄膜，得到在可見光區(qū)發(fā)光的白光發(fā)射器件。 技術(shù)推廣意向：半導(dǎo)體發(fā)光與顯示領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新：本發(fā)明具有如下的有益效果：器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，無(wú)污染，制備成本低；不需要熒光粉，發(fā)光效率高；發(fā)光性能穩(wěn)定，光譜波長(zhǎng)范圍寬。

本發(fā)明公開了一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無(wú)鉛釬料，屬于金屬材料類及冶金領(lǐng)域釬焊材料。該種無(wú)鉛釬料中的納米Al顆粒的含量為0.01~1%，納米CeO2的含量為0.01~1%，Ag的含量為0.5~4.5%，Cu的含量為0.2~1.5%，余量為Sn。使用市售的Sn錠、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按設(shè)計(jì)所需成分配比，預(yù)先熔化，然后加入納米顆粒，采用高能超聲攪拌的制造工藝冶煉無(wú)鉛釬料，為防止元素的燒損在惰性氣體保護(hù)氣氛中冶煉、澆鑄成棒材，然后通過(guò)擠壓、拉拔即得到所需要的釬料絲材，也可將新釬料制備成焊膏使用。本無(wú)鉛釬料對(duì)應(yīng)無(wú)鉛焊點(diǎn)的抗疲勞特性和抗跌落特性得到顯著提高。 

本發(fā)明公開了一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件，包括單片集成的六軸微慣性器件、玻璃襯底、金屬電極、金屬引線、SOI蓋帽和SOI密封墻；六軸微慣性器件通過(guò)陽(yáng)極鍵合工藝鍵合在玻璃襯底上；金屬電極為一個(gè)以上，均勻設(shè)置在玻璃襯底一側(cè)，金屬電極通過(guò)金屬引線與六軸微慣性器件相接，SOI蓋帽設(shè)在玻璃襯底正上方，SOI密封腔設(shè)在SOI蓋帽和SOI密封墻之間，形成空腔結(jié)構(gòu)；每個(gè)金屬電極正上方的SOI蓋帽上設(shè)有梯形電極孔，梯形電極孔正下方的SOI密封墻上設(shè)有垂直貫通；梯形電極孔、垂直貫通與金屬電極一一對(duì)應(yīng)。本發(fā)明具有全解耦、質(zhì)量小、結(jié)構(gòu)精巧、成本低和便于批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，在單個(gè)器件內(nèi)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對(duì)三軸的加速度和角速度的檢測(cè)，應(yīng)用范圍廣，有著良好的市場(chǎng)前景。

本發(fā)明屬于電子元器件的封裝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，并公開了一種用 于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置，包括水平工作臺(tái)、熱壓 機(jī)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和調(diào)距機(jī)構(gòu)等，其中熱壓機(jī)構(gòu)被設(shè)計(jì)為雙路結(jié)構(gòu)，并 用于實(shí)現(xiàn)料帶的封合，保證壓力的一致性，進(jìn)而完成料帶的良好熱封； 驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)熱壓機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)垂直方向的上下運(yùn)動(dòng)；調(diào)距機(jī)構(gòu)用于 調(diào)節(jié)工作臺(tái)兩側(cè)的間距以及兩側(cè)壓頭的間距，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)適應(yīng)不同寬度 的料帶的熱封。通過(guò)本發(fā)明，能實(shí)現(xiàn)單側(cè)壓頭的溫度均勻分布，兩側(cè) 壓頭溫度和壓力的一致性以及不同寬度的料帶的良好熱封，同時(shí)具備 結(jié)構(gòu)緊湊，便

本發(fā)明公開了一種基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測(cè)器件及其驅(qū)動(dòng)方法，采用薄膜晶體管基板，并采用化學(xué)溶液法制備ＰｂＳ或者Ｇｅ半導(dǎo)體量子點(diǎn)，作為光電轉(zhuǎn)換材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低溫旋涂、噴墨打印或者轉(zhuǎn)印等方法，沉積可傳感紅外信號(hào)的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子點(diǎn)層；在量子點(diǎn)光電轉(zhuǎn)換層上利用濺射方法制備對(duì)紅外吸收較少的公共導(dǎo)電層；薄膜晶體管背板的像素源電極、量子點(diǎn)光電轉(zhuǎn)換層，以及透明電極構(gòu)成紅外光敏電阻結(jié)構(gòu)，該光敏電阻吸收紅外信號(hào)后，產(chǎn)生光生載流子，從而改變電阻的阻值。本發(fā)明提出的紅外探測(cè)器件成像面積大，

本成果通過(guò)有機(jī)光電器件中有機(jī)薄膜的缺陷態(tài)來(lái)揭示： 1. 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級(jí)排布或者出現(xiàn)的界面能級(jí)釘扎的機(jī)理； 3. 缺陷態(tài)的存在對(duì)器件中載流子傳輸?shù)挠绊懀?4. 使用有效的有機(jī)、無(wú)機(jī)材料摻雜來(lái)極大的提高有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的電導(dǎo)率。從而獲得以有效、簡(jiǎn)單的使用方法來(lái)提高有機(jī)光電器件的性能。