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用于材料動態性能實驗的氣動子彈發射缸，屬材料性能測試技術領域。其目的是提供一種結構簡單、穩定可靠、運行效率高和實驗成本低的用于材料動態性能實驗的氣動子彈發射缸。其技術要點是：發射缸由中間透蓋(6)分隔為兩個發射氣腔室(14)，中間透蓋分隔的端面為圓盤狀，其上開設有由球閥控制的透孔，中間設有氣管；左端蓋(2)與中間透蓋的氣管端之間安裝有空心閥桿(5)，閥桿一端與中間透蓋的氣管端相鄰；另一端內安裝有塞塊(51)，并置于固定在左端蓋上的后端蓋(1)內開設的控制氣腔室(11)內；發射氣腔室開設有氣體注入孔(12)；中間透蓋的氣管另一端置于右端蓋(7)內開設的圓孔內，并與固定在右端蓋上的法蘭(8)上的氣管抵接；彈管(9)螺紋連接在法蘭的氣管內。

成果與項目的背景及主要用途： 泡沫鋁材是一種新型的功能材料，一般孔隙率在 45％～98％之間，根據孔隙特點分為開孔與閉孔兩種，各國學者早在 40 年代后期就對泡沫金屬材料有所研究，但由于發泡工藝與孔的尺寸很難控制，一直未得到發展，直到 80 年代中期以后才取得長足進展，開發出了一些有工業價值的生產工藝。目前，日本與德國在研究、生產與應用泡沫鋁材與其他金屬泡沫方面居世界領先地位。我國對泡沫鋁材的研究始于 80 年代后期，并取得了一系列的研究成果，但尚未取得突破性的成就，仍處于起步階段。 目前，泡沫鋁的應用主要有：防火和吸音板、沖擊能量吸收材料、建筑板、半導體氣體擴散盤、熱交換器、電磁屏蔽物等方面。還應用于冶金、化工、航空航天、船舶、電子、汽車制造和建筑業等領域，應用范圍還在不斷擴大。 技術原理與工藝流程簡介： 本課題采取的是傳統的粉末冶金工藝，把鋁粉和造孔劑混合后，壓制成預制件，在熱水中將造孔劑溶解掉，然后在真空爐中對預制件進行真空燒結，就得到了開孔泡沫鋁。本試驗方法具有以下優點： 1.采用的粉末冶金法可以制備復雜形狀的試樣，工藝簡單容易實現。 2.通過改變工藝參數可以十分容易地控制孔隙率、孔形狀及孔的大小。這一點是其它方法難以做到的。 3.采用的造孔劑為尿素、碳酸氫銨，成本低、形狀可控且容易去除。 技術水平及專利與獲獎情況： 1. B. Jiang, N.Q. Zhao, C.S. Shi, J.J. Li. Processing of open cell aluminum foams with tailored porous morphology. Scripta Mater 53(2005)781-785.(JCR 工程技術二區，2004 年影響因子 2.112,檢索號：952BD.同時被 Ei 檢索，檢索號：05289206237) 2. B. Jiang, N.Q. Zhao, C.S. Shi, X.W. Du, J.J Li, H.C.Man. A novel method for making open cell aluminum foams by powder sintering process. Mater lett 59(2005)3333-3336. (JCR 工程技術 三區，2004 年影響因子 1.186) 3. 姜斌，趙乃勤. 泡沫鋁的制備方法及應用進展.金屬熱處理. 30(2005)36-40.（Ei 檢索，檢索號：05279197817） 應用前景分析及效益預測： 泡沫鋁以其獨特的結構而具有許多優異的性能，它不僅具有多孔材料所具有的輕質特性，還具有金屬所具有的優良的力學性能和熱、電等物理性能，如滲透、阻尼、能量吸收、高比表面積、電磁屏蔽等性能。目前，泡沫鋁材已經廣泛應用于防火裝飾材料、沖擊能量吸收材料、熱交換器等。由粉末冶金法制備的泡沫鋁工藝簡單，成本低廉，可以制備復雜形狀的試樣。并且通過改變工藝參數可以容易地控制孔隙率、孔形狀及孔的大小，這一點是其它方法難以做到的。所以本方法有推廣應用價值。 應用領域： 泡沫鋁的應用主要有：防火和吸音板、沖擊能量吸收材料、建筑板、半導體擴散器盤、熱交換器、電磁屏蔽物等方面。還可廣泛應用于冶金、化工、航空航天、船舶、電子、汽車制造和建筑業等領域。 合作方式及條件：合作開發

產品詳細介紹 TDZT-04鐵電性能綜合測試儀    關鍵詞:鐵電材料參數測試儀,鐵電子材料測試儀,鐵電測試儀 一、產品介紹：  TDZT-04型鐵電性能綜合測試儀是適用于鐵電薄膜、鐵電體材料（既可塊體材料）的電性能測量，可測量鐵電薄膜電滯回線，可測出具有非對稱電滯回線鐵電薄膜的Pr值。 前言：鐵電材料具有良好的鐵電性、壓電性、熱釋電性以及非線性光學等特性, 是當前技術材料中非常活躍的研究領域之一，其研究熱點正向實用化發展。 背景：高性能的鐵電材料是一類具有廣泛應用前景的功能材料,從目前的研究現狀來看,對于具有高性能的鐵電材料的研究和開發應用仍然處于發展階段.研究者們選用不同的鐵電材料進行研究,并不斷探索制備工藝,只是到目前為止對于鐵電材料的一些性能的研究還沒有達到令人滿意的地步.比如,用于制備鐵電復合材料的陶瓷粉體和聚合物的種類還很單一,對其復合界面的理論研究也剛剛開始,鐵電記憶器件抗疲勞特性的研究還有待發展。 一、產品介紹：  TDZT-04型是鐵電材料參數測試儀適用于鐵電薄膜、鐵電體材料（既可塊體材料）的電性能測量，可測量鐵電薄膜電滯回線，可測出具有非對稱電滯回線鐵電薄膜的Pr值。 主要技術指標：1.輸出信號電壓：：薄膜：0～±10V 陶瓷、材料：0～±2000V2.輸出信號頻率：薄膜材料1-1000HZ，陶瓷：0-1Hz3.電容范圍：1000nf～ 100nf, 精度: ≤1%。4.電流范圍: 1nA～10A ,精度: ≤1%。5、測試樣品：0-20mm  5個6、高壓樣品池：2個，一個封閉式：8CM*6CM 一個開放式：8CM*5CM7、三維移動薄膜測試平臺：直立式探針一套，角度式探針一套8、電流：1-10倍放大，信號：1-20倍。.數據結口：USB或BNC接口。9. 數據采集分析軟件： 能畫出鐵電薄膜的電滯回線，定量得到鐵電薄膜材料的飽和極化Ps、剩余極化Pr、矯頑場Ec、漏電流等參數;可以進行鐵電薄膜材料的鐵電疲勞性能、鐵電保持性能的測試，電阻測量，漏電流測量。 10.可以配合ZJ-3和ZJ-6型壓電測試儀操作

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發明涉及一種半導體發光與顯示器件的制備方法，具體地說，是涉及一種基于紫外光激發的白光發射器件及其制備方法，屬光電集成技術領域。該制備方法包括如下步驟：清洗硅片、在清洗后的硅片上制備多孔硅、在多孔硅上沉積氮化鋁薄膜、用紫外光照射氮化鋁薄膜，得到在可見光區發光的白光發射器件。 技術推廣意向：半導體發光與顯示領域技術創新：本發明具有如下的有益效果：器件結構簡單，無污染，制備成本低；不需要熒光粉，發光效率高；發光性能穩定，光譜波長范圍寬。

本發明公開了一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無鉛釬料，屬于金屬材料類及冶金領域釬焊材料。該種無鉛釬料中的納米Al顆粒的含量為0.01~1%，納米CeO2的含量為0.01~1%，Ag的含量為0.5~4.5%，Cu的含量為0.2~1.5%，余量為Sn。使用市售的Sn錠、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按設計所需成分配比，預先熔化，然后加入納米顆粒，采用高能超聲攪拌的制造工藝冶煉無鉛釬料，為防止元素的燒損在惰性氣體保護氣氛中冶煉、澆鑄成棒材，然后通過擠壓、拉拔即得到所需要的釬料絲材，也可將新釬料制備成焊膏使用。本無鉛釬料對應無鉛焊點的抗疲勞特性和抗跌落特性得到顯著提高。 

本發明公開了一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件，包括單片集成的六軸微慣性器件、玻璃襯底、金屬電極、金屬引線、SOI蓋帽和SOI密封墻；六軸微慣性器件通過陽極鍵合工藝鍵合在玻璃襯底上；金屬電極為一個以上，均勻設置在玻璃襯底一側，金屬電極通過金屬引線與六軸微慣性器件相接，SOI蓋帽設在玻璃襯底正上方，SOI密封腔設在SOI蓋帽和SOI密封墻之間，形成空腔結構；每個金屬電極正上方的SOI蓋帽上設有梯形電極孔，梯形電極孔正下方的SOI密封墻上設有垂直貫通；梯形電極孔、垂直貫通與金屬電極一一對應。本發明具有全解耦、質量小、結構精巧、成本低和便于批量生產等優點，在單個器件內同時實現了對三軸的加速度和角速度的檢測，應用范圍廣，有著良好的市場前景。

本發明屬于電子元器件的封裝設備技術領域，并公開了一種用 于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置，包括水平工作臺、熱壓 機構、驅動機構和調距機構等，其中熱壓機構被設計為雙路結構，并 用于實現料帶的封合，保證壓力的一致性，進而完成料帶的良好熱封； 驅動機構用于驅動熱壓機構實現垂直方向的上下運動；調距機構用于 調節工作臺兩側的間距以及兩側壓頭的間距，進而實現適應不同寬度 的料帶的熱封。通過本發明，能實現單側壓頭的溫度均勻分布，兩側 壓頭溫度和壓力的一致性以及不同寬度的料帶的良好熱封，同時具備 結構緊湊，便

本發明公開了一種基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測器件及其驅動方法，采用薄膜晶體管基板，并采用化學溶液法制備ＰｂＳ或者Ｇｅ半導體量子點，作為光電轉換材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低溫旋涂、噴墨打印或者轉印等方法，沉積可傳感紅外信號的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子點層；在量子點光電轉換層上利用濺射方法制備對紅外吸收較少的公共導電層；薄膜晶體管背板的像素源電極、量子點光電轉換層，以及透明電極構成紅外光敏電阻結構，該光敏電阻吸收紅外信號后，產生光生載流子，從而改變電阻的阻值。本發明提出的紅外探測器件成像面積大，

本成果通過有機光電器件中有機薄膜的缺陷態來揭示： 1. 有機半導體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級排布或者出現的界面能級釘扎的機理； 3. 缺陷態的存在對器件中載流子傳輸的影響； 4. 使用有效的有機、無機材料摻雜來極大的提高有機半導體薄膜的電導率。從而獲得以有效、簡單的使用方法來提高有機光電器件的性能。