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硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器
本發明的硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一段移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導、非對稱共面帶線和一個隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個熱電
東南大學
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器
本發明的硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導、非對稱共面帶線和一個電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個電阻以及
東南大學
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器
本發明的硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導、非對稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個電阻以及熱電
東南大學
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數轉換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開關構成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應的ＣＰＷ信號線終端的間接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率
東南大學
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器
本發明的硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導傳輸線、非對稱共面帶線和一個隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波
東南大學
2021-04-14
銅聚合物基微納復合材料制備技術與成型機理
1、高密度接枝改性的 CNTs 納米復合材料的制備 2、應用電場力協同制備聚合物復合材料 3、聚合物基微納復合材料流變學及界面特性4、在 ACS Appl. Mater. Interfaces, Chem. Comm., Acta Biomater., Carbon,Macromolecules 等發表相關論文多篇，申請發明專利 40 余項，其中已授權 24 項。
上海理工大學
2021-01-12
一種鋯磷酸鹽基彈性應力發光材料及其制備方法
本發明涉及一種鋯磷酸鹽基彈性應力發光材料及其制備方法，本發明的優點在于：(1) 材料制備方法簡單、易操作、設備要求低；(2) 制備的材料具有強的彈性應力發光，在黑暗環境下肉眼可直接觀測，并具有較好的耐熱性和耐水性，可加工性好，應用范圍廣；(3) 材料的基體原料均為地球上的富含元素，屬于環境友好型材料。本發明的彈性應力發光材料，可廣泛應用于壓力傳感器、機械應力可視化、人造皮膚、智能蒙皮、自診斷系統、超精密器件加工，生物體、建筑物和機器的應力分布檢測、城市建筑物防災以及減災系統、預測地震產生、檢測飛機和汽車的損害、研究人體疾病等。
青島大學
2021-04-13
一種原位顆粒混雜增強鋁基復合材料及其制備方法
本發明公開了一種原位顆粒混雜增強鋁基復合材料及其制備方 法，顆粒增強體為 TiB2 和 Mg2Si，分別通過 KBF4 與 K2TiF6 混合鹽 反應生成和合金元素添加的方法生成，兩種增強體占整個復合材料的 體積分數分別為 TiB21～10％，Mg2Si-2～20％。鋁合金基體成分為 Al-Mg 合金。制備方法為：合金配料與混合鹽的烘干混料等預處理； 合金熔煉并保持溫度為 700～900℃；混合鹽的加入與機械攪拌，熔體 保溫并合成 TiB2；保溫結束后降溫至 700～780℃左右并扒除反應鹽 渣；以 Al-Si 中間合金形式加入 Si 并加入純 Mg，兩者原子比例為 1:2； 700～780℃保溫并攪拌，合成 Mg2Si；熔體進行精煉、除氣后澆注。 該復合材料具有密度低，力學性能良好，增強相體積分數可選擇范圍 大等優點。能夠在滿足輕量化要求同時，提供更優力學性能的鋁基復 合材料。
華中科技大學
2021-04-13
一種石墨烯基雙模混合集成電控液晶微透鏡陣列芯片
本發明公開了一種石墨烯基雙模混合集成電控液晶微透鏡陣列，包括陣列化控光架構、第一驅控信號輸入端口和第二驅控信號輸入端口，陣列化控光架構的上下層之間順次設置有第一基片、微圓孔形圖案化石墨烯電極、第一液晶定向層、第一液晶層、第二液晶定向層、石墨烯共地電極、第二基片、第三液晶定向層、第二液晶層、第四液晶定向層、微圓環孔形圖案化石墨烯電極、第三基片，微圓孔形圖案化石墨烯電極、石墨烯共地電極和微圓環孔形圖案化石墨烯電極分別
華中科技大學
2021-04-14
一種新型高沖擊韌性非晶基復合涂層及其制備方法
本發明提供一種新型高沖擊韌性非晶基復合涂層及其制備方法， 其中復合涂層由一種鐵基非晶合金涂層與一種晶態金屬涂層交互疊加 構成，晶態金屬涂層與基材直接接觸，復合涂層的最外層為鐵基非晶 合金涂層；復合涂層中非晶涂層及晶態涂層的界面結合緊密，不存在 連續孔隙；復合涂層采用超音速火焰噴涂技術獲得；復合涂層與金屬 基體具有高結合強度；復合涂層的沖擊韌性遠高于單相鐵基非晶合金 涂層。本發明獲得的復合涂層可在各種金屬基體表面進行大
華中科技大學
2021-04-14