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本發(fā)明公開了利用鉸鏈?zhǔn)搅骓攭簷C(jī)制備高性能聚晶金剛石的方法，其特點(diǎn)是該方法采用金剛石或含部分金剛石的碳粉體為原料，不添加任何金屬或陶瓷粘結(jié)劑，經(jīng)凈化除雜，粉體表面在真空度4x10-3～4x10-5Pa，溫度800～1500℃，凈化處理0.5h～5h。表面凈化的金剛石粉體預(yù)壓成型，放置于鉸鏈?zhǔn)搅骓攭簷C(jī)上，于溫度1400-2500℃，壓力為8～20GPa, 燒結(jié)1～30min，制得高性能聚晶金剛石塊體材料。

采用紅外光譜和拉曼光譜技術(shù)，克服了GaN中強(qiáng)烈的剩余射線帶相關(guān)反射區(qū)導(dǎo)致的測量難題，實驗中觀察到半絕緣GaN中與C有關(guān)的兩個局域振動模，并結(jié)合第一性原理計算，給出了C雜質(zhì)在GaN中替代N位的直接證據(jù)，解決了這一長期存在的爭議問題。該成果對于理解和認(rèn)識C雜質(zhì)在AlN、BN、ZnO等其他六方對稱化合物半導(dǎo)體材料中的摻雜行為亦具有重要的參考價值。

本發(fā)明屬于表面工程技術(shù)的應(yīng)用，具體是成分振蕩金屬氮化物涂層的制備方法，在等離子體偏壓反濺清洗過的表面平整的基片上，以反應(yīng)濺射工藝模式在基片表面沉積成分振蕩金屬氮化物涂層，沉積過程中，通過改變N2氣與Ar氣的分流量或分氣壓來控制濺射氣體中N2氣與Ar氣的含量比，且N2氣與Ar氣的含量比變化曲線隨涂層沉積時間呈現(xiàn)出周期性變化規(guī)律。本發(fā)明制得的涂層中N元素的含量比沿涂層生長方向的分布具有振蕩特征；涂層是由多個亞層組成的多層結(jié)構(gòu)，而每一亞層中N元素含量比的變化呈現(xiàn)梯度分布特征，該涂層具有梯度化與多層化的雙重復(fù)合結(jié)構(gòu)特征。

本發(fā)明公開了一種氮化硅微米管的制備方法，該方法將去除保 護(hù)層的光纖表面涂覆一層均勻的石墨粉后在 300～600℃的溫度區(qū)間內(nèi) 熱解，使光纖表面形成均勻厚度的碳膜；再將光纖在氮?dú)鈼l件下以 1100～1600℃的溫度區(qū)間高溫加熱，使碳膜與光纖表面的二氧化硅產(chǎn) 生反應(yīng)生成硅，然后硅與氮?dú)獍l(fā)生反應(yīng)在光纖表面形成氮化硅薄膜將形成氮化硅薄膜的光纖刻蝕掉，形成中空的氮化硅微米管。該氮化 硅微米管與炭黑進(jìn)行混合，使氮化硅微米管增強(qiáng)導(dǎo)電性，然后在其中 加入熱熔型粘結(jié)劑形成混合物，再均勻涂在洗凈的銅箔表面，可得到 氮化

、成果簡介：（500字以內(nèi)） 本成果是完成吉林省科學(xué)技術(shù)廳下達(dá)的吉林省科技發(fā)展計劃項目“高性能玄武巖纖維增強(qiáng)聚醚醚酮復(fù)合材料的規(guī)模化制備技術(shù)（20096022）”科研任務(wù)所取得的。本成果的創(chuàng)造性體現(xiàn)在兩個方面：即利用我國自主知識產(chǎn)權(quán)研制了復(fù)合專用聚醚醚酮樹脂，通過選擇玄武巖纖維、高溫潤滑劑及自制熔體粘度調(diào)節(jié)劑——聚芳醚酮液晶聚合物，研制出復(fù)合專用料；采用熔融擠出復(fù)合方法，制備了玄武巖纖維/聚醚醚酮復(fù)合材料并研究了其復(fù)合工藝，得到了綜合性能優(yōu)異的玄武巖纖維/聚醚醚酮復(fù)合材料。研制的玄武巖

近年來，隨著納米技術(shù)的不斷發(fā)展，聚合物基納米復(fù)合材料由于其優(yōu)異的力學(xué)性能和功能性在材料領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，如何實現(xiàn)聚合物基納米復(fù)合材料的高效、大規(guī)模、綠色環(huán)保、可持續(xù)且高度可控的制備仍然是一個世界難題。然而，對微生物輔助復(fù)合材料制備過程的探索有望為該問題提供一種全新的解決方案。

傳統(tǒng)的空穴傳輸材料——以Spiro-OMeTAD為代表的芳胺類化合物由于其結(jié)構(gòu)多樣性、易于調(diào)節(jié)的前線軌道能級、較好的成膜能力和高的熱穩(wěn)定性與形態(tài)穩(wěn)定性，在多個技術(shù)領(lǐng)域也受到了極大的關(guān)注。 氮原子的易氧化和有效傳輸正電荷的能力，使芳胺基團(tuán)成為強(qiáng)電子給體。然而，由于芳胺的非平面構(gòu)象及核心氮與芳基之間的扭曲，芳胺化合物大部分是無定形的。這降低了芳胺化合物的電荷載流子遷移率，并導(dǎo)致芳胺化合物需

1、熟悉精通高性能有機(jī)顏料的合成技術(shù)和后處理技術(shù)人員。2、精通水性色漿、UV光固化色漿、顏料制備物技術(shù)人員

最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。以氮化物結(jié)構(gòu)陶瓷相關(guān)材料（如AlN，Si3N4）為寄出的氧氮化物熒光粉在保持了高溫、化學(xué)和力學(xué)穩(wěn)定性的基礎(chǔ)上，還具有較為優(yōu)異的光轉(zhuǎn)換性能，贏得了越來越廣泛的關(guān)注。其中， 有潛力應(yīng)用在紫外激發(fā)的白光LED上的Eu2+摻雜AlN藍(lán)色熒光粉不僅具有較高的光量子效率，而且與常用的熱淬滅嚴(yán)重的BaMgAl10O17:Eu2+ (BAM)相比，具有很高的熱穩(wěn)定性。但是，目前報道的Eu2+摻雜AlN藍(lán)色熒光粉的制備方法（如Dierre B, Yuan X L, Inoue K等， J. Am. Ceram Soc, 2009, 92 (6):1272-1275；Hirosaki N, Xie R J, Inoue K等，Appl. Phys. Lett. , 2007, 91(6): 061101）都是采用高純度氮化物粉體在高溫下通過固相反應(yīng)合成，要求2050℃的高溫下，10個大氣壓的氮?dú)鈮毫Γ?個小時以上獲得，粉體還要在保護(hù)環(huán)境中球磨粉碎由于高溫產(chǎn)生的團(tuán)聚，成本及其高昂，且顆粒尺寸控制困難。探索能夠得到高純度、粒徑均勻可控、發(fā)光性能好的熒光粉且成本低的合成方法，對于這類新型材料的研究、應(yīng)用都具有重要意義。 目前， AlN的合成方法主要有以下幾種: 鋁粉直接氮化法、碳熱還原法、氣相還原氮化法、裂解法、等離子體法、電弧熔煉法、自蔓延高溫合成法、微波合成法，其中前兩種方法已經(jīng)應(yīng)用于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。比較而言，鋁粉直接氮化法為強(qiáng)放熱反應(yīng),反應(yīng)不易控制，反應(yīng)過程中放出的大量熱易使鋁形成融塊，造成反應(yīng)不完全，難以制備高純度、細(xì)粒度的產(chǎn)品；碳熱還原法制備的氮化鋁粉末純度高、性能穩(wěn)定、粉末粒度細(xì)小均勻、成形和燒結(jié)性能良好，但是因為反應(yīng)物中必須加入稍過量的碳以保證反應(yīng)完全，這種方法難以避免碳的殘留；而氣相還原氮化法制得的AlN純度高、粉末粒度細(xì)小均勻并且大大減少了碳的殘留。而在制備氮化鋁前驅(qū)體時溶膠-凝膠法又以成分易分布均勻、顆粒細(xì)小勝過固相混合法。我們首次利用檸檬酸做絡(luò)合劑，通過溶膠凝膠法制備Eu2O3和Al2O3均勻混合的反應(yīng)前驅(qū)體，結(jié)合氣相還原氮化法的方法來合成AlN：Eu2+熒光粉，如下圖。這種制備方法成本低，且具有很強(qiáng)的普適性，可應(yīng)用于合成其他高純氮化物應(yīng)該材料。 該方法解決了生產(chǎn)氮化物熒光材料中需要高純氮化物作為起始粉料成本高等劣勢，利用價格低廉，原料易得的氧化物作為原料，合成出所需的氮化物熒光材料。而且此方法反應(yīng)活性高，低溫下得到顆粒大小均勻，發(fā)光穩(wěn)定可控的發(fā)光材料，節(jié)約后處理成本。