葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

無色透明液體，分子量：118.13，密度0.97g/cm3，沸點126.8℃,熔點-43℃，是一種性能優(yōu)良的溶劑及紡織助劑，廣泛用于有機合成的乙基化劑、羰基化劑、羰基乙氧基化劑，用作硝化纖維素、纖維素醚、合成樹酯和天然樹脂的溶劑。在紡織印染方面，碳酯二乙酯可使染色分布均勻，提高日曬褪色性能：溶劑方面是聚酰胺、聚丙烯腈、雙酚樹脂等良好溶劑，在合成纖維工業(yè)中可改善織物的手感，改進抗皺性能；在油漆工業(yè)上用作脫漆溶劑；在塑料加工中作為增塑劑的溶劑或直接作為增塑劑使用；在電容電池、鋰電池工業(yè)上用作配制電解液；在醫(yī)藥方面作為松油膏的基礎(chǔ)成分、合成中間體苯巴比妥等，有著廣泛的市場開發(fā)前景。

化工、制藥、印染、造紙等行業(yè)廢水排放量大、污染物濃度高，并且這些重污染行業(yè)排放的廢水一般都含有難降解生物、甚至有毒害作用的污染物質(zhì)，常規(guī)的物化、生化處理工藝很難把這些行業(yè)的廢水處理到國家一級排放標準。為此，很多企業(yè)不得不通過稀釋手段來實現(xiàn)COD達標排放的目標。但是，隨著節(jié)能減排計劃的實施，各地都加大了對COD總量的控制力度。同時，地方政府也給企業(yè)下達了COD減排任務(wù)。此外，一些地方政府還頒布了高于國家廢水排放標準的地方標準。為了完成COD減排任務(wù)或達到更加嚴格的廢水排放標準，大部分企業(yè)都必須對現(xiàn)有污水處理設(shè)施進行技術(shù)改造。華東理工大學(xué)環(huán)境工程研究所針對化工、制藥、印染、造紙等行業(yè)廢水的特點，研究開發(fā)了多項難降解有機廢水處理技術(shù)，包括各種預(yù)處理技術(shù)、生物處理技術(shù)、深度處理技術(shù)，及多項處理技術(shù)的組合與集成。目前，這些技術(shù)已成功應(yīng)用于多個化工、精細化工、制藥企業(yè)的廢水改造工程或新建工程，為這些企業(yè)解決了高COD、高鹽分、高氨氮廢水處理的難題，使企業(yè)在較低的成本下實現(xiàn)了達標排放的目的，并超額完成了COD減排任務(wù)。（1）處理有機廢水的BCB組合工藝，授權(quán)發(fā)明專利，專利號：ZL200510024414.6（2）一種氧化反應(yīng)催化劑可循環(huán)使用的廢水處理方法，授權(quán)發(fā)明專利，專利號：ZL200610030562.6

提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統(tǒng)，該系統(tǒng)與現(xiàn)有的COMS制備工藝兼容，可以實現(xiàn)光子學(xué)和電子學(xué)的三維集成和互聯(lián)，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復(fù)用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統(tǒng)的優(yōu)點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學(xué)模塊、電子學(xué)信號處理系統(tǒng)和存儲系統(tǒng)；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學(xué)集成和電子學(xué)集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學(xué)器件尺度可以和電子學(xué)器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現(xiàn)三維光電混合集成，可以實現(xiàn)更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學(xué)集成回路在速度上的瓶頸。